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公开(公告)号：CN103964365A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310162964.1
申请日：2013-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B2207/03 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/035 , B81C2203/036 , B81C2203/054 , H01L21/50 , H01L22/32 , H01L23/10 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/32148 , H01L2224/32238 , H01L2224/32268 , H01L2224/83123 , H01L2224/83127 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83204 , H01L2224/83805 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/00 , H01L2224/83
Abstract: 公开了用于密封环结构的方法和装置。可以在第一晶圆和/或第二晶圆上形成晶圆密封环。在第一晶圆和/或第二晶圆中的一个或两个上可以形成有一个或多个管芯。晶圆密封环可以围绕对应的晶圆的管芯形成。一个或多个管芯密封环可以围绕一个或多个管芯形成。晶圆密封环可以形成为高度可以约等于在第一晶圆和/或第二晶圆上形成的一个或多个管芯密封环的高度。可以形成晶圆密封环以实现共晶或者熔融接合工艺。可以将第一晶圆和第二晶圆接合在一起以在第一晶圆和第二晶圆之间形成密封环结构。密封环结构可以在第一晶圆和第二晶圆之间提供密封。
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公开(公告)号：CN109722652A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810155244.5
申请日：2018-02-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C16/54 , C23C16/44 , H01L21/205
Abstract: 一种化学气相沉积设备及相关联方法。化学气相沉积设备具有真空室及气体入口，气体入口具有气体入口轴线，工艺气体沿气体入口轴线被导入到真空室中，且气体入口配置在靠近真空室的上部区。至少一个排出口配置在靠近真空室的底部区。化学气相沉积设备还具有喷淋头，喷淋头配置在气体入口下方，具有贯穿喷淋头的多个孔，多个孔具有至少两种不同的直径或密度。喷淋头将工艺气体重新分布以形成具有不均匀的厚度的前体材料，其与后续化学机械抛光工艺的移除轮廓匹配。如此一来，在进行化学机械抛光工艺之后所形成的层的平面性得到改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103964365B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310162964.1
申请日：2013-05-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B2207/03 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/035 , B81C2203/036 , B81C2203/054 , H01L21/50 , H01L22/32 , H01L23/10 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/32148 , H01L2224/32238 , H01L2224/32268 , H01L2224/83123 , H01L2224/83127 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83204 , H01L2224/83805 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/00 , H01L2224/83
Abstract: 公开了用于密封环结构的方法和装置。可以在第一晶圆和/或第二晶圆上形成晶圆密封环。在第一晶圆和/或第二晶圆中的一个或两个上可以形成有一个或多个管芯。晶圆密封环可以围绕对应的晶圆的管芯形成。一个或多个管芯密封环可以围绕一个或多个管芯形成。晶圆密封环可以形成为高度可以约等于在第一晶圆和/或第二晶圆上形成的一个或多个管芯密封环的高度。可以形成晶圆密封环以实现共晶或者熔融接合工艺。可以将第一晶圆和第二晶圆接合在一起以在第一晶圆和第二晶圆之间形成密封环结构。密封环结构可以在第一晶圆和第二晶圆之间提供密封。
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公开(公告)号：CN102815658B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110391090.8
申请日：2011-11-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B2207/07 , B81C2203/035
Abstract: 本发明涉及集成电路制造，而更具体地涉及的是带有金属合金的半导体器件。用于器件的示例性结构包括第一硅衬底；第二硅衬底；以及连接第一硅衬底和第二硅衬底中的每个的触点，其中，该触点包括与第一硅衬底邻近的Ge层、与第二硅衬底邻近的Cu层以及处在Ge层和Cu层之间的金属合金。
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公开(公告)号：CN103928699B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310156467.0
申请日：2013-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01M10/04
CPC classification number: H01M10/0436 , H01M4/0421 , H01M4/13 , H01M6/40 , H01M10/02 , H01M10/049 , H01M10/052 , H01M10/0585 , H01M2010/0495 , H01M2220/30 , Y10T29/49114
Abstract: 本发明提供了一种集成结构的一个实施例，该集成结构包括由埋置在第一半导体衬底中的第一导电材料形成的第一电极；由埋置在第二半导体衬底中的第二导电材料形成的第二电极；以及设置在第一和第二电极之间的电解质。通过接合焊盘将第一和第二半导体衬底接合在一起，从而使得第一和第二电极被封闭在第一和第二半导体衬底之间。第二导电材料不同于第一导电材料。本发明还提供了一种具有微电池的半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN103928699A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310156467.0
申请日：2013-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01M10/04
CPC classification number: H01M10/0436 , H01M4/0421 , H01M4/13 , H01M6/40 , H01M10/02 , H01M10/049 , H01M10/052 , H01M10/0585 , H01M2010/0495 , H01M2220/30 , Y10T29/49114
Abstract: 本发明提供了一种集成结构的一个实施例，该集成结构包括由埋置在第一半导体衬底中的第一导电材料形成的第一电极；由埋置在第二半导体衬底中的第二导电材料形成的第二电极；以及设置在第一和第二电极之间的电解质。通过接合焊盘将第一和第二半导体衬底接合在一起，从而使得第一和第二电极被封闭在第一和第二半导体衬底之间。第二导电材料不同于第一导电材料。本发明还提供了一种具有微电池的半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102815658A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110391090.8
申请日：2011-11-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B2207/07 , B81C2203/035
Abstract: 本发明涉及集成电路制造，而更具体地涉及的是带有金属合金的半导体器件。用于器件的示例性结构包括第一硅衬底；第二硅衬底；以及连接第一硅衬底和第二硅衬底中的每个的触点，其中，该触点包括与第一硅衬底邻近的Ge层、与第二硅衬底邻近的Cu层以及处在Ge层和Cu层之间的金属合金。
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