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公开(公告)号：CN100479101C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710111993.X
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂装置，具备真空容器，将气体输入上述真空容器内的供气装置，从上述真空容器内排出气体的排气装置，将上述真空容器内的压力控制在规定压力的调压阀，在上述真空容器内放置试样的试样电极，等离子体产生装置，将高频功率供给上述等离子体发生装置的高频电源，将高频功率供给上述试样电极的高频电源，供给上述等离子体发生装置或上述试样电极的高频功率的行进波功率为Pf、反射波功率为Pr时、以1毫秒～100毫秒的间隔采集功率差Pf-Pr的值的取样器，在上述功率差Pf-Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率的控制装置，以及装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路，通过该匹配电路控制等离子体发生工序和掺杂工序之间的压力条件。
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公开(公告)号：CN101356625A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200780001172.9
申请日：2007-10-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26513 , H01J37/32091 , H01J37/32412 , H01L21/2236
Abstract: 提供一种向试料表面导入的杂质浓度的再现性优良的等离子体掺杂方法以及装置。在真空容器(1)内，通过设于对置电极(3)的气体喷出孔(5)向载置在试料电极(6)上的基板(7)喷出气体，通过作为排气装置的涡轮分子泵(8)进行排气，利用调压阀(9)将真空容器(1)内保持为规定的压力，同时将对置电极(3)与试料电极(6)之间的距离相对于对置电极(3)的面积充分减小到等离子体不会向外扩散的程度，使对置电极(3)与试料电极(6)之间产生容量耦合型等离子体，进行等离子体掺杂。作为气体，使用含有乙硼烷或磷化氢等杂质的低浓度气体。
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公开(公告)号：CN101151715A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010338.9
申请日：2006-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027 , H01L21/22 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/31138 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J37/32963 , H01J2237/3342 , H01L21/2236 , H01L22/12
Abstract: 一种实现高产量的灰化设备和方法，其中抗蚀剂的表面硬化层和内部非硬化层之间的界面以及非硬化层和半导体基板之间的界面可以被探测，以及一种杂质掺入设备组。等离子体灰化形成在抗蚀剂上的表面硬化层和内部非硬化层的该灰化设备，该抗蚀剂作为掩模涂覆在半导体基板上并且掺有杂质，其特征在于包括偏振光椭圆计，用于在等离子体灰化时使线偏振光入射到半导体基板来探测该半导体基板反射的椭圆偏振光，来探测该硬化层和该非硬化层之间的界面以及该非硬化层和该半导体基板之间的界面。
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公开(公告)号：CN101151711A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010367.5
申请日：2006-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/32412 , H01L21/67115 , H01L22/20 , H01L22/26
Abstract: 等离子体掺杂方法和设备，通过其可以提供样品中引入的杂质的出色注入深度或非晶层的深度的出色的可重复性和可控性。在所述等离子体掺杂方法，在真空室中产生等离子体并且通过允许等离子体中的离子与样品的表面碰撞从而将晶体样品的表面改性为非晶态。该等离子体掺杂方法包括：在伪样品上进行等离子体照射从而与预定数量的样品一起进行非晶化处理，在采用所述等离子体照射的伪样品的表面上照射光，且测量伪样品表面的光学特性。控制样品处理条件，使得由测量步骤获得的光学特性具有希望的值。
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公开(公告)号：CN101151710A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010314.3
申请日：2006-03-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412
Abstract: 一种等离子体掺杂方法和装置，形成于样品表面上的非晶层具有出色的面内均匀性。一种等离子体掺杂方法，其在真空腔内产生等离子体，并使该等离子体内的杂质碰撞样品表面以将样品表面改性为非晶态，其中等离子体辐射时间被调整以改善面内均匀性。如果等离子体辐射时间太短，则等离子体内的变化转移到硅基板上非晶层的深度，从而使面内均匀性恶化。如果等离子体辐射时间太长，使用等离子体溅射硅基板表面的效应占优势，从而使面内均匀性恶化。优选地发现介于其间的合适的等离子体辐射时间以提供良好的面内均匀性并在该时间内执行等离子体掺杂。
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公开(公告)号：CN100364054C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN03127235.5
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32412
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，一边由供气装置将规定的气体输入真空容器内，一边用泵排气，将真空容器内保持在规定的压力的同时由高频电源向线圈施加高频功率。在真空容器内产生等离子体后，降低真空容器内的压力，对放置于试样电极上的基板进行低浓度的等离子体掺杂处理。此外，慢慢减小真空容器内的压力的同时慢慢增大高频功率，对放置于试样电极上的基板进行低浓度的等离子体掺杂处理。此外，高速采集向试样电极供给的高频功率的行进波功率Pf及反射波功率Pr，在功率差Pf-Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率。
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公开(公告)号：CN101093801A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710111993.X
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂装置，具备真空容器，将气体输入上述真空容器内的供气装置，从上述真空容器内排出气体的排气装置，将上述真空容器内的压力控制在规定压力的调压阀，在上述真空容器内放置试样的试样电极，等离子体产生装置，将高频功率供给上述等离子体发生装置的高频电源，将高频功率供给上述试样电极的高频电源，供给上述等离子体发生装置或上述试样电极的高频功率的行进波功率为Pf、反射波功率为Pr时、以1msec～100msec的间隔采集功率差Pf－Pr的值的取样器，在上述功率差Pf－Pr按时间积分的值达到预先设定的值的时间点停止供给高频功率的控制装置，以及装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路，通过该匹配电路控制等离子体发生工序和掺杂工序之间的压力条件。
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公开(公告)号：CN101076879A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200580042734.5
申请日：2005-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/265
Abstract: 目的是实现一种能够精确控制剂量来改善剂量的面内均匀性的等离子体掺杂方法。该等离子体掺杂方法基于这样的发现而且注意到结果，如果通过用B2H6等离子体照射硅基板且该硅基板被偏置，则对于一时间段硼的剂量基本固定，且比可以确保装置控制的重复性的时间，饱和时间更长且更稳定。当等离子体照射开始时，剂量最初增加，但是随后剂量继续为基本固定而与时间变化无关。另外，如果时间进一步增加，则剂量减少。如果剂量基本固定而与时间变化无关的该时间段被采用作为工艺窗，则可以精确控制剂量。
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公开(公告)号：CN1918484A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200580004556.7
申请日：2005-02-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01T1/29 , G01R33/035 , G21K5/00 , G21K5/04 , H01J37/04 , H01L21/027
CPC classification number: H05H1/0087 , G01R33/0356 , G01R33/0358 , H01J37/3171 , H01J2237/31703
Abstract: 提供了束测量装置，用于高精度地、非破坏性地测量束电流值，并用于测量束位置。该束测量装置有：磁屏蔽部件，用于外部磁场屏蔽；以及多个磁场传感器，被布置在由磁屏蔽部件生成的屏蔽空间中。磁场传感器有多个磁场收集机构，用来收集要测量的束电流所生成的磁场。磁场收集机构是管状结构，其表面由超导体构成，并且，在磁场收集机构的外围部分上提供仅其一部分由超导体形成的桥部件。通过磁传感器来测量要测量的束电流所生成的磁场。束测量装置有多个磁场传感器，以便检测束位置和束电流。
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