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公开(公告)号:CN106048527A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610405808.7
申请日:2016-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备柔性热敏薄膜的方法,该方法以MnCO3、Co2O3、Ni2O3粉末为原料经研磨、过筛、合成、细磨、预压成型、在富氧氛围下烧结成陶瓷靶材,然后以聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺薄片为衬底片,采用射频磁控溅射方法室温下溅射沉积MCNO薄膜。本发明优点在于:1.在室温下完成溅射沉积,实现在聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺等有机柔性衬底上沉积MCNO热敏薄膜。2.该方法制备的MCNO薄膜电阻率低,而负温度电阻系数高,有利提高器件的响应率和降低器件噪声。3.常温下制备,无需高温热处理,耗能低、节能环保。4.溅射沉积温度低,易于与Si基半导体工艺兼容,可以实现在Si基读出电路芯片上直接制备热敏元件,大大降低制作热敏型非制冷红外焦平面阵列成本。
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公开(公告)号:CN105575569A
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201610107807.4
申请日:2016-02-26
Applicant: 深圳市固电电子有限公司
IPC: H01C7/04
CPC classification number: H01C7/041
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻芯片及其制备方法,其原料包括如下质量比的组分:硝酸锰40-60%、硝酸钴20-35%、硝酸镍10-20%、硝酸铝5-10%,所述原料均为化学纯晶体,将上述晶体溶解于去离子水中配制成混合溶液,将混合溶液进行热分解得到混合粉体,将粉体与溶剂、粘合剂、分散剂及增塑剂混合配制成浆料,并将浆料通过湿法流延成膜得到巴块,巴块经过烘干、切割、排胶、烧结、抛磨、涂银、划片工艺后,即得到所述热敏电阻芯片。本发明提供的热敏电阻芯片的电阻率为20-30KΩ·mm,材料B值为4100-4700K,其制备方法简单且无需沉淀静置或凝胶过程,具有灵敏度高、能耗少、生产周期短的特点。
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公开(公告)号:CN105551699A
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201510990706.1
申请日:2015-12-24
Applicant: 深圳顺络电子股份有限公司
IPC: H01C7/04
Abstract: 本发明公开了一种NTC热敏电阻及制作方法,所述NTC热敏电阻包括由第一材料膜片叠层和第二材料膜片叠层叠压在一起之后烧结得到的热敏陶瓷基体,以及形成在所述热敏陶瓷基体的表面上的电极,其中所述第一材料膜片叠层包括上侧叠层部分和下侧叠层部分,所述第二材料膜片叠层包括中间叠层部分,所述上侧叠层部分和所述下侧叠层部分将所述中间叠层部分夹在中间而形成夹心结构,其中所述第一材料膜片与所述第二材料膜片的电阻率不同,且所述第一材料膜片相对于所述第二材料膜片具有更高的烧结温度。本发明能方便灵活地实现对元器件的不同电性能的多样化需求。
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公开(公告)号:CN103222015B
公开(公告)日:2016-03-09
申请号:CN201180056319.0
申请日:2011-10-18
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01C7/04
Abstract: 片状热敏电阻(1)具备热敏电阻素体(3)、第一电极(5)、第二电极(7)和第三电极(9)。热敏电阻素体(3)具有在第一方向上彼此相对的第一主面(3a)和第二主面(3b)。第一电极(5)和第二电极(7)在热敏电阻素体(3)的第一主面(3a),在与第一方向正交的第二方向上彼此分离而配置。第三电极(9),在热敏电阻素体(3)的第二主面(3b),以从第一方向看与第一电极(5)和第二电极(7)重叠的方式配置。
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公开(公告)号:CN103081033B
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201180043442.9
申请日:2011-08-31
Applicant: 埃普科斯股份有限公司
Inventor: F.林纳
CPC classification number: H01C7/18 , H01C1/1413 , H01C1/146 , H01C7/008 , H01C7/041 , H01C17/00 , Y10T29/49082
Abstract: 本发明说明具有由陶瓷层(2)和内电极(5,6,70)组成的堆叠的电阻器件(1),其中第一种类的内电极(5)与第一外接触部(3)导电地连接并且第二种类的内电极(6)与第二外接触部(4)导电地连接。第一种类的内电极(5)与第二种类的内电极(6)无重叠地布置。第三种类的内电极(70)至少部分地与第一种类的内电极(5)和第二种类的内电极(6)重叠,所述第三种类的内电极既不与第一外接触部(3)也不与第二外接触部(4)导电地连接。对于第三种类的每个内电极(70)设置第一种类的至少三个内电极(5)和第二种类的三个内电极(6)。此外,说明用于制造电阻器件(1)的方法。
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公开(公告)号:CN105304322A
公开(公告)日:2016-02-03
申请号:CN201510445689.3
申请日:2015-07-27
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/30 , H01C7/021 , H01C7/041 , H01C7/1006 , H01C7/18 , H01G4/1209 , H01G4/224
Abstract: 本发明提供陶瓷电子部件,能廉价地形成有良好的耐化学浸蚀性的涂层膜,且难以发生元件直立现象等的安装不良。变阻器(lO)具备:陶瓷元件(l)、和设置在陶瓷元件(l)的表面的涂层膜(8)以及外部电极(6a、6b)。涂层膜(8)包含从陶瓷元件(l)离子化而析出的陶瓷元件(l)的构成元素当中的阳离子性的元素、和树脂。涂层膜(8)的表面比形成在陶瓷元件(l)的侧面的外部电极(6a、6b)的包裹部分(12a、12b)的表面后退。将涂层膜(8)设置在通过蚀刻而形成在陶瓷元件(l)的表面的凹部(14)。
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公开(公告)号:CN105229755A
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201480028781.3
申请日:2014-07-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01C7/04 , C04B35/581 , C23C14/34 , G01K7/22 , H01C17/12
CPC classification number: H01C7/008 , C04B35/58007 , C04B35/58042 , C04B35/581 , C04B2235/40 , C04B2235/402 , C04B2235/404 , C04B2235/405 , C04B2235/407 , C04B2235/767 , C04B2235/81 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C14/34 , C23C14/5826 , G01K7/22 , G01K7/223 , H01C7/04 , H01C7/041 , H01C17/12
Abstract: 本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料,由以通式:MxAlyNz表示的金属氮化物构成,其中,M表示Fe、Co、Mn、Cu及Ni的至少一种,0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.4≤z≤0.5、x+y+z=1,其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序,所述成膜工序使用M-Al合金溅射靶在含氮气氛中进行反应性溅射而成膜,其中,M表示Fe、Co、Mn、Cu及Ni的至少一种。
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公开(公告)号:CN105210161A
公开(公告)日:2015-12-30
申请号:CN201480026067.0
申请日:2014-07-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01C7/04 , C04B35/581 , C23C14/34 , G01K7/22 , H01C17/12
CPC classification number: G01K7/22 , C01B21/0602 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2006/32 , C04B35/58007 , C04B35/58042 , C04B35/581 , C04B2235/40 , C04B2235/402 , C04B2235/404 , C04B2235/405 , C04B2235/407 , C04B2235/6584 , C04B2235/6585 , C04B2235/767 , C04B2235/81 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , C23C14/34 , C23C14/5826 , H01C7/04 , H01C7/041 , H01C17/12
Abstract: 本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料,由以通式:MxAly(N1-wOw)z表示的金属氮化物构成,其中,M表示Fe、Co、Mn、Cu及Ni的至少一种,0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0<w≤0.35、x+y+z=1,其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序,所述成膜工序使用M-Al合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜,其中,M表示Fe、Co、Mn、Cu及Ni的至少一种。
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公开(公告)号:CN104376939A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201410381828.6
申请日:2014-08-06
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01C7/04
CPC classification number: C30B25/06 , C23C14/0641 , C23C14/5826 , C23C14/586 , C30B29/38 , C30B33/04 , H01C7/008 , H01C7/041
Abstract: 本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器,该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接形成在薄膜等上,且具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料,由以通式:(M1-wAw)xAlyNz表示的金属氮化物构成,其中,M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种,并且A表示Sc、Zr、Mo、Nb及W中的至少一种,0.0<w<1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.4≤z≤0.5、x+y+z=1,其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序,所述成膜工序使用M-A-Al合金溅射靶在含氮气氛中进行反应性溅射而成膜。
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公开(公告)号:CN103081033A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201180043442.9
申请日:2011-08-31
Applicant: 埃普科斯股份有限公司
Inventor: F.林纳
CPC classification number: H01C7/18 , H01C1/1413 , H01C1/146 , H01C7/008 , H01C7/041 , H01C17/00 , Y10T29/49082
Abstract: 本发明说明具有由陶瓷层(2)和内电极(5,6,70)组成的堆叠的电阻器件(1),其中第一种类的内电极(5)与第一外接触部(3)导电地连接并且第二种类的内电极(6)与第二外接触部(4)导电地连接。第一种类的内电极(5)与第二种类的内电极(6)无重叠地布置。第三种类的内电极(70)至少部分地与第一种类的内电极(5)和第二种类的内电极(6)重叠,所述第三种类的内电极既不与第一外接触部(3)也不与第二外接触部(4)导电地连接。对于第三种类的每个内电极(70)设置第一种类的至少三个内电极(5)和第二种类的三个内电极(6)。此外,说明用于制造电阻器件(1)的方法。
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