公开(公告)号：CN103996753A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410051132.7

申请日：2014-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩尚宪 ,  金南星 ,  金东俊 ,  司空坦 ,  申东益 ,  李焘英 ,  李庭旭

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L33/007 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/54 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67326 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体发光器件的方法以及化学气相沉积设备，该方法包括步骤：在衬底上顺序地生长第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，以形成发光层。形成发光层的步骤包括第一生长工序、第二生长工序和转移工序。第一生长工序使用具有第一曲率安装表面的第一基座。第二生长工序使用具有第二曲率安装表面的第二基座，所述第二曲率不同于所述第一曲率。转移工序在所述第一生长工序与所述第二生长工序之间将所述衬底从所述第一基座转移至所述第二基座。