公开(公告)号：CN113257811A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202011320889.3

申请日：2020-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴俊廷 ,  苏钦豪 ,  王志彬

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。半导体器件包括第一导电部件和第二导电部件。第一钝化层位于第一导电部件和第二导电部件之间。第二钝化层位于第一导电部件和第二导电部件之间并且在第一钝化层上方。第一钝化层接触第二钝化层的界面的最低部分位于第一导电部件的高度的40％以下或60％以上。

公开(公告)号：CN103964365B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310162964.1

申请日：2013-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简廷颖 ,  邱义勋 ,  苏钦豪 ,  倪其聪

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: B81C1/00825 ,  B81B2207/03 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/054 ,  H01L21/50 ,  H01L22/32 ,  H01L23/10 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32268 ,  H01L2224/83123 ,  H01L2224/83127 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83

Abstract: 公开了用于密封环结构的方法和装置。可以在第一晶圆和/或第二晶圆上形成晶圆密封环。在第一晶圆和/或第二晶圆中的一个或两个上可以形成有一个或多个管芯。晶圆密封环可以围绕对应的晶圆的管芯形成。一个或多个管芯密封环可以围绕一个或多个管芯形成。晶圆密封环可以形成为高度可以约等于在第一晶圆和/或第二晶圆上形成的一个或多个管芯密封环的高度。可以形成晶圆密封环以实现共晶或者熔融接合工艺。可以将第一晶圆和第二晶圆接合在一起以在第一晶圆和第二晶圆之间形成密封环结构。密封环结构可以在第一晶圆和第二晶圆之间提供密封。

公开(公告)号：CN102815658B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110391090.8

申请日：2011-11-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱义勋 ,  简廷颖 ,  苏钦豪 ,  倪其聪

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B2207/07 ,  B81C2203/035

Abstract: 本发明涉及集成电路制造，而更具体地涉及的是带有金属合金的半导体器件。用于器件的示例性结构包括第一硅衬底；第二硅衬底；以及连接第一硅衬底和第二硅衬底中的每个的触点，其中，该触点包括与第一硅衬底邻近的Ge层、与第二硅衬底邻近的Cu层以及处在Ge层和Cu层之间的金属合金。

公开(公告)号：CN102683312B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210057624.8

申请日：2012-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 倪其聪 ,  王乙翕 ,  李欣桂 ,  苏钦豪

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  B81B7/00

CPC classification number: H01L21/768 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11826 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13669 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/165 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种制造集成电路的方法，并且更具体地制造具有金属合金的半导体器件的方法。半导体器件的示例结构包括具有第一触点的第一硅衬底，该第一触点包括在该衬底和第一金属层之间的硅化物层；具有第二触点的第二硅衬底，该第二触点包括第二金属层；以及在第一触点的第一金属层和第二触点的第二金属层之间的金属合金。

公开(公告)号：CN113257811B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202011320889.3

申请日：2020-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴俊廷 ,  苏钦豪 ,  王志彬

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。半导体器件包括第一导电部件和第二导电部件。第一钝化层位于第一导电部件和第二导电部件之间。第二钝化层位于第一导电部件和第二导电部件之间并且在第一钝化层上方。第一钝化层接触第二钝化层的界面的最低部分位于第一导电部件的高度的40％以下或60％以上。

公开(公告)号：CN102157450B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010254693.9

申请日：2010-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  夏兴国 ,  林浩勋 ,  赵治平 ,  苏钦豪 ,  郑锡圭

IPC: H01L21/8249 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置的制造方法包括提供一基板，于基板上形成第一类型晶体管和第二类型晶体管。遮蔽第一类型晶体管，且于第二类型晶体管上形成第一硅化物区域。遮蔽第二类型晶体管，且于第一类型晶体管上形成第二硅化物区域，第二硅化物具有不同于第一硅化物的至少一特性，因而允许在各别元件上形成特定的硅化物区域。当工艺成本保持在一最小值时，允许较大最佳化和工艺控制。

公开(公告)号：CN103964365A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310162964.1

申请日：2013-05-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简廷颖 ,  邱义勋 ,  苏钦豪 ,  倪其聪

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: B81C1/00825 ,  B81B2207/03 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/035 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/054 ,  H01L21/50 ,  H01L22/32 ,  H01L23/10 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32148 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32268 ,  H01L2224/83123 ,  H01L2224/83127 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83

Abstract: 公开了用于密封环结构的方法和装置。可以在第一晶圆和/或第二晶圆上形成晶圆密封环。在第一晶圆和/或第二晶圆中的一个或两个上可以形成有一个或多个管芯。晶圆密封环可以围绕对应的晶圆的管芯形成。一个或多个管芯密封环可以围绕一个或多个管芯形成。晶圆密封环可以形成为高度可以约等于在第一晶圆和/或第二晶圆上形成的一个或多个管芯密封环的高度。可以形成晶圆密封环以实现共晶或者熔融接合工艺。可以将第一晶圆和第二晶圆接合在一起以在第一晶圆和第二晶圆之间形成密封环结构。密封环结构可以在第一晶圆和第二晶圆之间提供密封。

公开(公告)号：CN113130386A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011460003.5

申请日：2020-12-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊强 ,  吴俊廷 ,  苏钦豪 ,  王志彬

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种集成电路结构及其形成方法，集成电路结构形成方法包含将金属线形成在一互连结构上，凸块下金属互连结构形成在晶体管上方；使用不具有射频偏压功率的第一高密度电浆化学气相沉积将一衬垫层沉积在多个金属线上；使用具有射频偏压功率的第二高密度电浆化学气相沉积制程制程将一第一钝化层沉积在凸块下金属衬垫层上；以及使用具有射频偏压功率的第三高密度电浆化学气相沉积制程沉积与凸块下金属第一钝化层的一上表面接触的一第二钝化层。

公开(公告)号：CN102683312A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210057624.8

申请日：2012-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 倪其聪 ,  王乙翕 ,  李欣桂 ,  苏钦豪

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  B81B7/00

CPC classification number: H01L21/768 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11826 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13669 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/165 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种制造集成电路的方法，并且更具体地制造具有金属合金的半导体器件的方法。半导体器件的示例结构包括具有第一触点的第一硅衬底，该第一触点包括在该衬底和第一金属层之间的硅化物层；具有第二触点的第二硅衬底，该第二触点包括第二金属层；以及在第一触点的第一金属层和第二触点的第二金属层之间的金属合金。

公开(公告)号：CN102157450A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010254693.9

申请日：2010-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶德强 ,  夏兴国 ,  林浩勋 ,  赵治平 ,  苏钦豪 ,  郑锡圭

IPC: H01L21/8249 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置的制造方法包括提供一基板，于基板上形成第一类型晶体管和第二类型晶体管。遮蔽第一类型晶体管，且于第二类型晶体管上形成第一硅化物区域。遮蔽第二类型晶体管，且于第一类型晶体管上形成第二硅化物区域，第二硅化物具有不同于第一硅化物的至少一特性，因而允许在各别元件上形成特定的硅化物区域。当工艺成本保持在一最小值时，允许较大最佳化和工艺控制。