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公开(公告)号：CN111825596A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010292123.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D403/14 , C07D207/404 , C07C233/75 , C07C39/17 , C08F22/40 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/26 , G03F7/36 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物。本发明课题的目的为提供一种含有酰亚胺基的化合物，其不仅在空气中，在惰性气体中的成膜条件亦会硬化，不产生副产物，能够形成耐热性、或形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良且对基板的密接性良好的有机下层膜。该课题的解决方法为一种有机膜形成用材料，其特征为含有：(A)通式(1A)或(1B)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN110895380A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910864595.8
申请日：2019-09-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够解决产品的性能劣化或成品率下降的问题的图案形成方法。所述图案形成方法的特征在于包括以下工序：(1)在基板上形成有机下层膜，在其上形成含硅中间膜，进一步在其上形成上层抗蚀剂膜的工序；(2)对所述上层抗蚀剂膜进行曝光、显影，形成上层抗蚀剂图案的工序；(3)通过干法蚀刻在含硅中间膜上转印所述上层抗蚀剂图案，进一步在所述有机下层膜上转印所述上层抗蚀剂图案，形成有机下层膜图案的工序；(4)通过CVD法或ALD法形成无机硅膜的工序；(5)通过干法蚀刻去除所述无机硅膜的一部分，使所述有机下层膜图案的上部露出的工序；及(6)使用剥离液去除所述有机下层膜图案，形成无机硅膜图案的工序。
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公开(公告)号：CN110317125A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910242725.4
申请日：2019-03-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C35/38 , C07C29/42 , C07C69/16 , C07C67/08 , C07D335/16 , C07C43/205 , C07C41/18 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/115
Abstract: 本发明提供一种能够形成有机下层膜的化合物，该有机下层膜在空气中或非活性气体中的成膜条件下进行固化而不产生副产物，不仅形成于基板的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好。所述化合物在分子内具有2个以上下述通式(1-1)所示的部分结构。[化学式1]式中，Ar各自独立地表示可具有取代基的芳香环或可具有取代基的含有1个以上氮原子的芳香环，2个Ar可彼此连接而形成环结构；虚线表示与有机基团的结合键；B为阴离子性离去基团，其可通过热、酸中的任意一种或两种的作用生成反应性阳离子。
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公开(公告)号：CN109960111A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811592270.0
申请日：2018-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/09
Abstract: 本发明提供一种过滤性高的有机膜形成用组合物、使用该组合物的有机膜的形成方法、图案形成方法、及形成有该有机膜的半导体装置制造用基板，所述组合物能够形成图案弯曲耐性高、尤其是在比40nm微细且为高高宽的线条图案中不会发生干法蚀刻后的线条的坍塌或起皱的有机膜。所述有机膜形成用组合物含有作为下述式(1)所示的二羟基萘与缩合剂的缩合体的缩合物(A)或该缩合物(A)的衍生物，所述缩合物(A)或缩合物(A)的衍生物中含有的成分元素中的硫成分的含量以质量比计为100ppm以下。[化学式1]
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公开(公告)号：CN109426077A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810985309.9
申请日：2018-08-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , G03F7/09 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种有机膜形成用组合物，其即使在用于防止基板腐蚀的不活性气体中的成膜条件下也不产生副产物，不仅形成于基板上的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且能够形成基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机膜，进一步，即使在该有机膜上形成CVD硬掩模时，该膜的膜厚也不因热分解而变动。本发明为一种有机膜形成用组合物，其特征在于，含有(A)具有下述通式(1)所示的重复单元的聚合物及(B)有机溶剂。[化学式1]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1531031A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028268.2
申请日：2004-03-10
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/768
CPC classification number: C08G77/50 , C08J5/18 , C08J2383/04 , C09D183/14 , Y10T428/31663
Abstract: 使用常规的半导体工艺，提供一种可以形成多孔膜的涂布液，所述的多孔膜具有要求可控的厚度和优良的介电和力学性质。特别是，提供一种形成多孔膜的组合物，所述的组合物包括缩合产物和有机溶剂，其中在碱性催化剂存在下通过一种或多种由通式(1)：R1kSi(OR2)4－k代表的硅烷化合物，和一种或多种由通式(2)：{Xj(Y)3－jSi－(L)m－}nMZ4－n代表的交联剂的水解和缩合得到缩合产物。而且，提供了制造多孔膜的方法，包括施加所述组合物的步骤以便形成膜，干燥膜和加热干燥的膜从而硬化膜，也提供了其它的信息。
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公开(公告)号：CN1519197A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200310114941.X
申请日：2003-11-13
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C01B39/04
CPC classification number: H01L21/02126 , C01B39/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 本发明提供了可形成多孔膜的沸石溶胶，所述多孔膜可通过在普通半导体生产中所使用的方法而变薄到需要的厚度，该膜具有优良的介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度，以及其可以容易地变薄；本发明提供了成膜用组合物；多孔膜及其制造方法；内部含有这种多孔膜的高性能和高度可靠的半导体装置。更具体地说，在常规的多孔膜形成用涂布液中，在结构导向剂和碱性催化剂的存在下，通过水解和分解由通式Si(OR1)4(其中R1代表具有1－4个碳原子的直链或者支链烷基，当具有大于一个的R1时，R1要以是独立的并相互相同或不同)表示的硅烷化合物，然后在75℃或者更低温度加热该硅烷化合物而制备沸石溶胶。使用了含有这种沸石溶胶的多孔膜形成用组合物。
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公开(公告)号：CN113359390B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202110240480.9
申请日：2021-03-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及涂布型有机膜形成用组成物、图案形成方法、聚合物、以及聚合物的制造方法。本发明的课题是提供一种组成物，是可形成图案弯曲耐性高、干蚀刻耐性高的有机膜的涂布型有机膜形成用组成物，且溶剂溶解性优异，缺陷的发生率低。本发明提供一种涂布型有机膜形成用组成物，其特征为含有：以下列通式(1)表示的结构作为部分结构的聚合物；及有机溶剂。#imgabs0#式(1)中，环结构Ar1及Ar2表示亦可具有取代基的苯环或萘环，W1为亦可具有取代基的碳数6～30的芳基。
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公开(公告)号：CN111825596B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202010292123.2
申请日：2020-04-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D209/48 , C07D403/14 , C07D207/404 , C07C233/75 , C07C39/17 , C08F22/40 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/26 , G03F7/36 , H01L21/027
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公开(公告)号：CN108807140B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810366118.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗干燥方法，其可在不用特殊装置的情况下，抑制对清洗基板后的清洗液进行干燥时发生的图案倒塌或损坏及图案底部的树脂分解，能有效去除清洗液，其特征在于包括以下工序：(I)用清洗液清洗形成图案的半导体基板；(II)用包含含通式(1)所示的重复单元的树脂(A)及溶剂的组合物置换所述基板上残留的清洗液并以小于所述树脂(A)的分解温度的温度加热去除该已置换的组合物中的溶剂；(III)通过将所述半导体基板保持0℃以上且小于所述树脂(A)的分解温度的温度并同时对所述树脂(A)吹气温度为所述树脂(A)的分解温度以上的气体，从与所述气体接触的表面侧分解去除所述树脂(A)。#imgabs0#
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