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公开(公告)号：CN1953232A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610111049.X
申请日：2006-08-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 汤川干央
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0009 , G11C13/04 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/13 , H01L51/52
Abstract: 本发明揭示一种写入的可靠性高且价格低的存储装置及半导体装置。此外，本发明揭示一种具有非易失性存储元件的存储装置及半导体装置，其中，除了制造时能够进行追记之外，并可以防止由改写引起的伪造等。本发明的存储元件，包括第一导电层；第二导电层；以及包含有机化合物的层，该包含有机化合物的层形成在第一导电层和第二导电层之间，并且具有能够因电子和空穴的再结合能而成为激发状态的光敏氧化还原剂、以及能够因光敏氧化还原剂而引起反应的基质。
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公开(公告)号：CN104638009B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201410751970.5
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L27/3281 , H01L51/0021 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件，该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成剥离层；在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层，并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层，以形成元件形成层；以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板，然后剥离剥离层和元件形成层。
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公开(公告)号：CN105600776A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610010490.2
申请日：2012-07-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/192 , C01B32/23 , H01M4/366 , H01M4/625 , H01M10/0525 , H01M4/587
Abstract: 通过在溶液中将石墨和包含碱金属盐的氧化剂混合，来形成第一沉淀物。接着，使用酸性溶液使第一沉淀物所包含的氧化剂电离，并从第一沉淀物去除氧化剂，来形成第二沉淀物。然后，通过以下制备分散有氧化石墨烯的分散液：将第二沉淀物和水混合形成混合液，然后对混合液施加超声波或机械搅拌混合液，使氧化石墨烯从氧化石墨分离，所述氧化石墨为第二沉淀物中包含的并且被氧化的石墨。接着，将分散液、碱性溶液及有机溶剂混合，并使分散液所包含的氧化石墨烯与碱性溶液所包含的碱彼此反应，由此形成氧化石墨烯盐。
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公开(公告)号：CN102646793B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201210123886.X
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L27/3281 , H01L51/0021 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件，该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成剥离层；在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层，并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层，以形成元件形成层；以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板，然后剥离剥离层和元件形成层。
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公开(公告)号：CN103066033A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210593566.0
申请日：2008-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/48 , H01L25/065
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3675 , H01L23/481 , H01L23/53209 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/08146 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2224/2919 , H01L2224/73253 , H01L2224/80895 , H01L2224/81001 , H01L2224/811 , H01L2224/81136 , H01L2224/81801 , H01L2224/81894 , H01L2224/83138 , H01L2224/83851 , H01L2224/83907 , H01L2224/90 , H01L2224/9202 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及半导体装置，本发明的目的在于提供一种可以使IC芯片、LSI芯片等半导体芯片实现进一步的薄型化的技术。此外，本发明的目的还在于提供一种在三维半导体集成电路中通过使LSI芯片更薄型化且层叠而可以提高集成密度的技术。通过利用CMP等对形成有集成电路的半导体衬底进行研磨，在半导体衬底中形成脆弱层，然后通过分离半导体衬底的一部分，来使半导体衬底薄膜化，而取得具有至今未有的薄度的IC芯片、LSI芯片等半导体芯片。此外，通过层叠这种薄型化了的LSI芯片，并利用贯穿半导体衬底的布线使它们电连接，而取得集成密度提高的三维半导体集成电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102918683A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026274.2
申请日：2011-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M4/661 , H01M4/0428 , H01M4/134 , H01M4/667 , H01M4/70 , H01M10/0525 , Y02T10/7011
Abstract: 目的在于通过设计活性材料层的形状来改进电力存储设备的特性。可通过提供包括第一电极、第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间的电解质的电力存储设备来改进电力存储设备的特性。第二电极包括活性材料层。活性材料层包括包含活性材料的多个凸部以及包含活性材料的多个颗粒，这些颗粒排列在多个凸部上或者多个凸部之间的空隙中。
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公开(公告)号：CN102906913A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180027170.3
申请日：2011-05-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种能够提高放电容量的蓄能装置和/或提供一种能够减小由反复充放电导致的电极退化的蓄能装置。提供一种包括用作活性材料层的晶体硅层的蓄能装置的电极。晶体硅层包括晶体硅区域、以及具有从该晶体硅区域向上突出的多个突起物的须状晶体硅区域。这些突起物包括第一突起物和第二突起物，第二突起物具有比第一突起物更大的沿轴的长度以及更尖锐的顶端。
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公开(公告)号：CN1925187B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200610129024.2
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L27/3281 , H01L51/0021 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件，该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成剥离层；在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层，并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层，以形成元件形成层；以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板，然后剥离剥离层和元件形成层。
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公开(公告)号：CN101950732A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010167008.9
申请日：2006-11-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B82Y10/00 , G02F2001/13613 , G11C13/00 , G11C13/0014 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/1214 , H01L27/281 , H01L29/458 , H01L51/003 , H01L2251/558
Abstract: 提供功能更高且可靠的半导体器件和无需使装置或工艺复杂化就能够以高产率低成本制造该半导体器件的技术。形成第一导电层和第二导电层，其中至少一层含有铟、锡、铅、铋、钙、锰或锌中的一种或多种；或在有机化合物层与第一导电层之间和在有机化合物层与第二导电层之间的至少一个界面处进行氧化处理。在第一衬底上形成并与第一衬底之间夹着剥离层的第一导电层、有机化合物层和第二导电层可以借助剥离层从第一衬底上剥离并转置到第二衬底上。
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公开(公告)号：CN1925140B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610128855.8
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/1244 , H01L27/1266 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/78603
Abstract: 本发明的目的是高产率地制造半导体器件，在所述半导体器件内，在柔性基底上提供具有含有机化合物的层的元件。制造半导体器件的方法包括：在基底上形成分离层；通过在分离层上形成无机化合物层、第一导电层，和含有机化合物的层，并形成与含有机化合物的层和无机化合物层接触的第二导电层，从而产生形成元件的层；和在将第一柔性基底固定在第二导电层上之后，在分离层处将分离层与形成元件的层分离。
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