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公开(公告)号：CN111584628A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010469012.4
申请日：2020-05-28
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/20
Abstract: 本发明提供一种增强型GaN HEMT器件及制备方法，该器件包括：依次层叠的半导体衬底层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlxGa1-xN势垒层及AlyGa1-yN势垒补充层；形成于AlxGa1-xN势垒层上的栅电极，形成于AlyGa1-yN势垒补充层上且分居于栅电极的两端的源电极及漏电极；栅电极包括形成于AlxGa1-xN势垒层上的p-GaN栅电极、包覆p-GaN栅电极的高k介质层及环绕高k介质层上表面及两个侧面的金属栅电极，其中，0.2
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公开(公告)号：CN111508857A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010171369.4
申请日：2020-03-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种扇出型芯片互联的制作方法，包括：在扇出型芯片的表面涂覆光刻胶或者钝化层，然后将覆盖在扇出型芯片的PAD区域上的光刻胶或者钝化层打开，露出扇出型芯片的PAD；在扇出型芯片的表面制作绝缘层，之后在绝缘层上方制作种子层，然后涂布电镀光刻胶，电镀金属做RDL，之后去除光刻胶，然后去除种子层；RDL的另一端与内部焊盘连接，内部焊盘上重新制作外部焊盘。本发明重新制作外部焊盘的尺寸增大，焊盘之间距离增大，本发明通过对芯片PAD进行重新定义面积和位置，能大大减小嵌入式扇出芯片PAD和晶圆级RDL互联的难度，减少断路和短路问题，增加了此类工艺的可靠性。
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公开(公告)号：CN109617560B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201811346591.2
申请日：2018-11-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种IQ信号校准补偿方法，包括：将校准测试信号输入到IQ信号校准预失真模块，通过补偿计算输出补偿测试信号；将补偿测试信号输入给IQ信号校准参数估计模块，计算出不平衡参数的残余量估计并输出给IQ信号校准参数迭代模块；IQ信号校准参数迭代模块计算迭代；更新迭代后的不平衡参数进行补偿，完成一次闭环校准；如果达到最大迭代次数，结束迭代，完成补偿。本发明采用了闭环迭代，利用迭代近似的方法避免了开方、求反三角函数等复杂计算，简化了盲校准的运算复杂度，减小了数字电路的逻辑复杂度，在相同的电路面积下，可以增加测试信号的计算点数，提高补偿精度，同时闭环系统增加了在干扰条件下的稳定性。
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公开(公告)号：CN110655111A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201911065724.3
申请日：2019-11-04
Applicant: 浙江大学
IPC: C01G39/06 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/02
Abstract: 本发明公开了一种采用MOCVD设备制备硫化钼二维材料的方法，在Sapphire衬底上多步生长MoS2二维材料，包括：采用Sapphire作为衬底；将Sapphire衬底传送至MOCVD设备内；MOCVD腔内通入N2气体；升温到达恒温生长温度，腔内初始压强为90Torr；通入H2S作为硫气源；通入MO(CO)6作为钼气源，形核；分步降低腔内压强，促使形核晶粒横向生长，得到生长在Sapphire衬底上的MoS2二维材料。本发明提供的制备方法具有生长工艺简单、材料厚度可控、质量高等优点。通过本发明提供的制备方法，生长出禁带宽度可调，可用于柔性芯片应用的MoS2二维材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110601705A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910711918.X
申请日：2019-08-02
Applicant: 浙江大学
IPC: H04B1/16 , H04B7/0408 , H05K1/02 , G01S7/285
Abstract: 本发明公开了一种相控阵多波束射频接收组件，包括：接收射频信号的第一射频同轴连接器；将射频信号放大的射频板；将放大后的射频信号并合成波束的射频多层混压板；接收射频多层混压板输出的波束的第二射频同轴连接器。本发明具有在高集成度板材同时接收多个波束进行合成处理的特点，多个波束间射频走线的交叉引入同轴微带线垂直互联结构，在射频板内层分层传输，保证了多波束可同时接收处理，且保证接收波束微波性能良好且互不干扰影响。该结构对相控阵TR组件的高度集成化和组件多波束实现具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN110380709A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910630251.0
申请日：2019-07-12
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种具有负电上电时序保护功能的高速栅极脉冲调制电路及射频功率放大器，该电路包括：电压转换电路、脉冲开关电路、电压比较电路、漏极供电电路；电压转换电路的输出端与脉冲开关电路的输入端连接，脉冲开关电路的输出端与电压比较电路的输入端连接，电压比较电路的输出端与漏极供电电路的输入端连接。在通信系统中射频功率放大器是不可或缺的关键部件，尤其是在雷达领域，对其的控制与上电保护是应用射频功率放大器的关键。本发明在负电上电之前或者负电过高的情况下，漏极始终保持断开，避免了氮化镓晶体管烧坏的风险，可靠性高，并且实现了高速脉冲调制，具有频率高、占空比小的优点，进一步提升了调制的精度与速率。
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公开(公告)号：CN104867926B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510233976.8
申请日：2015-05-11
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/085 , H01L23/34
Abstract: 本发明公开了一种基于PHEMT的放大器芯片及其热沉的热仿真等效模型。该模型包括放大器芯片的等效模型及其热沉的等效模型。放大器芯片的等效模型包括等效的PHEMT管芯、等效版图、芯片基板、金属过孔、背金。热沉的等效模型包括金锡焊料、垫盘纯铜、底板氧化钡。其中等效PHEMT管芯主要根据每个晶体管的结构与热分布特性将其等效为与晶体管的栅极尺寸相同的T型栅、T型栅下方的热源以及与整级的栅指尺寸相同的金块。本发明实现了在整个通用热分析软件中准确模拟基于PHEMT的放大器芯片的管芯热特性，可以为整个芯片的电路设计和热设计提供快捷有效的参考数据。
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公开(公告)号：CN104778307B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510108171.0
申请日：2015-03-12
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于GaAs PHEMT MMIC热仿真等效模型。该等效模型包括等效的PHEMT管芯、等效版图、GaAs基板、金属过孔、背金。其中等效的PHEMT管芯主要根据每个晶体管的结构与热分布特性将其等效为与晶体管具有相同尺寸的栅极、源极、漏极、栅极正下方的一块热源以及相连的左右金属块。本发明实现了在通用软件中准确模拟GaAs PHEMT管芯热特性的功能，可广泛运用于放大器芯片的热仿真中，为整个芯片的电路设计和热设计提供有效快捷的方法。
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公开(公告)号：CN105226354A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510598796.X
申请日：2015-09-21
Applicant: 浙江大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明公开了一种三模耦合的强高频侧阻带抑制微带带通滤波器及耦合方法。此滤波器包括基板以及基板上的微带线结构，所述的微带线结构包括L形弯折的左微带馈线和右微带馈线，双模微带谐振结构，单模微带谐振结构；左微带馈线和右微带馈线左右对称；所述的双模微带谐振结构和单模微带谐振结构分别位于左右微带馈线的上方和下方；位于上方的双模微带谐振结构包括半波长的U形微带线结构和开路短枝节；位于下方的单模微带谐振结构包括H形阻抗变换微带结构和S形的微带线结构。本发明具有滤波器体积小，带内平坦度高，高频侧阻带抑制强，频率选择性强等优点，适用于射频收发系统的收发通道间的隔离。
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