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公开(公告)号：CN101278238B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200680036076.3
申请日：2006-09-05
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/11 , G03F7/70341 , G03F7/70958
Abstract: 提供了一种浸没光刻系统，其包括可用于产生具有标称波长的光的光源和光学成像系统。该光学成像系统具有在从光源到待由其构图的物件的光路上的光学元件。所述光学元件具有适于接触液体的表面，该液体占据该表面和该物件之间的空间。该光学元件包括可由该液体降解的材料以及覆盖该表面上的可降解材料以保护该表面不受液体影响的保护涂层，该保护涂层对光透明、当暴露于光时稳定且当暴露于液体时稳定。
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公开(公告)号：CN100580971C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200580003688.8
申请日：2005-01-13
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 古川俊治 , 马克·C·哈凯 , 史蒂文·J·霍姆斯 , 戴维·V·霍拉克 , 查尔斯·W·科伯格第三
CPC classification number: H01L51/057 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , Y10S977/70 , Y10S977/734 , Y10S977/742
Abstract: 本发明涉及包括至少一个纳米管的垂直器件结构以及用于通过化学气相沉积制造这样的器件结构的方法。每个纳米管通过利用催化剂垫催化的化学气相沉积生长并被包在电介质材料的涂层内。垂直场效应晶体管可以通过在被包住的纳米管周围形成栅极电极使得被包住的纳米管穿过所述栅极电极的厚度垂直延伸而形成。可以形成电容器，其中被包住的纳米管和支承所述被包住的纳米管的相应催化剂垫形成一个电容器板。
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公开(公告)号：CN100570884C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200610001285.6
申请日：2006-01-12
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 阿希马·B·查克拉瓦蒂 , 安东尼·艾·乔 , 古川俊治 , 史蒂文·J·霍姆斯 , 韦斯利·C·纳特兹莱
IPC: H01L29/00 , H01L21/205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7833 , H01L21/02532 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/10126 , H01L2224/13023 , H01L2924/1305 , H01L2924/00
Abstract: 一种在半导体制造工艺中选择性地形成锗结构的方法，以化学氧化物去除(COR)工艺从氮化物表面去除自然氧化物，然后将加热的氮化物和氧化物表面暴露到加热的含锗的气体中，以选择性地只在氮化物表面上而不在氧化物表面上形成锗。
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公开(公告)号：CN100570493C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200610143933.1
申请日：2006-11-03
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 戴维·V.·霍拉克 , 查尔斯·W.克伯格三世 , 古川俊治 , 马克·C.·哈克 , 斯蒂芬·J.·霍姆斯
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L27/1052 , Y10S438/95
Abstract: 一种结构制造方法。该方法包括提供设计结构，其包括(i)设计衬底，(ii)设计衬底上的M个设计正常区，其中M是大于1的正整数。接下来，在M个设计正常区的两个相邻设计正常区之间加上N个设计牺牲区，其中N是正整数。接下来，提供实际结构，其包括(i)对应于设计衬底的实际衬底，(ii)实际衬底上的待刻蚀层；(iii)待刻蚀层上的存储层。接下来，在存储层上执行边缘印刷工艺，以便形成(a)跟M个设计正常区对齐的M个正常存储部分，以及(b)跟N个设计牺牲区对齐的N个牺牲存储部分。
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公开(公告)号：CN100466267C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200610105601.4
申请日：2006-07-10
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/762
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/76254 , H01L21/84 , H01L27/1203
Abstract: 本发明提供了一种用于制造混合衬底的外延压印工艺，所述混合衬底包括底部半导体层；存在于所述底部半导体层顶部上的连续埋入绝缘层；以及存在于所述连续埋入绝缘层上的顶部半导体层，其中所述顶部半导体层包括具有不同晶体取向的分开的平面半导体区域，所述分开的平面半导体区域彼此隔离。本发明的外延压印工艺利用了外延生长、晶片结合和再结晶退火。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100461420C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510070213.2
申请日：2005-05-11
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/105 , H01L21/8242 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L27/108 , H01L27/10826 , H01L27/10879 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 公开了用于存储电路的存储增益单元以及该存储增益单元和存储电路的制造方法，所述存储电路由多个存储增益单元形成。所述存储增益单元包括能够保持存储电荷的存储电容、平面写器件和读器件。读器件包括半导体材料的鳍，在所述鳍的相对侧面且电隔离的第一和第二栅电极，以及形成在与所述第一和第二栅电极相邻的所述鳍的相对端部中的源极和漏极。所述第一栅电极与所述存储电容电耦合。所述第一和第二栅电极是可操作的，用于栅控限定在所述源极和所述漏极之间的所述鳍的区域，由此调节从所述源极流向所述漏极的电流。当被栅控时，所述电流的量依赖于所述存储电容存储的所述电荷。
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公开(公告)号：CN100444026C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510079653.4
申请日：2005-06-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/707 , G03F7/70341 , G03F7/70808
Abstract: 提供一种用于保持晶片的设备和一种用于湿浸式光刻的方法。该设备包括晶片夹具，该夹具具有中心圆形真空压盘、外部区域和在真空压盘中心上的圆形凹槽，真空压盘的顶表面凹进在外部区域的顶表面之下，凹槽的底表面凹进在真空压盘的顶表面之下；在凹槽的底表面中的一个或多个吸入口；和位于凹槽内的中空环形可膨胀和收缩的囊状物，当囊状物处于膨胀状态时，在晶片处于真空压盘上时，囊状物的外表面与晶片的整个边缘直接物理接触。
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公开(公告)号：CN101313206A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200680043688.5
申请日：2006-11-23
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种Y－形碳纳米管原子力显微镜探针针头和方法，包括杆部；从该杆部的同一端延伸的一对成角度的臂，其中该杆部和一对成角度的臂包括化学修饰的碳纳米管，并且其中该化学修饰的碳纳米管是利用胺、羧基、氟和金属成分的任一个修饰的。优选地，每对成角度的臂包括至少200nm的长度和10到200nm之间的直径。此外，化学修饰的碳纳米管优选地适应于待探测衬底材料之间的区别。另外，化学修饰的碳纳米管优选地适合于允许氟气体流经化学修饰的碳纳米管到待特征化的衬底上。此外，化学修饰的碳纳米管优选地适合于与待特征化的衬底表面进行化学反应。
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公开(公告)号：CN101257044A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810081207.0
申请日：2008-02-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/73 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/732 , H01L29/66068 , H01L29/66242 , H01L29/66272 , H01L29/66318 , H01L29/7371
Abstract: 本发明涉及一种使用选择性介质淀积的双极晶体管结构及其相关的制造方法。使用在半导体衬底上的屏蔽介质层上的离子注入掩模将外部基极区域注入到半导体衬底，在所述注入之后，选择性地淀积垂直间隔物层。所述离子注入掩模的一部分嵌入到所述垂直间隔物层内的孔的侧壁内并对准所述孔的侧壁。在制造所述双极晶体管时，所述垂直间隔物层的所述选择性淀积减小了热预算并降低了工艺复杂度。
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公开(公告)号：CN101256939A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810080839.5
申请日：2008-02-21
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： C·W·科布格尔三世 , 古川俊治 , D·V·霍拉克 , M·C·哈基 , J·G·高迪亚罗
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/82
CPC classification number: H01L21/32139 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/28123
Abstract: 本发明涉及一种结构和集成电路制造方法。一种用于同时形成多个线宽的方法，其中所述多个线宽中的一个小于采用常规光刻方法可得到的线宽。所述方法包括提供一种结构，所述结构包括记忆层和在所述记忆层的顶上的侧壁图像转移(SIT)层。然后，构图所述SIT层，产生SIT区域。然后，在所述记忆层的定向蚀刻期间使用所述SIT区域作为阻挡掩模产生第一记忆区域。然后，沿参考方向以缩进距离D缩进所述SIT区域的侧壁，产生SIT部分。所述构图包括光刻方法。所述缩进距离D小于与所述光刻方法有关的临界尺寸CD。所述SIT区域包括沿所述参考方向的第一尺寸W2和第二尺寸W3，其中CD＜W2＜2D＜W3。
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