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公开(公告)号：CN100511592C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710111996.3
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是在试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，包括以下3个阶段，第1阶段是在真空容器内的试样电极放置试样；第2阶段是通过一边将不含掺杂原料气体的气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在第1压力的同时向等离子体源供给高频功率而使上述真空容器内产生等离子体；第3阶段是在保持产生等离子体的状态下，一边将含有掺杂原料气体的气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在和第1压力不同的第2压力。
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公开(公告)号：CN100511591C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710111995.9
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是通过一边将气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，将高频功率供给上述等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将高频功率供给上述真空容器内的用于放置试样的电极，在上述放置试样的电极上放置的试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，供给上述等离子体发生装置或者上述试样电极的上述高频功率的行进波功率为Pf，反射波功率为Pr时，以1毫秒～100毫秒的间隔采集功率差Pf-Pr的值，在功率差Pf-Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率。
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公开(公告)号：CN101276748A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710127005.0
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂装置，具备真空容器、用于将气体输入上述真空容器内的供气装置、用于从上述真空容器内排出气体的排气装置、用于将上述真空容器内的压力控制在规定压力的调压阀、用于在上述真空容器内放置试样的试样电极、等离子体发生装置、装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路、以及通过上述等离子体发生装置用匹配电路将高频功率供给上述等离子体发生装置的高频电源。
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公开(公告)号：CN101156503A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200680011123.9
申请日：2006-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/00 , H01L21/302 , H01L21/205 , H05H1/46 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/321 , H01J37/32412
Abstract: 提出能够精确监控进入样品表面的离子电流的等离子体处理方法和系统。当从气体供应单元(2)引入预定字体时，通过涡轮高真空泵(3)通过出口(11)排除真空容器(1)，且通过压力调节阀(4)在真空容器(1)中保持预定压力级。通过从等离子体源的高频电源(5)向在介电窗(7)附近提供的线圈(8)供应高频功率，来生成感应耦合等离子体。提供用于向样品电极(6)供应高频功率的样品电极的高频电源(10)，且在样品电极的高频电源(10)和样品电极(6)之间提供样品电极的匹配电路(13)和高频传感器(14)。从而能够使用高频传感器(14)和算术单元(15)来精确地监控进入样品表面的离子电流。
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公开(公告)号：CN101090071A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710112000.0
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是在试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，包括以下3个阶段，第1阶段是在真空容器内的试样电极放置试样；第2阶段是通过一边将含有氦气以外的惰性气体的气体作为掺杂原料气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在第1压力的同时向等离子体源供给高频功率而使上述真空容器内产生等离子体；第3阶段是在保持产生等离子体的状态下，一边将含有氦气的气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在比上述第1压力低的第2压力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101090069A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710111996.3
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是在试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，包括以下3个阶段，第1阶段是在真空容器内的试样电极放置试样；第2阶段是通过一边将不含掺杂原料气体的气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在第1压力的同时向等离子体源供给高频功率而使上述真空容器内产生等离子体；第3阶段是在保持产生等离子体的状态下，一边将含有掺杂原料气体的气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在和第1压力不同的第2压力。
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公开(公告)号：CN1965392A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018635.3
申请日：2005-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/0276
Abstract: 一种方法包括通过等离子体掺入方法将杂质引入固态基体的步骤、从该固态基体形成起着降低光反射率的功能的抗光反射膜的步骤、以及通过光辐射执行退火的步骤。降低了退火时辐射光的反射率，有效地将能量引入杂质掺入层中，改善了激活效率，在防止扩散的同时降低杂质掺入层的薄层电阻。
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公开(公告)号：CN1965391A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018450.2
申请日：2005-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26513 , H01L21/26566 , H01L21/28035 , H01L29/7833
Abstract: 提供了一种具有均匀特征的并且能够以高成品率制造的半导体器件。为了消除由干法蚀刻引起的衬底表面内的差异，调整由作为后处理的掺杂和退火步骤引起的差异，最后提供在衬底表面内实现极佳均匀性的步骤。
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公开(公告)号：CN1934681A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009622.X
申请日：2005-03-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01L21/26513
Abstract: 本发明形成具有盒形杂质分布的杂质区。本发明提供一种杂质引入方法，包括引入所需杂质到固态基体的表面的步骤，及在该杂质引入步骤之后辐照等离子体到该固态基体的表面从而形成具有接近盒形的杂质分布的步骤。
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公开(公告)号：CN1284209C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN03104241.4
申请日：2003-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/3213 , C23F4/00
CPC classification number: H01J37/32082 , C23F4/00 , Y02E50/30
Abstract: 本发明公开一种等离子体处理方法及装置。一边向真空室内供给气体一边排气、使其控制在规定的压力，在与载置在所述真空室内的基片电极上的基片对向、设置在所述真空室内的天线上供给频率为30MHz～3GHz的高频电功率的同时，通过向所述天线供给与所述频率不同的频率100kHz～20MHz的高频电功率，使所述真空室内产生等离子体，处理形成在所述基片上的高熔点金属膜。
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