公开(公告)号：CN110277127A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910066103.0

申请日：2019-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 方真培 ,  宋承桓 ,  边大锡 ,  朴一汉 ,  尹铉竣 ,  李汉埈 ,  崔那荣

IPC: G11C16/26

Abstract: 一种非易失性存储器件可以包括：包括多个锁存器集的页缓冲器，多个锁存器集根据读取信号集中的每一个读取信号集对多个存储单元中所选择的存储单元的每个页数据进行锁存，其中每一个读取信号集包括至少一个读取信号；以及控制逻辑器件，被配置为检测存储单元的劣化水平并且基于检测到的劣化水平确定应用于读取信号集中的至少一个读取信号集的读取参数。

公开(公告)号：CN108573722B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN201810170463.0

申请日：2018-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔那荣 ,  朴一汉 ,  宋承桓

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/22 ,  G11C29/42 ,  G06F11/10

Abstract: 一种操作包括存储单元阵列的非易失性存储器件的方法，其中所述存储单元阵列包括多个页，并且所述多个页中的每个页包括多个非易失性存储单元，使用第一默认读取电压和第一偏移读取电压来执行第一采样读取操作，以对从所述多个页中选择的第一页的第一区域中的存储单元的第一数量进行计数；以及基于所述第一数量和第一参考值的比较结果，使用第一默认读取电压和第二偏移读取电压选择性地执行第二采样读取操作，以对所述第一页的第二区域中的存储单元的第二数量进行计数。所述第二偏移读取电压不同于所述第一偏移读取电压。

公开(公告)号：CN109712664A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201811152590.4

申请日：2018-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在润 ,  权俊秀 ,  金炳秀 ,  金水龙 ,  朴商秀 ,  朴一汉 ,  李康斌 ,  李宗勋 ,  崔那荣

IPC: G11C29/12 ,  G11C29/30 ,  G11C29/00 ,  G11C16/12

Abstract: 提供了一种包括用于检测字线缺陷的电路的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，其包括设置在衬底上的第一存储单元和位于第一存储单元上方的第二存储单元；连接到第一存储单元的第一字线和连接到第二存储单元的第二字线，第二字线设置在第一字线上方；以及字线缺陷检测电路，其被配置为在将第一电压施加到第一字线时监测泵激时钟信号的脉冲的数目以检测第一字线的缺陷。电压发生器被配置为当泵激时钟信号的脉冲的数目小于基准值时，将与第一电压不同的第二电压施加到第二字线以对第二存储单元进行编程。

公开(公告)号：CN109712664B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN201811152590.4

申请日：2018-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在润 ,  权俊秀 ,  金炳秀 ,  金水龙 ,  朴商秀 ,  朴一汉 ,  李康斌 ,  李宗勋 ,  崔那荣

IPC: G11C29/12 ,  G11C29/30 ,  G11C29/00 ,  G11C16/12

Abstract: 提供了一种包括用于检测字线缺陷的电路的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，其包括设置在衬底上的第一存储单元和位于第一存储单元上方的第二存储单元；连接到第一存储单元的第一字线和连接到第二存储单元的第二字线，第二字线设置在第一字线上方；以及字线缺陷检测电路，其被配置为在将第一电压施加到第一字线时监测泵激时钟信号的脉冲的数目以检测第一字线的缺陷。电压发生器被配置为当泵激时钟信号的脉冲的数目小于基准值时，将与第一电压不同的第二电压施加到第二字线以对第二存储单元进行编程。

公开(公告)号：CN110277127B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN201910066103.0

申请日：2019-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 方真培 ,  宋承桓 ,  边大锡 ,  朴一汉 ,  尹铉竣 ,  李汉埈 ,  崔那荣

IPC: G11C16/26

Abstract: 一种非易失性存储器件可以包括：包括多个锁存器集的页缓冲器，多个锁存器集根据读取信号集中的每一个读取信号集对多个存储单元中所选择的存储单元的每个页数据进行锁存，其中每一个读取信号集包括至少一个读取信号；以及控制逻辑器件，被配置为检测存储单元的劣化水平并且基于检测到的劣化水平确定应用于读取信号集中的至少一个读取信号集的读取参数。

公开(公告)号：CN108305660B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN201711274002.X

申请日：2017-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹铉竣 ,  朴一汉 ,  崔那荣 ,  宋承桓

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/34

Abstract: 提供了一种用于以最佳读取电压读取数据的非易失性存储器设备的读取方法。读取方法包括：通过将连接到第一字线的第一组存储器单元的数据划分为M页并从M页单独地读取数据，读取第一组存储器单元的数据。读取数据包括：当读取M页中的每个页时，通过对第一组存储器单元的两个相邻阈值电压分布的第一谷执行片上谷搜索(OVS)操作；以及基于OVS操作的结果，经由对与第一字线相邻的第二字线的读取操作执行数据恢复读取操作。在数据恢复读取操作中，不执行对第一字线的读取操作。

公开(公告)号：CN108573722A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810170463.0

申请日：2018-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔那荣 ,  朴一汉 ,  宋承桓

IPC: G11C7/10 ,  G11C7/22 ,  G11C29/42 ,  G06F11/10

CPC classification number: G11C16/3431 ,  G06F11/1068 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C16/28 ,  G11C16/3427 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/42 ,  G11C29/52 ,  G11C2211/5642 ,  G11C7/1057 ,  G06F11/1048 ,  G11C7/106 ,  G11C7/22

Abstract: 一种操作包括存储单元阵列的非易失性存储器件的方法，其中所述存储单元阵列包括多个页，并且所述多个页中的每个页包括多个非易失性存储单元，使用第一默认读取电压和第一偏移读取电压来执行第一采样读取操作，以对从所述多个页中选择的第一页的第一区域中的存储单元的第一数量进行计数；以及基于所述第一数量和第一参考值的比较结果，使用第一默认读取电压和第二偏移读取电压选择性地执行第二采样读取操作，以对所述第一页的第二区域中的存储单元的第二数量进行计数。所述第二偏移读取电压不同于所述第一偏移读取电压。

公开(公告)号：CN108305660A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201711274002.X

申请日：2017-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹铉竣 ,  朴一汉 ,  崔那荣 ,  宋承桓

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/28 ,  G11C16/0458 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C16/3404

Abstract: 提供了一种用于以最佳读取电压读取数据的非易失性存储器设备的读取方法。读取方法包括：通过将连接到第一字线的第一组存储器单元的数据划分为M页并从M页单独地读取数据，读取第一组存储器单元的数据。读取数据包括：当读取M页中的每个页时，通过对第一组存储器单元的两个相邻阈值电压分布的第一谷执行片上谷搜索(OVS)操作；以及基于OVS操作的结果，经由对与第一字线相邻的第二字线的读取操作执行数据恢复读取操作。在数据恢复读取操作中，不执行对第一字线的读取操作。