-
公开(公告)号：CN118832156A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411122808.7
申请日：2024-08-15
Abstract: 本发明公开了一种激光增材制造用Cu@Mo核壳前躯体及其制备方法和应用，属于激光增材制造用粉体预处理技术领域，解决了现有技术中激光增材制备铜钼难混溶合金时铜原料激光能量利用率低的问题。激光增材制造用Cu@Mo核壳前躯体的制备方法包括如下步骤：称取铜粉及钼粉；对钼粉及铜粉进行烘干；将烘干过的钼粉和铜粉及纯钼磨球放入球磨罐，抽真空及充氩气，球磨处理得到激光增材制造用Cu@Mo核壳前躯体。本发明的方法制备得到的Cu@Mo核壳前躯体的激光吸收率高。
-
公开(公告)号：CN118497673A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410628851.4
申请日：2024-05-21
Abstract: 本发明实施例公开了用于近红外屏蔽膜的铯钨青铜薄膜及其制备方法；方法包括，以铯钨青铜靶材为溅射靶材，以平面基材为基底，在磁控溅射装置内进行溅射镀膜，在基底材料得到铯钨青铜薄膜，对铯钨青铜薄膜进行热处理，得到用于近红外屏蔽膜的铯钨青铜薄膜，其中，热处理温度设置在200～450℃之间。热处理为在溅射镀膜过程中，对基底进行加热，热处理过程与溅射成膜过程同步进行；或者在溅射镀膜结束后，对得到的铯钨青铜薄膜进行热处理。得到的可见光透过率高、近红外光阻隔率高、紫外阻隔率高的高质量铯钨青铜薄膜作为应用于近红外屏蔽膜的铯钨青铜薄膜，还能制作成铯钨青铜薄膜基复合膜；在近红外屏蔽膜领域有良好应用前景。
-
公开(公告)号：CN118206374A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410056056.2
申请日：2024-01-15
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了用于节能玻璃领域的铯钨青铜陶瓷靶材及其制备方法。该制备方法包括：将铯钨青铜粉末预压制成型得到铯钨青铜初生坯；将铯钨青铜初生坯冷等静压得到铯钨青铜次生坯；将铯钨青铜次生坯在保护气氛下烧结得到铯钨青铜靶坯，铯钨青铜靶坯的平均粒径为1～15μm，致密度大于85％，纯度大于99.9％；将铯钨青铜靶坯机加工得到铯钨青铜陶瓷靶材。制备得到的铯钨青铜陶瓷靶材微观组织均匀、晶粒细小均匀、致密度高，成分均匀、纯度大于99.9％、满足后续磁控溅射镀膜的要求，成本低，且采用本发明实施例公开的铯钨青铜陶瓷靶材磁控溅射得到的铯钨青铜薄膜组织均匀，成分均匀，近红外光屏蔽效果好，可见光透过率高，使用寿命长。
-
公开(公告)号：CN117819967A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410056045.4
申请日：2024-01-15
IPC: C04B35/495 , C23C14/35 , C23C14/08 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种用于制备近红外光屏蔽薄膜的铯钨青铜陶瓷靶材及其制备方法。该制备方法包括：称取设定量的铯钨青铜粉体；在热压模具中铺展一层石墨纸或喷涂一层氮化硼喷剂，然后再铺展一层防污染材料；将铯钨青铜粉体放入热压模具中压实，并对热压模具进行封口，放入热压烧结炉中预压制铯钨青铜粉体；调节参数，对铯钨青铜粉体进行热压烧结，得到铯钨青铜烧结坯体；将得到的铯钨青铜烧结坯体进行机加工处理，得到铯钨青铜陶瓷靶材。制备得到的铯钨青铜陶瓷靶材微观组织均匀、晶粒细小、致密度大于98％，成分均匀、纯度大于99.9％、满足后续磁控溅射镀膜的要求，成本低，磁控溅射得到的铯钨青铜薄膜近红外光屏蔽效果好，可见光透过率高，使用寿命长。
-
公开(公告)号：CN117125982A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311127578.9
申请日：2023-09-04
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C23C14/34 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了一种钼氧比可控的非化学计量氧化钼靶材的制备方法。该制备方法包括：S1、煅烧钼酸铵得到MoO3粉末；S2、MoO3粉末与氢气发生反应，得到非化学计量比钼氧化物粉体；非化学计量比钼氧化物粉体中，Mo9O26的质量含量为0％～99％，Mo4O11的质量含量为20％～86％，MoO2的质量含量为0％～40％；S3、非化学计量比钼氧化物粉体模压成型；S4、成型的非化学计量比钼氧化物粉体在设定条件下烧结，得到特定钼氧比的非化学计量氧化钼靶材，其中，钼原子与氧原子比为1：2～3。本发明公开的钼氧比可控的非化学计量氧化钼靶材的制备方法，其制备工艺简单，反应条件可控，制备得到的非化学计量氧化钼靶材致密性好。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116634826A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310632395.6
申请日：2023-05-31
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明实施例公开了用于直接型X射线探测器的钙钛矿异质结的构筑方法，包括步骤：(S1)配制3D钙钛矿前驱体溶液，在设定条件下生长3D钙钛矿单晶体；(S2)配制2D钙钛矿前驱体溶液，布设2D钙钛矿前驱体溶液在3D钙钛矿单晶体衬底上，在3D钙钛矿单晶体衬底上覆盖一层玻璃片；(S3)2D钙钛矿前驱体溶液在3D钙钛矿单晶体(100)面或(111)面上生长2D钙钛矿薄膜，得到2D/3D钙钛矿异质结。2D钙钛矿薄膜层与3D钙钛矿单晶体之间晶格参数匹配，制备的2D钙钛矿薄膜取向一致、沿基底表面外延生长，2D钙钛矿薄膜表面平整、厚度均一、无明显颗粒、质量良好。钙钛矿异质结的构筑方法适用于X射线探测成像技术领域的钙钛矿异质结大批量商业化生产。
-
公开(公告)号：CN116356170A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310373024.0
申请日：2023-04-10
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明实施例公开了高致密、高塑性钼镍钛合金靶材及其制备方法；制备方法包括：取设定量的钼粉、镍粉和钛粉，混合得到混合粉体；将混合粉体真空封装；真空封装的混合粉体在冷等静压模具中进行冷等静压压制，得到钼镍钛生坯；将得到的钼镍钛生坯进行真空烧结；将真空烧结后的钼镍钛生坯进行热等静压压制，得到高致密、高塑性钼镍钛合金靶材。能够控制钼镍钛合金靶材中的氧含量，提高钼镍钛合金靶材致密度，降低含氧固溶物的含量，提高钼镍钛合金靶材塑性，得到高致密、高塑性钼镍钛合金靶材。
-
公开(公告)号：CN113458405B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110644480.5
申请日：2021-06-09
Applicant: 郑州大学
Abstract: 大粒径金属钼粉的制备方法，包括：粒度在5～100μm之间的大尺寸β型四钼酸铵单晶颗粒于350～400℃下焙烧，得到三氧化钼；三氧化钼经过两段氢还原得到金属钼粉，其粒度大于5μm。大尺寸β型四钼酸铵单晶颗粒的制备方法包括：用工业钼酸铵、氨水、去离子水配置浓度为0.2～0.6g/mL的钼酸铵溶液，将其pH调节为1～2，温度调节为70～90℃，得到第一钼酸铵溶液；第一钼酸铵溶液恒温搅拌3～5min，结晶，过滤，得到β型四钼酸铵晶种；用工业钼酸铵、氨水、去离子水配置浓度为0.2～0.6g/mL的钼酸铵溶液，将钼酸铵溶液的pH值调节为5～7，温度调节为70～90℃，得到第二钼酸铵溶液；β型四钼酸铵晶种在第二钼酸铵溶液中，室温静置，得到大尺寸β型四钼酸铵单晶颗粒。
-
公开(公告)号：CN113463179A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110645674.7
申请日：2021-06-09
Applicant: 郑州大学
Abstract: 大尺寸β型四钼酸铵单晶颗粒的制备方法，包括：用工业钼酸铵、氨水、去离子水配置浓度为0.2～0.6g/mL的钼酸铵溶液；将钼酸铵溶液的pH调节为5～7，溶液温度调节为第一温度70～90℃，得到第一钼酸铵溶液；将β型四钼酸铵晶种放置在结晶容器中，将第一钼酸铵溶液倒入结晶容器组成结晶体系，结晶体系在室温下静置，自然降温，β型四钼酸铵晶种生长为大颗粒单晶β型四钼酸铵产物。通过控制第二钼酸铵溶液的pH值、浓度、温度和结晶时间，在70～90℃之间恒温结晶得到了β型四钼酸铵晶种；β型四钼酸铵晶种在第一钼酸铵溶液中静置，降温结晶和缓慢蒸发结晶合理结合，生长得到大尺寸β型四钼酸铵单晶颗粒，粒径尺寸可达厘米级，实现了大尺寸β型四钼酸铵单晶颗粒的可控制备。
-
公开(公告)号：CN111558713A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010585128.4
申请日：2020-06-24
Applicant: 郑州大学
IPC: B22F1/00
Abstract: 本发明涉及一种小粒度钛粉的降氧方法，其包括如下步骤：1）将钛粉和纯水在杯中超声并搅拌均匀，静置2-8min，倒去杯中的液体，并将杯内剩余的钛粉烘干；2）将步骤1）所得钛粉和钙颗粒按质量比3-5：1置于上部设有筛网的不锈钢坩埚中，钙颗粒放于坩埚底部，钛粉平铺于筛网上，利用钙蒸汽进行脱氧；3）脱氧结束后，当降至室温时取出钛粉，分别用盐酸、纯水洗涤，即得。本发明方法可用于费氏粒度在6-20μm、氧含量2000-8000ppm的小粒度钛粉脱氧，且钙颗粒的添加量较少，大大降低了生产成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.04 seconds)
