二次电池
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114171778A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202111048342.7

    申请日:2021-09-08

    Abstract: 二次电池(1)具备电极(12A)、正极集电体(16A)、负极集电体(16B)、正极端子(22A)、负极端子(22B)、以及将正极端子(22A)与负极端子(22B)之间绝缘的绝缘板(26)。正极端子(22A)及负极端子(22B)分别具有主侧面(S1)及具有比主侧面(S1)小的面积的副侧面(S2)。正极端子(22A)及负极端子(22B)以正极端子(22A)的主侧面(S1)与负极端子(22B)的主侧面(S1)互相相对的方式配置。绝缘板(26)配置于正极端子(22A)的主侧面(S1)与负极端子(22B)的主侧面(S1)之间。

    蓄电装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113764812A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202110614149.9

    申请日:2021-06-02

    Abstract: 蓄电装置(100)具备蓄电堆(110)和收容壳体(140)。在蓄电堆(110)中,沿着第一方向(DR1)交替层叠有多个单元电池(120)和多个间隔件(130)。在多个间隔件(130)的每一个中,第一支承面(131)与在第一方向(DR1)的一侧相邻的单元电池(120)的第一锥面(121)对应地倾斜并与第一锥面(121)接触。在多个间隔件(130)的每一个中,第二支承面(132)与在第一方向(DR1)的另一侧相邻的单元电池(120)的第二锥面(122)对应地倾斜并与第二锥面(122)接触。多个间隔件(130)的每一个由热塑性树脂构成。

    蓄电装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110098369A

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201910079976.5

    申请日:2019-01-28

    Abstract: 本发明涉及蓄电装置。蓄电装置包括:电极单体电池,该电极单体电池包括第一电极和第二电极;第一电极汇流条,该第一电极汇流条被连接到第一电极;第二电极汇流条,该第二电极汇流条被连接第二电极;以及连接构件,该连接构件被连接到第一电极汇流条并接合到第二电极汇流条。连接构件包括连接到第一电极汇流条并接合到第二电极汇流条的本体部以及设置成从本体部延伸的延伸片。该延伸片从本体部折叠。

    载荷施加装置以及蓄电装置

    公开(公告)号:CN114824605A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210065936.7

    申请日:2022-01-20

    Abstract: 本发明为一种载荷施加装置,具有:弹性机构;第一部件,其根据蓄电单元的收缩而移动;第二部件,其被设置为隔着弹性机构与第一部件的相反侧;切换装置,弹性机构具有:在蓄电模块进行了第一尺寸的膨胀的情况下,向蓄电模块施加第一约束载荷的第一形态;在蓄电模块进行了第一尺寸的膨胀的情况下,向蓄电模块施加比第一约束载荷大的第二约束载荷的第二形态,切换装置在蓄电模块进行了第一尺寸的膨胀的情况下向蓄电模块施加比第一约束载荷小的约束载荷时,实施用于从第一形态向第二形态切换的动作。

    蓄电装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110137423B

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN201910084473.7

    申请日:2019-01-29

    Abstract: 本发明提供一种蓄电装置,具备:至少一个蓄电单体,在一端形成有第一电极,在另一端形成有第二电极;第一电极汇流条,配置于一端侧,连接于第一电极;及第二电极汇流条,配置于另一端侧,连接于第二电极。在所述第一电极汇流条形成有连接于所述第一电极的连接配线,所述第一电极汇流条及所述第二电极汇流条被超声波接合,所述第一电极汇流条及所述第二电极汇流条的接合部分配置于离所述另一端比离所述一端近的位置。

    蓄电装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113764812B

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202110614149.9

    申请日:2021-06-02

    Abstract: 蓄电装置(100)具备蓄电堆(110)和收容壳体(140)。在蓄电堆(110)中,沿着第一方向(DR1)交替层叠有多个单元电池(120)和多个间隔件(130)。在多个间隔件(130)的每一个中,第一支承面(131)与在第一方向(DR1)的一侧相邻的单元电池(120)的第一锥面(121)对应地倾斜并与第一锥面(121)接触。在多个间隔件(130)的每一个中,第二支承面(132)与在第一方向(DR1)的另一侧相邻的单元电池(120)的第二锥面(122)对应地倾斜并与第二锥面(122)接触。多个间隔件(130)的每一个由热塑性树脂构成。

    半导体装置的制造方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117497417A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202310937349.7

    申请日:2023-07-28

    Abstract: 半导体装置的制造方法,具有:对GaN类半导体衬底注入惰性元素或电子束的工序;对上述GaN类半导体衬底注入镁的工序;以及对上述GaN类半导体衬底进行热处理的工序。根据注入惰性元素或电子束的上述工序中的最深的注入深度D1(nm)而通过Dref=D1+140nm的数式计算出的基准深度Dref,比注入镁的上述工序中的最深的注入深度D2(nm)深。在上述热处理后,在上述基准深度Dref的位置,镁浓度以规定减小率越朝向深侧则越减小。上述规定减小率比每300nm深度则镁浓度成为1/10的减小率小。

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