公开(公告)号：CN115315356B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202180023554.1

申请日：2021-03-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 加藤谦一 ,  宫本诚

IPC: B41J2/345 ,  B41J2/335

公开(公告)号：CN119546463A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202380057088.8

申请日：2023-08-01

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 加藤谦一 ,  宫本诚

IPC: B41J2/335 ,  B41J2/345

Abstract: 热敏头具备基板（7）、接合材料（24）、导电构件（11b）、以及铝电极（19）。接合材料（24）位于基板（7）之上，且含有金及锡。导电构件（11b）位于接合材料（24）之上。铝电极（19）位于基板（7）之上，经由接合材料（24）与导电构件（11b）电连接。

公开(公告)号：CN1989604A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200580025223.2

申请日：2005-07-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 加藤谦一 ,  下赤善男

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/288 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014

Abstract: 一种半导体元件，在半导体基板(1)上形成有规定图形的衬底电极层(2)，并且，在衬底电极层(2)的局部上表面形成有表面电极层(3)，其中，在表面电极层(3)正下方的衬底电极层(2)上表面形成有沿厚度方向延伸的孔部(2X)，并且，孔部(2X)的深度比衬底电极层(2)的厚度浅。

公开(公告)号：CN115298037B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202180021574.5

申请日：2021-03-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 加藤谦一 ,  宫本诚

IPC: B41J2/345

Abstract: 热敏头具备基板、电极、接合材料、导电构件、密封材料。电极位于基板之上。接合材料位于基板或者电极之上。导电构件位于接合材料之上，经由接合材料而与电极电连接。密封材料位于基板之上，覆盖接合材料以及导电构件。接合材料在导电构件的周缘具有远离基板以及导电构件而设置的突起部。

公开(公告)号：CN101796622B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200880105635.0

申请日：2008-09-02

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 加藤谦一 ,  下赤善男

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13613 ,  H01L2224/13616 ,  H01L2224/13618 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01014

Abstract: 本发明提供一种在机械可靠性及电可靠性两方面均优越的半导体元件及该半导体元件的实装结构体。该半导体元件具有：基板；设于基板上的导电层；设于导电层上且具有开口部的保护层；在开口部与导电层接合的金属屏蔽层；形成于金属屏蔽层上的导电性凸起。该金属屏蔽层含有磷，且具有含磷率大于其它部分的富磷部位。该富磷部位位于导电性凸起侧的表面部，且导电性凸起的形成区域的周缘部的厚度大于该形成区域的中央部的厚度。

公开(公告)号：CN1989604B

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200580025223.2

申请日：2005-07-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 加藤谦一 ,  下赤善男

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/288 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014

Abstract: 一种半导体元件，在半导体基板(1)上形成有规定图形的衬底电极层(2)，并且，在衬底电极层(2)的局部上表面形成有表面电极层(3)，其中，在表面电极层(3)正下方的衬底电极层(2)上表面形成有沿厚度方向延伸的孔部(2X)，并且，孔部(2X)的深度比衬底电极层(2)的厚度浅。

公开(公告)号：CN101796622A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880105635.0

申请日：2008-09-02

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 加藤谦一 ,  下赤善男

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13613 ,  H01L2224/13616 ,  H01L2224/13618 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01014

Abstract: 本发明提供一种在机械可靠性及电可靠性两方面均优越的半导体元件及该半导体元件的实装结构体。该半导体元件具有：基板；设于基板上的导电层；设于导电层上且具有开口部的保护层；在开口部与导电层接合的金属屏蔽层；形成于金属屏蔽层上的导电性凸起。该金属屏蔽层含有磷，且具有含磷率大于其它部分的富磷部位。该富磷部位位于导电性凸起侧的表面部，且导电性凸起的形成区域的周缘部的厚度大于该形成区域的中央部的厚度。

公开(公告)号：CN115315356A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202180023554.1

申请日：2021-03-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 加藤谦一 ,  宫本诚

IPC: B41J2/345 ,  B41J2/335

Abstract: 热敏头具备基板、接合材料、导电构件以及金电极。接合材料位于基板之上，并含有金以及锡。导电构件位于接合材料之上。金电极位于基板之上，并与接合材料电连接。

公开(公告)号：CN115298037A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180021574.5

申请日：2021-03-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 加藤谦一 ,  宫本诚

IPC: B41J2/345

Abstract: 热敏头具备基板、电极、接合材料、导电构件、密封材料。电极位于基板之上。接合材料位于基板或者电极之上。导电构件位于接合材料之上，经由接合材料而与电极电连接。密封材料位于基板之上，覆盖接合材料以及导电构件。接合材料在导电构件的周缘具有远离基板以及导电构件而设置的突起部。