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公开(公告)号：CN1669111A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03816946.0
申请日：2003-05-16
Applicant: 应用材料股份有限公司
IPC: H01J37/34
CPC classification number: H01J37/3408 , H01J37/3455
Abstract: 一种小型不平衡磁铁组件(60)是绕一被电浆溅镀的标靶(90)背面在一较佳为逆行(retrograde)行星式或周转圆式路径(92)中扫描，该扫描包括一绕该标靶的中心轴(72)的轨道式旋转，及一绕相对该标靶中心轴旋转的另一轴的行星式旋转。该磁铁组件可通过该标靶中心，因此可完全覆盖标靶。具有齿轮的一行星式机构可包括一旋转驱动板(74)、一固定中心齿轮(62)及一惰齿轮(76)，及一可旋转支撑在该驱动板上的随动齿轮(78)，该驱动板支撑一在该面对该标靶的驱动板的一侧上的悬臂式磁铁组件(84)。一带件(342)及滑轮(344、346)可取代该等齿轮。所述侵蚀轮廓可藉由改变通过该旋转循环的旋转速率或藉由变化该标靶功率而控制。一第二行星式阶段(302、304、306)可被加入或使用非圆形齿轮(310)。位于该室内部旁及台架(122)下的辅助电磁线圈(254、258)可产生一集中的磁场。
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公开(公告)号：CN1623007A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN01823635.9
申请日：2001-10-09
Applicant: 霍尼韦尔国际公司
CPC classification number: H01J37/3423 , B21J5/00 , B21J5/02 , B21K21/00 , B22D7/00 , B22D27/08 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3408
Abstract: 本发明包括一种形成金属体的方法。制备具有原始厚度的金属材料锭，对该金属锭进行热锻压。对热锻压后的产品进行淬火，使金属材料的平均晶粒尺寸固定在小于250微米。淬火后的材料用于形成三维物理气相沉积靶。本发明还包括一种形成铸锭的方法。在一特定方面，该铸锭是高纯度铜材料。本发明还包括物理气相沉积靶和磁控管等离子溅射反应器组件。
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公开(公告)号：CN1173071C
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN98800979.X
申请日：1998-07-17
Applicant: 芝浦机械电子装置股份有限公司
CPC classification number: C23C14/505 , C23C14/042 , C23C14/35 , C23C14/56 , G11B7/26 , H01J37/3408
Abstract: 本发明的单片式磁控管溅射装置，为将磁场施加到形成放电空间的溅射室(11)内，将磁场发生装置配置在溅射室的上方，在该溅射室(11)内上部配置有靶(21)，以便接受由所述磁场发生装置所产生的磁场。另外，在所述溅射室(11)，通过在构成其底部的隔壁(30)的开口部(32)而连设有盘片运送室(12)，在该盘片运送室(12)内，设有载放用来形成溅射膜的盘片基板(31)并运送到所述溅射室(11)开口部(32)、同时使所述盘片基板(31)在其面内予以旋转的盘片推动器(34)，在所述溅射室(11)内，再设有与载放在该盘片推动器(34)上的所述盘片基板(31)的上面中心部接触、与所述盘片基板(31)的旋转一起进行旋转的旋转中心罩(27)。本发明无需复杂的机构和工序，就可在盘片基板上安装罩，且使盘片基板绕其中心轴旋转进行溅射。
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公开(公告)号：CN1516888A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02811915.0
申请日：2002-05-30
Applicant: 尤纳克西斯巴尔策斯公司
IPC: H01J37/34
CPC classification number: H01J37/3408
Abstract: 为使溅射材料的利用率及磁控管溅射源的靶寿命最佳化并且同时使基片覆层具有可良好获得的分布值，在整个靶寿命期间内保持稳定地在这样的布置结构中形成一凹形的溅射面(20)，即该布置结构有较小的靶－基片间距(d)并且还组合有一个用于形成磁控管电子阱的磁系统，在该磁系统中，磁控管电子阱的外磁板(3)是固定不动地安置的，而一个具有一第二外磁极部分(11)的且偏心布置的内磁极(4)是可绕溅射源的中心轴线(6)旋转地形成的。
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公开(公告)号：CN1513197A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN02811040.4
申请日：2002-04-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 约瑟夫·布尔卡
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3222 , H01J37/3266 , H01J37/3408
Abstract: 一种等离子体用于处理衬底的处理系统(12)包括：限定处理空间(14)的处理室(13)以及将处理气体(22)导入上述处理空间(14)的气体入口(20)，处理室(13)中具有用于支撑衬底(18)的衬底支撑件(17)。等离子体源包括一个与处理室(13)接界并靠近处理空间(14)的介电窗(24a)，以及靠近介电窗(24a)并置于处理室(13)之外的电感元件(10)。电感元件(10)可用于耦合电能(26b)穿过介电窗进入处理空间(14)，并在其中产生等离子体(28)，该电感元件包括多种可替换的结构来产生密集，均匀的等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1500908A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN02160604.8
申请日：2002-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C14/35
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3408
Abstract: 本发明公开了一种磁控管溅镀装置和方法。在所述磁控管溅镀装置中，真空室包括一个放电气体入口和一个放电气体出口。真空室中设有基板支撑器。磁路单元包括设置在基板对面的靶电极和固装于靶电极背部的磁控管，磁路单元与基板支撑器相对设置，并且绕着基板支撑器的中心轴旋转。驱动单元使磁路单元旋转，并调整靶电极和基板支撑器中心之间的距离。因此，可以提高薄膜的均匀度和阶梯覆盖度。
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公开(公告)号：CN1436361A
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN01810986.1
申请日：2001-07-18
Applicant: 特利康控股有限公司 , 史蒂文·罗伯特·伯吉斯
Inventor： 史蒂文·罗伯特·伯吉斯 , 卡斯藤·乔更斯
IPC: H01J37/34
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/564 , H01J37/3266 , H01J37/3408 , H01J2237/022
Abstract: 一种磁控管溅射装置，具有控制器(10a)或者在支架(12)上的衬底(3)上选择性地控制等离子体的释放扩展。在衬底要涂覆上靶材时这个控制器也可以约束等离子体。这在将靶材沉积到所需的衬底例如晶片上的沉积间隔中能够清洁靶的表面，并且保证了靶自身上不会形成由背散射沉积的靶材组成的层或者薄片。一种压筒线圈位于磁控管和支架之间以增加近乎垂直到达衬底表面的靶材的均匀性和密度。
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公开(公告)号：CN1336965A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN00802777.3
申请日：2000-11-10
Applicant: 东京电子株式会社
Inventor： 德尔克·安德鲁·罗素
CPC classification number: H01J37/3408 , C23C14/35
Abstract: 磁控管溅射涂敷系统具有磁控管阴极(20),该阴极包括截头圆锥形靶(25),该靶具有锥形磁体组件(30),该磁体组件在靶(25)未侵蚀时在主磁力隧道下方在靶(25)的中间半径或中心线处产生最高的侵蚀率,且随着靶的侵蚀,最高侵蚀率的位置逐渐转移到两个区域,一个是半径小于靶中心线的内部区域,一个是半径大于靶中心线的外部区域。结果,在靶(25)的寿命过程中靶的侵蚀在整个靶面积上趋于相等,提高了靶的利用率。磁体组件(30)包括具有通过磁轭(36)磁性地互连的磁极、形成主磁力隧道的内环(31)和外环(33)以及用来产生与形成主磁力隧道的磁极方位相反的磁场的中间磁体环(32)。
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公开(公告)号：CN1272953A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN98809766.4
申请日：1998-09-28
Inventor： 胡应锋 , 杰弗里·R·戴克-豪斯
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/45565 , C23C16/50 , C23C16/509 , H01J37/3266 , H01J37/3408
Abstract: 提供一种在等离子体增强化学汽相淀积涂敷装置中的电极,可以提高等离子体产生涂层的效率和质量。该电极包括双簇射头面(11,11’),并在优选方式中含有多个磁铁(13),多个磁铁排列成使磁铁的磁极面向相同方向,由此产生用于每套磁铁的两个磁控管表面。
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公开(公告)号：CN1234838A
公开(公告)日：1999-11-10
申请号：CN98800979.X
申请日：1998-07-17
Applicant: 芝浦机械电子装置股份有限公司
CPC classification number: C23C14/505 , C23C14/042 , C23C14/35 , C23C14/56 , G11B7/26 , H01J37/3408
Abstract: 本发明的单片式磁控管溅射装置,为将磁场施加到形成放电空间的溅射室11内,将磁场发生装置配置在溅射室的上方,在该溅射室11内上部配置有靶21,以便接受由所述磁场发生装置所产生的磁场。另外,在所述溅射室11,通过在构成其底部的隔壁30的开口部32而连设有盘片运送室12,在该盘片运送室12内,设有载放用来形成溅射膜的盘片基板31并运送到所述溅射室11开口部32、同时使所述盘片基板31在其面内予以旋转的盘片推动器34,在所述溅射室11内,再设有与载放在该盘片推动器34上的所述盘片基板31的上面中心部接触、与所述盘片基板31的旋转一起进行旋转的旋转中心罩27。本发明无需复杂的机构和工序,就可在盘片基板上安装罩,且使盘片基板绕其中心轴旋转进行溅射。
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