-
公开(公告)号：CN101812675B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201010126197.5
申请日：2005-03-17
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/452 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/452 , C23C16/45565
Abstract: 本发明的课题为，对于利用具有游离基通过的多个贯通孔的隔壁板将真空反应室内分离成等离子体放电空间和基板处理空间、在等离子体放电空间中产生的游离基通过隔壁板的前述多个贯通孔导入基板处理空间、对配置在基板处理空间中的基板进行处理的装置，改善伴随隔壁板整体的更换的装置的运转成本。本发明利用隔壁本体和控制板形成隔壁板，从而解决了上述课题，其中，所述隔壁本体配有多个贯通孔，所述控制板配置在该隔壁本体的等离子体生成空间侧，在与配置在隔壁本体上的前述贯通孔对应的位置处具有游离基通过孔。
-
公开(公告)号：CN104024467A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280063746.6
申请日：2012-12-17
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
CPC classification number: C23C14/088 , C23C14/0036 , C23C14/35 , C23C14/352
Abstract: 本发明提供一种SrRuO3膜的制造方法，该方法在通过DC磁控溅射法沉积SrRuO3膜的过程中能够在高的沉积速度下沉积高品质的SrRuO3膜同时抑制异常放电的发生。本发明的一个实施方案为通过偏移旋转型DC磁控溅射法的SrRuO3膜的沉积方法，其中在含氧气氛下、在1.0Pa以上且小于8.0Pa的沉积压力下，在基板上沉积SrRuO3膜。
-
公开(公告)号：CN101647103A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200880010066.1
申请日：2008-03-26
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/31 , C23C16/509
CPC classification number: C23C16/45591 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32486 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/31608
Abstract: 一种基板处理装置，包括：真空处理容器；分隔件，其由导电材料制成并且将所述真空处理容器的内部分隔成用于产生等离子体的第一空间以及用于通过等离子体处理基板的第二空间；安装在所述第一空间中的用于等离子体产生的高频电极，以及安装在所述第二空间中并且保持所述基板的基板保持机构。所述分隔件具有多个通孔，所述通孔使得所述第一空间和所述第二空间彼此连通。所述通孔由覆盖材料所覆盖，所述覆盖材料具有比所述导电材料更高的重组系数。
-
公开(公告)号：CN102959140B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180032579.4
申请日：2011-04-12
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/203 , C30B29/38 , C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/683 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/007 , C23C16/4586 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/18
Abstract: 提供一种外延膜形成方法，使用该方法可以借助于溅射法生产由第III族氮化物半导体形成的+c-极性外延膜，还提供一种适用于该外延膜形成方法的真空处理设备。例如，溅射法用于在使用加热器(103)加热至任意温度的α-Al2O3基板(107)上外延生长第III族氮化物半导体薄膜。首先，α-Al2O3基板(107)以该α-Al2O3基板(107)离加热器(103)预定距离(d2)设置这样的方式设置在包括加热器(103)的基板保持器(99)上。接着，在α-Al2O3基板(107)距加热器(103)预定距离(d2)设置的情况下，第III族氮化物半导体薄膜的外延膜形成于α-Al2O3基板(107)上。
-
公开(公告)号：CN103329248A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201180063194.4
申请日：2011-12-16
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/203 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/02631 , C23C14/0617 , C23C14/345 , C30B23/005 , C30B23/02 , C30B25/06 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007
Abstract: 提供一种用于利用溅射法来在α-Al2O3基板上外延生长高质量的III族氮化物半导体薄膜的外延膜形成方法。在根据本发明实施方式的外延膜形成方法中，在配置于溅射设备(1)的配备有加热器电极(104)和偏置电极(103)的基板保持件(111)上的α-Al2O3基板上形成III族氮化物半导体薄膜的外延膜的情况下，在利用加热器电极(104)使α-Al2O3基板维持为预定温度的状态下向靶材电极(102)施加高频电力并且向偏置电极(103)施加高频偏置电力。此时，高频电力和高频偏置电力的施加是以在该高频电力和该高频偏置电力之间不会发生频率干涉的方式进行的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102959140A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032579.4
申请日：2011-04-12
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: C30B29/38 , C23C14/06 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/683 , H01L33/32
CPC classification number: H01L33/007 , C23C16/4586 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L33/18
Abstract: 提供一种外延膜形成方法，使用该方法可以借助于溅射法生产由第III族氮化物半导体形成的+c-极性外延膜，还提供一种适用于该外延膜形成方法的真空处理设备。例如，溅射法用于在使用加热器(103)加热至任意温度的α-Al2O3基板(107)上外延生长第III族氮化物半导体薄膜。首先，α-Al2O3基板(107)以该α-Al2O3基板(107)离加热器(103)预定距离(d2)设置这样的方式设置在包括加热器(103)的基板保持器(99)上。接着，在α-Al2O3基板(107)距加热器(103)预定距离(d2)设置的情况下，第III族氮化物半导体薄膜的外延膜形成于α-Al2O3基板(107)上。
-
公开(公告)号：CN101397650A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810149389.0
申请日：2008-09-25
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/165
Abstract: 靶结构和靶保持装置。提供一种靶结构，该靶结构使得即使当增大输入电功率来增大膜沉积速率时，也能实现熔化状态下的镓或含镓材料的溅射。还提供一种包括该靶结构的溅射装置。该靶结构包括：保持部其由金属材料形成；以及镓或含镓材料，其被置于保持部上，其中，在保持部的形成与镓或含镓材料的界面的表面上形成有薄膜，该薄膜与熔化状态下的镓或含镓材料成不大于30°的接触角。该溅射装置包括该靶结构。
-
公开(公告)号：CN104024467B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201280063746.6
申请日：2012-12-17
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
CPC classification number: C23C14/088 , C23C14/0036 , C23C14/35 , C23C14/352
Abstract: 本发明提供一种SrRuO3膜的制造方法，该方法在通过DC磁控溅射法沉积SrRuO3膜的过程中能够在高的沉积速度下沉积高品质的SrRuO3膜同时抑制异常放电的发生。本发明的一个实施方案为通过偏移旋转型DC磁控溅射法的SrRuO3膜的沉积方法，其中在含氧气氛下、在1.0Pa以上且小于8.0Pa的沉积压力下，在基板上沉积SrRuO3膜。
-
公开(公告)号：CN103329248B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180063194.4
申请日：2011-12-16
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/203 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/02631 , C23C14/0617 , C23C14/345 , C30B23/005 , C30B23/02 , C30B25/06 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007
Abstract: 提供一种用于利用溅射法来在α-Al2O3基板上外延生长高质量的III族氮化物半导体薄膜的外延膜形成方法。在根据本发明实施方式的外延膜形成方法中，在配置于溅射设备(1)的配备有加热器电极(104)和偏置电极(103)的基板保持件(111)上的α-Al2O3基板上形成III族氮化物半导体薄膜的外延膜的情况下，在利用加热器电极(104)使α-Al2O3基板维持为预定温度的状态下向靶材电极(102)施加高频电力并且向偏置电极(103)施加高频偏置电力。此时，高频电力和高频偏置电力的施加是以在该高频电力和该高频偏置电力之间不会发生频率干涉的方式进行的。
-
公开(公告)号：CN101647103B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200880010066.1
申请日：2008-03-26
Applicant: 佳能安内华股份有限公司
IPC: H01L21/31 , C23C16/509
CPC classification number: C23C16/45591 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32486 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/31608
Abstract: 一种基板处理装置，包括：真空处理容器；分隔件，其由导电材料制成并且将所述真空处理容器的内部分隔成用于产生等离子体的第一空间以及用于通过等离子体处理基板的第二空间；安装在所述第一空间中的用于等离子体产生的高频电极，以及安装在所述第二空间中并且保持所述基板的基板保持机构。所述分隔件具有多个通孔，所述通孔使得所述第一空间和所述第二空间彼此连通。所述通孔由覆盖材料所覆盖，所述覆盖材料具有比所述导电材料更高的重组系数。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.025 seconds)
