公开(公告)号：CN1734247B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200510064396.7

申请日：2005-04-15

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 柴田真佐知

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

Abstract: 本发明提供了具有给定厚度的位错密度低且位错密度分布实质上均匀的表面层的III-V族氮化物系半导体衬底、及其制造方法，以及使用这种衬底外延生长有III-V族氮化物系半导体层的III-V族氮化物系半导体。该半导体衬底制造方法是使III-V族氮化物系半导体晶体边在晶体生长界面产生凹凸边生长(工序I)，进行晶体生长以掩埋凹凸来使生长界面平坦化(工序II)，通过积累位错以减少全体的位错密度，进一步在平坦化的状态进行晶体生长，使位错在晶体中均匀分散的同时，形成自衬底上表面至少大于等于10μm的位错密度分布实质上均匀的层(工序III)。

公开(公告)号：CN1988113B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200610168592.3

申请日：2006-12-21

Applicant: 弗赖贝格化合物原料有限公司

Inventor： 弗兰克·哈贝尔 ,  费迪纳德·斯科尔兹 ,  巴巴拉·纽伯特 ,  彼得·布鲁克纳 ,  托马斯·温德勒

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L23/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L21/0265 ,  C30B25/04 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

Abstract: 一种用于在III-N层上形成掩模材料的方法，其中，III表示从Al、Ga和In中选择的元素周期表的III族的至少一种元素，其中，提供具有表面的III-N层，所述III-N层包括多于一个刻面。掩模材料被选择性只沉积在一个或多个但不是所有的刻面上。在生长条件下在III-N层的外延生长期间特别进行掩模材料的沉积，通过外延生长(i)在第一类型或第一组刻面上选择性地生长至少一个进一步的III-N层和(ii)同时在第二类型或第二组刻面上选择性沉积掩模材料。通过根据本发明的方法，可以产生独立的厚的III-N层。此外，可以产生具有特定结构或层的半导体器件或元件。

公开(公告)号：CN1996626B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200610081818.6

申请日：2006-05-12

Applicant: 三星康宁精密素材株式会社

Inventor： 朴性秀

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16

Abstract: 提供了一种高功率和长寿命的氮化物基发光器件及其制造方法。该氮化物基发光器件包括：形成于单晶晶片上的n覆层；通过在HCl和NH3的混合气体气氛下从顶表面处理该n覆层至预定深度而形成的多孔层；以及依次形成于所述多孔层上的有源层和p覆层。

公开(公告)号：CN101636833B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200880006632.1

申请日：2008-04-15

Applicant: 硅绝缘体技术有限公司

Inventor： 伊夫-马蒂尼·拉瓦伊兰特

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2007

Abstract: 一种制造外延层(3)的方法，所述方法包括：结构(10)的制造步骤和分离步骤(S5)，所述制造步骤包括：在施体衬底(1)上形成中间层(2)；和在中间层(2)上通过外延附生形成外延层(3)(S2)；中间层(2)的熔化温度比外延层(3)的熔化温度低；所述分离步骤通过应用至少一次热处理将外延层(3)与施体衬底(1)分离，所述热处理是在介于中间层(2)的熔化温度与外延层(3)的熔化温度之间的温度下进行的。

公开(公告)号：CN101622689B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200880005514.9

申请日：2008-02-19

Applicant: 朗讯科技公司

Inventor： 罗伯特·尤金·弗拉姆 ,  霍克·额 ,  布里杰什·维亚斯

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/40 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/60 ,  C30B23/02 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L27/156 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明公开一种宽带隙半导体器件。器件(100)包括其上具有晶体支撑结构(110)的基底(115)和III-V族晶体(210)。III-V族晶体位于所述晶体支撑结构中之一的单个接触区域(140)上。所述接触区域的面积不大于所述III-V族晶体的表面积(320)的约百分之五十。

公开(公告)号：CN1649181B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200510004816.2

申请日：2005-01-27

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 铃木贵征

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02642 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供用于制备以低驱动电压获得高发光输出的发光元件的氮化物半导体自立基板。其是{20-24}衍射面及{11-24}衍射面的至少一者的X射线衍射半幅值为小于等于500秒、直径为大于等于10mm的氮化物半导体自立基板，其形成步骤为：(1)在底层基板上形成具有10n个/cm2(0＜n≤10)位错密度的第一氮化物半导体层，(2)在第一氮化物半导体层上形成由氮化物半导体以外的材料构成的掩模层，(3)在掩模层以小于等于10n-2个/cm2的密度开出具有小于等于10-ncm2的开口面积的贯通膜厚方向的开口部，(4)在掩模层上形成厚度大于等于50μm的第二氮化物半导体层后，(5)去除底层基板至掩模层。

公开(公告)号：CN102024898A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010530522.4

申请日：2010-11-03

Applicant: 西安神光安瑞光电科技有限公司

Inventor： 牛崇实 ,  张翼德

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/12 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：蓝宝石衬底；依次位于所述蓝宝石衬底上方的外延层、有源层和帽层；其中，所述蓝宝石衬底在靠近外延层的表面上具有多个双焦距微透镜结构。所述双焦距微透镜结构可以增加蓝宝石衬底对光的反射，提高发光二极管的外量子效率，从而提高发光二极管的光利用率；并且，由于形成了多个双焦距微透镜结构，可提高蓝宝石衬底与其它膜层的晶格匹配度，减小形成于蓝宝石衬底上的膜层的晶体缺陷，提高发光二极管的内量子效率。

公开(公告)号：CN102005523A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010271331.0

申请日：2010-09-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/24 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/325

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件及其制造方法及半导体层的制造方法。氮化物半导体层通过在氮化硅层上堆叠具有相对于氮化硅层的表面倾斜的表面的第一氮化物半导体层，然后在第一氮化物半导体层上堆叠第二氮化物半导体层来制造，氮化物半导体元件和氮化物半导体发光元件的每个都包括氮化物半导体层。

公开(公告)号：CN101999178A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200880128477.0

申请日：2008-10-14

Applicant: 艾普拉斯泰克株式会社

Inventor： 崔然祚

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体发光器件，其包括基板、定位在基板上的包括第一导电层、活性层和第二导电层的氮化物半导体层，在第一导电层上形成的第一电极、在第二导电层上形成的第二电极，其中，在与所述第一导电层接触的所述基板的表面上形成图案，所述图案具有按预定间隔形成的一个以上的突出部以及从所述突出部的上表面下陷预定深度而获得的下陷部。本发明还提供制造氮化物半导体发光器件的方法。当使用具有包括突出部和下陷部的图案的基板时，能够获得更高的光提取效率。

公开(公告)号：CN101990698A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200980112445.6

申请日：2009-04-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  上野昌纪 ,  中西文毅

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L21/0242 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

Abstract: 发光二极管(21a)的支撑基体(23)的主面(23a)相对于c面以大于10度且小于80度的倾斜角倾斜。半导体积层(25a)包含具有400nm以上且550nm以下的波长范围内的发光峰值的有源层(27)。GaN支撑基体的(0001)面(图5中所示的参照面(SR3))与缓冲层(33a)的(0001)面的倾斜角A为0.05度以上且2度以下。另外，GaN支撑基体的(0001)面(图5中所示的参照面(SR4))与阱层(37a)的(0001)面的倾斜角B为0.05度以上且2度以下。倾斜角A及倾斜角B相对于GaN支撑基体的c面彼此朝相反方向倾斜。