公开(公告)号：CN1276400C

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200410003328.5

申请日：2004-01-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴志容 ,  朴商一 ,  金慧东

IPC: G09F9/00 ,  G09G3/00 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3276

Abstract: 提供一种平板显示器，其中没有条纹出现在屏幕上，从而改善了图像质量。所述平板显示器具有矩阵型的子像素阵列，每个子像素包括驱动薄膜晶体管、由驱动薄膜晶体管驱动的第一电极以及与第一电极一起驱动发光单元的第二电极。驱动薄膜晶体管包括从半导体层中得到的半导体沟道。在半导体层上各异质直线互相分开。连接一列的半导体沟道的虚线与异质直线不平行。

公开(公告)号：CN1828963A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610008933.0

申请日：2006-01-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  苏明燮 ,  具在本 ,  杨南喆

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

Abstract: 提供一种薄膜晶体管、其制备方法以及使用该晶体管的平板显示器。薄膜晶体管包括栅极、与栅极绝缘的源极和漏极、与栅极绝缘并电连接到源极和漏极上的半导体层、绝缘层、介于半导体层和绝缘层之间并阻止电子或空穴迁移通过半导体层而被捕获到绝缘层中的载流子阻挡层。由于所述薄膜晶体管的构造可使得载流子阻挡层位于半导体层和绝缘层之间，可阻止注入到半导体层中的电子和空穴被捕获到绝缘层中，从而抑制了磁滞特性。另外，使用所述薄膜晶体管可制造可靠的平板显示器器件。

公开(公告)号：CN1825650A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200510003495.4

申请日：2005-11-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 安泽 ,  徐旼彻 ,  具在本 ,  朴镇成

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 一种在有机半导体层与源电极和漏电极之间具有优良的粘附性、优良的接触电阻以及允许欧姆接触的有机薄膜晶体管，和其制造方法。还提供了使用该有机薄膜晶体管的平板显示器件。该有机薄膜晶体管包括：形成在衬底上的源电极、漏电极、有机半导体层、栅绝缘层、和栅电极；和至少形成在有机半导体层与源电极或有机半导体层与漏电极之间的包括导电聚合物材料的载流子转运层。

公开(公告)号：CN1790749A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510119451.8

申请日：2005-11-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 安泽 ,  具在本 ,  徐旼彻

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L27/32 ,  H01L21/336 ,  H01L51/40 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/0541 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造该OTFT的方法和一种具有该OTFT的有机电致发光显示器。本发明防止有机半导体层的表面损伤并降低关电流。该OTFT包括衬底、在衬底上形成的源电极和漏电极以及在衬底上形成的具有设置在源电极和漏电极之上和之间的沟道层的半导体层。另外，该OTFT包括在半导体层上形成的栅绝缘层、穿过半导体层和栅绝缘层形成以将沟道层分开的分隔图案以及在沟道层上面的栅绝缘层上形成的栅电极。

公开(公告)号：CN1773717A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510116879.7

申请日：2005-10-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李宪贞 ,  徐旼徹 ,  具在本

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/10 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/40 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明公开了一种具有有机薄膜晶体管(OTFT)的有机场致发光显示装置和构造该装置的方法。通过将有机绝缘层用作栅极绝缘层并且将无机绝缘层用作电容器介质，显示装置可保持TFT的绝缘性质同时确保足够的电容。在一个实施例中，有机场致发光显示装置包括：衬底，具有电容器区域和晶体管区域；TFT，形成在衬底的晶体管区域内并具有栅极、有机半导体层、源极和漏极；电容器，形成在衬底的电容器区域内并具有下电极和上电极；显示元件，连接到TFT源/漏极的一个。在一个实施例中，形成在TFT的栅极下面或形成在栅极上的栅极绝缘层至少包括有机绝缘层，电容器的上电极和下电极之间的电容器介质包括无机绝缘层。

公开(公告)号：CN1753202A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200510104810.2

申请日：2005-09-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李宪贞 ,  具在本

IPC: H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1259 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0541

Abstract: 本发明提供了一种有机薄膜晶体管，一种平板显示装置以及制造它们的方法。有机薄膜晶体管包括：源和漏电极以及有机半导体层，形成在基板的表面上；栅电极，与源和漏电极以及有机半导体层绝缘；栅极，至少形成在每个源极和漏极的上方和有机半导体层的通道区域的上方，其中，在源和漏电极上方的至少一部分栅极绝缘体的厚度大于在有机半导体层的通道区域上方的至少一部分栅极绝缘体的厚度。

公开(公告)号：CN1638147A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410103882.0

申请日：2004-10-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  崔炳德 ,  苏明燮 ,  金元植

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136 ,  G09G3/00

CPC classification number: H01L29/78615

Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管，包括：形成于绝缘衬底上的有源层并具有沟道区和源/漏区；对应有源区的沟道区形成的栅极电极；在有源层中与源/漏区分离地形成的体接触区；分别连接至源/漏区的源/漏极电极；以及用于连接体接触区和栅极电极的导电布线。

公开(公告)号：CN1577418A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410071242.6

申请日：2004-07-16

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴志容 ,  具在本 ,  朴惠香 ,  李基龙 ,  李乙浩

IPC: G09F9/30

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法。形成于这种平板显示装置的驱动电路部分和象素部分的薄膜晶体管的有源沟道区域中的多晶硅晶粒的晶粒大小彼此不相同。而且，这种平板显示装置包括彼此具有不同晶粒形状的P型和N型薄膜晶体管。对于诸如电流迁移率这样的电特性，在驱动电路部分中要好于在所述象素部分中。而且，由于晶粒大小在象素部分中比在驱动电路部分中更为均匀，所以在象素部分中具有更好的电流一致性。

公开(公告)号：CN1574354A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410004153.X

申请日：2004-02-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴志容 ,  具在本 ,  朴惠香

IPC: H01L27/092 ,  G02F1/136 ,  G09G3/00

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种CMOS薄膜晶体管以及使用该CMOS薄膜晶体管的显示器件改善了诸如电流迁移率和阈值电压这样的电特性。该CMOS薄膜晶体管被制造得使P型薄膜晶体管的有源沟道的方向与N型薄膜晶体管的有源沟道的方向彼此不同。包含在P型薄膜晶体管中的主晶界所呈角度使得它们相对于有源沟道方向呈大约60°至大约120°的角。包含在N型薄膜晶体管中的主晶界所呈角度使得它们呈大约－30至大约30°的角。该有源沟道形成在多晶硅中。

公开(公告)号：CN1573843A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410005025.7

申请日：2004-02-12

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴志容 ,  李乙浩 ,  具在本 ,  李基龙 ,  朴惠香

IPC: G09F9/30 ,  G09G3/00 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置，通过使包括于形成在驱动电路部分和像素部分的有源沟道区中的薄膜晶体管中的晶界数不同，提供了具有改善特性的平板显示装置。这可以通过使形成于像素部分中的开关和驱动薄膜晶体管的有源沟道区中的多晶硅薄膜中包括不同的晶界数；以及通过对于每个红、绿和蓝色像素部分的驱动和像素部分，薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括的晶界数不同而实现。另外，这可以通过使形成于用于形成平板显示装置中的CMOS晶体管的NMOS和PMOS薄膜晶体管的有源沟道区中形成的多晶硅中包括不同的晶界数，由此形成对每个晶体管都获得改善特性薄膜晶体管而实现。