一种少量离散缺陷图像的精确拼接方法

    公开(公告)号:CN113720850B

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202110822801.6

    申请日:2021-07-21

    Abstract: 本发明公开了一种少量离散缺陷图像的精确拼接方法,包括构建缺陷检测装置;选取一光学元件的样品,找出一能激发荧光的点作为标记点;将样品安装在样品台上,表面分为数个成像区域,采用缺陷检测装置对样品扫描成像得到每个成像区域的子孔径散射图像与子孔径荧光图像;再图像拼接。本发明采用了散射成像与荧光成像双通道技术实现散射信号与荧光信号的同步、原位成像,充分利用散射图像特征点较多的特点,进行大视场全孔径图像拼接,解决了定位不准的问题,还提高了检测效率,尤其是对大尺寸光学元件的亚表面缺陷检测,可以使图像采集与图像处理同步进行,进一步节约时间成本,实现熔石英元件表面、亚表面缺陷的快速、高精度筛选表征。

    一种基于离散化工装的狭小空间构件位姿调整方法

    公开(公告)号:CN117519306A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311629476.7

    申请日:2023-11-30

    Abstract: 本发明公开了一种基于离散化工装的狭小空间构件位姿调整方法,本发明将3个数控定位器按一定布局放置到大型结构件底部,形成离散工装系统。然后通过工装运动控制系统按一定规则控制离散工装系统的各个数控定位器运动,由摄影测量系统获取工装运动后大型结构件的位姿变化,获取各运动轴的运动与大型结构件位姿调整的数据组对。工装运动控制系统通过数据分析快速构建离散工装系统的位姿调整模型。最后,基于摄影测量系统对大型结构件位姿实时测量结果,结合离散工装系统的位姿调整模型,解算离散工装系统各数控定位器各运动轴的调整量,引导离散工装系统完成大型结构件位姿调整,直至满足精度要求。

    一种管状变形镜及使用方法

    公开(公告)号:CN109656016B

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN201910132036.8

    申请日:2019-02-22

    Abstract: 本发明涉及一种管状变形镜及使用方法,属于光学器件技术领域,所述管状变形镜包括基底层和压电层,且基底层和压电层均呈管状,所述基底层的内表面镀有光学反射膜,且其外表面与压电层的内表面光学粘接,所述压电层的内表面整体镀有第一电极形成变形镜的地电极,且其外表面镀有多个第二电极形成变形镜的驱动器,本发明将基底层和压电层设置呈管状,适用于对环形光束进行波前校正,结构新颖,同时,借助入射环形劈板、出射环形劈板增大环形光束入射至管状变形镜内表面的入射角,增大环形光束与管状变形镜的作用区域,有利于管状变形镜在作用区域设置更多的驱动器,增强变形镜的校正能力,实现更好的波前校正效果。

    一种多光路多程放大退偏自补偿系统和方法

    公开(公告)号:CN115733039A

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202211455461.9

    申请日:2022-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种多光路多程退偏自补偿系统和方法,涉及重频高能激光器领域。所述多光路多程放大退偏自补偿系统包括位于第一光路、第二光路、第三光路;所述第一光路为用于多程放大和闭环传输的主光路;所述第二光路与第三光路用于将待偶数程放大的退偏激光的分量光分别进行偏振态旋转,从而实现退偏自补偿。与现有技术相比,本发明提供的退偏自补偿方案使得激光在偶数程通过放大器后退偏得到自补偿,整个光路单向运行可天然规避反激光,避免前级被大能量反激光损伤,还可以降低激光输出近场调制,实现可控的多程放大,弥补了目前常用的多程放大光路中光斑口径偏小以及退偏补偿效应不好的缺点,适用于重频高能量系统多程放大光路的退偏补偿。

    一种变形镜及其加工方法

    公开(公告)号:CN106842556B

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN201710212848.4

    申请日:2017-04-01

    Abstract: 本发明涉及一种变形镜及其加工方法,属于光学器件技术领域,所述变形镜包括镜框,所述镜框内依次设有基底层、均布驱动器的压电层和航插,还包括位于压电层和航插之间的电路板,所述电路板通过导线与航插连接,所述电路板上设有与驱动器对应设置的导电接头,所述导电接头具有微弹性,使其端部始终与驱动器相抵,所述电路板通过紧固件与镜框连接,通过调节紧固件嵌入镜框中的深度,调节导电接头施加在驱动器上的压力,本发明具有减小变形镜所受应力、有利于控制面形、降低加工难度、易于拆卸和维护、提高元件利用率的特点。

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