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公开(公告)号：CN118832156A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411122808.7
申请日：2024-08-15
Abstract: 本发明公开了一种激光增材制造用Cu@Mo核壳前躯体及其制备方法和应用，属于激光增材制造用粉体预处理技术领域，解决了现有技术中激光增材制备铜钼难混溶合金时铜原料激光能量利用率低的问题。激光增材制造用Cu@Mo核壳前躯体的制备方法包括如下步骤：称取铜粉及钼粉；对钼粉及铜粉进行烘干；将烘干过的钼粉和铜粉及纯钼磨球放入球磨罐，抽真空及充氩气，球磨处理得到激光增材制造用Cu@Mo核壳前躯体。本发明的方法制备得到的Cu@Mo核壳前躯体的激光吸收率高。
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公开(公告)号：CN118497673A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410628851.4
申请日：2024-05-21
Abstract: 本发明实施例公开了用于近红外屏蔽膜的铯钨青铜薄膜及其制备方法；方法包括，以铯钨青铜靶材为溅射靶材，以平面基材为基底，在磁控溅射装置内进行溅射镀膜，在基底材料得到铯钨青铜薄膜，对铯钨青铜薄膜进行热处理，得到用于近红外屏蔽膜的铯钨青铜薄膜，其中，热处理温度设置在200～450℃之间。热处理为在溅射镀膜过程中，对基底进行加热，热处理过程与溅射成膜过程同步进行；或者在溅射镀膜结束后，对得到的铯钨青铜薄膜进行热处理。得到的可见光透过率高、近红外光阻隔率高、紫外阻隔率高的高质量铯钨青铜薄膜作为应用于近红外屏蔽膜的铯钨青铜薄膜，还能制作成铯钨青铜薄膜基复合膜；在近红外屏蔽膜领域有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN118206374A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410056056.2
申请日：2024-01-15
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了用于节能玻璃领域的铯钨青铜陶瓷靶材及其制备方法。该制备方法包括：将铯钨青铜粉末预压制成型得到铯钨青铜初生坯；将铯钨青铜初生坯冷等静压得到铯钨青铜次生坯；将铯钨青铜次生坯在保护气氛下烧结得到铯钨青铜靶坯，铯钨青铜靶坯的平均粒径为1～15μm，致密度大于85％，纯度大于99.9％；将铯钨青铜靶坯机加工得到铯钨青铜陶瓷靶材。制备得到的铯钨青铜陶瓷靶材微观组织均匀、晶粒细小均匀、致密度高，成分均匀、纯度大于99.9％、满足后续磁控溅射镀膜的要求，成本低，且采用本发明实施例公开的铯钨青铜陶瓷靶材磁控溅射得到的铯钨青铜薄膜组织均匀，成分均匀，近红外光屏蔽效果好，可见光透过率高，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN117819967A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410056045.4
申请日：2024-01-15
IPC: C04B35/495 , C23C14/35 , C23C14/08 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的铯钨青铜陶瓷靶材及其制备方法。该制备方法包括：称取设定量的铯钨青铜粉体；在热压模具中铺展一层石墨纸或喷涂一层氮化硼喷剂，然后再铺展一层防污染材料；将铯钨青铜粉体放入热压模具中压实，并对热压模具进行封口，放入热压烧结炉中预压制铯钨青铜粉体；调节参数，对铯钨青铜粉体进行热压烧结，得到铯钨青铜烧结坯体；将得到的铯钨青铜烧结坯体进行机加工处理，得到铯钨青铜陶瓷靶材。制备得到的铯钨青铜陶瓷靶材微观组织均匀、晶粒细小、致密度大于98％，成分均匀、纯度大于99.9％、满足后续磁控溅射镀膜的要求，成本低，磁控溅射得到的铯钨青铜薄膜近红外光屏蔽效果好，可见光透过率高，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN119557676A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411535308.6
申请日：2024-10-31
Applicant: 郑州大学
IPC: G06F18/23213 , G06F18/214 , G06F18/22 , G06F17/18 , G06N3/091 , G16C20/70
Abstract: 本发明实施例公开了基于相似分布和主动学习的稳定吸附构型全局搜索方法，包括步骤：S1、构建知识嵌入的高通量吸附结构模型；S2、基于聚类分层采样构建吸附结构小样本数据集；S3、结合吸附结构小样本数据集和高斯过程回归模型，建立面向吸附能预测的代理模型；S4、训练代理模型，搜索稳定吸附构型。本发明实施例公开的基于相似分布和主动学习的稳定吸附构型全局搜索方法，通过包含知识嵌入的催化构型高通量建模、基于聚类分层抽样的小样本数据集构建、基于高斯过程回归的小样本推荐模型以及考虑数据分布和代理模型预测的混合收敛判据，实现了从大结构空间中高效搜索稳定吸附构型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117702063A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311537320.6
申请日：2023-11-17
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种银镁合金靶材及其制备方法。本发明银镁合金靶材由银和镁组成，以质量百分含量表示，所述银镁合金靶材中镁的含量为5～20％，余量为银和不可避免的杂质。将称取的银和镁两种原料装入真空感应熔炼炉内的坩埚中，抽真空后充入氩气，在氩气气氛下进行加热熔炼，熔炼后浇注，得到银镁合金铸锭；将所得银镁合金铸锭进行多道次轧制，得到银镁合金板坯；将所得银镁合金板坯进行机加工，得到银镁合金靶材。本发明采用熔铸‑热/温轧技术制备银镁合金靶坯，能够改善合金组织均匀性、细化晶粒尺寸，有效避免银镁合金冷轧开裂难题；同时，能够降低沉积温度、提高沉积速度、改善薄膜均匀性，显著改善用银和镁进行蒸发镀膜存在的问题。
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公开(公告)号：CN117187729A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311107196.X
申请日：2023-08-30
Applicant: 郑州大学 , 郑州郑涂新材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种氧化钼靶材的制备方法，属于陶瓷靶材技术领域。所述方法通过将氧化钼混合粉末，粘结剂和水经球磨，喷雾干燥，热处理，过筛后，制得混合粉体；用特定的大气等离子喷涂工艺将混合粉体喷涂在具有NiCrCoAlY粘结层的基底上，制得半成品靶材，再进行热处理，机械加工制备得到所述氧化钼靶材。所述方法采用大气等离子喷涂结合热处理的方法，通过控制具体的制备条件参数，能稳定制备能稳定制备不受尺寸及空间限制的大尺寸氧化钼靶材。
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公开(公告)号：CN117125982A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311127578.9
申请日：2023-09-04
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C23C14/34 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了一种钼氧比可控的非化学计量氧化钼靶材的制备方法。该制备方法包括：S1、煅烧钼酸铵得到MoO3粉末；S2、MoO3粉末与氢气发生反应，得到非化学计量比钼氧化物粉体；非化学计量比钼氧化物粉体中，Mo9O26的质量含量为0％～99％，Mo4O11的质量含量为20％～86％，MoO2的质量含量为0％～40％；S3、非化学计量比钼氧化物粉体模压成型；S4、成型的非化学计量比钼氧化物粉体在设定条件下烧结，得到特定钼氧比的非化学计量氧化钼靶材，其中，钼原子与氧原子比为1：2～3。本发明公开的钼氧比可控的非化学计量氧化钼靶材的制备方法，其制备工艺简单，反应条件可控，制备得到的非化学计量氧化钼靶材致密性好。
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公开(公告)号：CN116634826A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310632395.6
申请日：2023-05-31
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明实施例公开了用于直接型X射线探测器的钙钛矿异质结的构筑方法，包括步骤：(S1)配制3D钙钛矿前驱体溶液，在设定条件下生长3D钙钛矿单晶体；(S2)配制2D钙钛矿前驱体溶液，布设2D钙钛矿前驱体溶液在3D钙钛矿单晶体衬底上，在3D钙钛矿单晶体衬底上覆盖一层玻璃片；(S3)2D钙钛矿前驱体溶液在3D钙钛矿单晶体(100)面或(111)面上生长2D钙钛矿薄膜，得到2D/3D钙钛矿异质结。2D钙钛矿薄膜层与3D钙钛矿单晶体之间晶格参数匹配，制备的2D钙钛矿薄膜取向一致、沿基底表面外延生长，2D钙钛矿薄膜表面平整、厚度均一、无明显颗粒、质量良好。钙钛矿异质结的构筑方法适用于X射线探测成像技术领域的钙钛矿异质结大批量商业化生产。
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公开(公告)号：CN116356170A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310373024.0
申请日：2023-04-10
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明实施例公开了高致密、高塑性钼镍钛合金靶材及其制备方法；制备方法包括：取设定量的钼粉、镍粉和钛粉，混合得到混合粉体；将混合粉体真空封装；真空封装的混合粉体在冷等静压模具中进行冷等静压压制，得到钼镍钛生坯；将得到的钼镍钛生坯进行真空烧结；将真空烧结后的钼镍钛生坯进行热等静压压制，得到高致密、高塑性钼镍钛合金靶材。能够控制钼镍钛合金靶材中的氧含量，提高钼镍钛合金靶材致密度，降低含氧固溶物的含量，提高钼镍钛合金靶材塑性，得到高致密、高塑性钼镍钛合金靶材。
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