公开(公告)号：CN103528163A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310277236.5

申请日：2013-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙吉秀 ,  河钟权 ,  韩光植 ,  金永进 ,  徐范锡 ,  安秉玉 ,  全弘锡

IPC: F24F11/00

CPC classification number: G01M99/005 ,  F24F11/30 ,  F24F11/32 ,  F24F11/52 ,  F24F2110/00

Abstract: 提供一种空调的诊断控制方法，以明确向空调的用户通知安装故障。所述诊断控制方法包括：接收用于空调诊断的测试运行命令或自诊断命令；执行第一测试运行，以诊断空调的装配状态；执行第二测试运行，以诊断空调的管道连接和空调中制冷剂的量；执行确定，所述确定包括基于第一测试运行和第二测试运行的操作结果诊断空调的状态以及通过设置在空调的室内单元中的显示装置显示诊断结果。

公开(公告)号：CN100530698C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510092117.8

申请日：2005-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴星昊 ,  徐范锡

IPC: H01L29/92 ,  H01L27/00 ,  H01L27/108 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/329 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明公开了一种具有可以减小漏电流的介电层的电容器和制造该电容器的方法。在包括下电极、形成于下电极上的介电层和形成于介电层上的上电极的电容器中，通过使用由过渡金属和镧系材料的复合氧化物形成的介电层可以显著减小电容器的漏电流。

公开(公告)号：CN1531032A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410028392.9

申请日：2004-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  徐范锡 ,  闵约赛 ,  曹永真

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645

Abstract: 本发明提供一种高介电常数氧化物膜的制造法、含该膜的电容器及制造法。制造高k介电氧化物膜的步骤是：(a)将半导体衬底装载到ALD装置中；(b)在半导体衬底上沉积具有第一元素和第二元素的预定成分比的反应材料；和(c)通过氧化反应材料使得第一元素和第二元素同时氧化，在半导体衬底上形成具有所述两种元素的第一高k介电氧化物膜。在该方法中，减小了装置的尺寸，提高了产量，且降低了制造成本。而且该高k介电氧化物膜表现出高介电常数和低泄漏电流和陷阱密度。于是，包括作为介电膜的该高k介电氧化物膜的电容器也表现出低泄漏电流和陷阱密度。

公开(公告)号：CN107887364A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710858966.2

申请日：2017-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申树浩 ,  李周益 ,  李俊镐 ,  李基硕 ,  金光敏 ,  文一荣 ,  朴济民 ,  徐范锡 ,  尹灿植 ,  李昊仁

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/10897 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L21/76802

Abstract: 提供一种具有对准键的半导体装置及其制造方法。对准键在基底上，该对准键包括：第一子对准键图案，具有顺序地堆叠在基底上的第一导电图案、第二导电图案和覆盖介电图案；对准键沟槽，穿过第一子对准键图案的至少一部分；以及下导电图案，在对准键沟槽中。对准键沟槽包括：上沟槽，设置在覆盖介电图案中且具有第一宽度；以及下沟槽，从上沟槽向下延伸且具有比第一宽度小的第二宽度。下导电图案包括分别设置在下沟槽的相对侧壁上的侧壁导电图案。

公开(公告)号：CN103528163B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201310277236.5

申请日：2013-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙吉秀 ,  河钟权 ,  韩光植 ,  金永进 ,  徐范锡 ,  安秉玉 ,  全弘锡

IPC: F24F11/00

CPC classification number: G01M99/005 ,  F24F11/30 ,  F24F11/32 ,  F24F11/52 ,  F24F2110/00

Abstract: 提供一种空调的诊断控制方法，以明确向空调的用户通知安装故障。所述诊断控制方法包括：接收用于空调诊断的测试运行命令或自诊断命令；执行第一测试运行，以诊断空调的装配状态；执行第二测试运行，以诊断空调的管道连接和空调中制冷剂的量；执行确定，所述确定包括基于第一测试运行和第二测试运行的操作结果诊断空调的状态以及通过设置在空调的室内单元中的显示装置显示诊断结果。

公开(公告)号：CN100437932C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410028392.9

申请日：2004-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  徐范锡 ,  闵约赛 ,  曹永真

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645

Abstract: 本发明提供一种高介电常数氧化物膜的制造法、含该膜的电容器及制造法。制造高k介电氧化物膜的步骤是：(a)将半导体衬底装载到ALD装置中；(b)在半导体衬底上沉积具有第一元素和第二元素的预定成分比的反应材料；和(c)通过氧化反应材料使得第一元素和第二元素同时氧化，在半导体衬底上形成具有所述两种元素的第一高k介电氧化物膜。在该方法中，减小了装置的尺寸，提高了产量，且降低了制造成本。而且该高k介电氧化物膜表现出高介电常数和低泄漏电流和陷阱密度。于是，包括作为介电膜的该高k介电氧化物膜的电容器也表现出低泄漏电流和陷阱密度。

公开(公告)号：CN107887364B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201710858966.2

申请日：2017-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申树浩 ,  李周益 ,  李俊镐 ,  李基硕 ,  金光敏 ,  文一荣 ,  朴济民 ,  徐范锡 ,  尹灿植 ,  李昊仁

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/768

Abstract: 提供一种具有对准键的半导体装置及其制造方法。对准键在基底上，该对准键包括：第一子对准键图案，具有顺序地堆叠在基底上的第一导电图案、第二导电图案和覆盖介电图案；对准键沟槽，穿过第一子对准键图案的至少一部分；以及下导电图案，在对准键沟槽中。对准键沟槽包括：上沟槽，设置在覆盖介电图案中且具有第一宽度；以及下沟槽，从上沟槽向下延伸且具有比第一宽度小的第二宽度。下导电图案包括分别设置在下沟槽的相对侧壁上的侧壁导电图案。

公开(公告)号：CN1990909A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610121476.6

申请日：2006-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星昊 ,  李明宰 ,  具俊谟 ,  徐范锡

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/26 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  D01F9/127 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00 ,  Y10T428/2918

Abstract: 本发明提供一种在低于450℃的低温下利用有机－金属蒸发法形成碳纤维的方法。该形成碳纤维的方法包括：在将基底装入反应室中之后，加热该基底并将基底保持在200～450℃的温度下；制备含Ni的有机金属化合物；通过蒸发该有机金属化合物，形成有机金属化合物蒸汽；及通过促进所述反应室中有机金属化合物蒸汽与含臭氧的反应气体之间的化学反应，在基底上形成碳纤维。

公开(公告)号：CN1935819A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610107498.7

申请日：2006-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  徐范锡

IPC: C07F15/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/448

CPC classification number: C07F15/0053

Abstract: 本发明提供一种能够容易分解而不与氧化剂反应的有机－金属前体材料，及利用该有机－金属前体材料制备金属薄膜的方法。所述有机－金属前体材料为具有孤对电子的有机分子，并具有配位共价键的结构，所述具有孤对电子的有机分子选自醚、胺、四氢呋喃(THF)、膦和亚磷酸酯。

公开(公告)号：CN1909194A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610105892.7

申请日：2006-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具俊谟 ,  徐范锡 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  申尚旻 ,  金锡必

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供了能够增加贵金属层在铁电层上的沉积速率的制造材料层的方法、使用该材料层的铁电电容器的制造方法、通过该方法制造的铁电电容器、以及具有该铁电电容器的半导体存储器及其制造方法。根据制造材料层的方法，形成了铁电电容器。之后，将铁电层暴露于籽等离子体，包括籽等离子体的源材料的材料层形成在铁电层暴露于籽等离子体的区域上。