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公开(公告)号:CN118861803A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410837378.0
申请日:2024-06-26
Applicant: 国网山东省电力公司信息通信公司 , 浙江大学
Inventor: 朱国朋 , 魏永静 , 吕新荃 , 卢奕 , 马恺 , 张璞 , 韩光明 , 王立君 , 王世豪 , 任廷鑫 , 刘炜 , 王晓勇 , 田安琪 , 江颖洁 , 赵子昊 , 李丽 , 陈美欣 , 周阅 , 金浩
IPC: G06F18/241 , G06F18/10 , G06N3/0464 , G06N3/08 , H04B15/00
Abstract: 本发明公开一种基于人工智能的声表面波无源无线传感系统抗干扰方法,首先获取不同频率下包括噪声、正常响应和干扰在内的各种声表面波回波信号的射频信号强度数据,并为其赋予不同的标签;将射频信号强度数据依次进行预处理、标准化、独热编码、添加一个额外的维度,使数据变成三维形式;构建训练注意力机制的一维CNN神经网络分类模型,模型包括用于提取射频信号强度数据的时频特征且卷积核的大小为1填充为1步幅为1的一维卷积层,以及对一维卷积层提取的时频特征进行加权平均的注意力机制模块;利用训练后的一维CNN神经网络模型输出新的声表面波回波信号的类别。本发明在实现抗干扰时,可以保留回波信号的时域和频域信息,减少了信息的丢失,提高信号重建质量和可靠性。
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公开(公告)号:CN119535361A
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202411728136.4
申请日:2024-11-28
Applicant: 国网山东省电力公司信息通信公司
Inventor: 王世豪 , 于秋生 , 朱国朋 , 朱尤祥 , 张彦 , 任廷鑫 , 卢奕 , 刘炜 , 王琪 , 王锐 , 韩光明 , 王立君 , 马恺 , 马良 , 孙超 , 吕德品 , 肖沈阳 , 谢高鹏 , 宓生润 , 汪晓亮 , 周阅 , 金浩
IPC: G01S5/22 , H01M10/42 , G01R31/396 , G01R31/382
Abstract: 本发明提出基于声学的电池热失控预警定位方法、系统、设备及介质,基于热失控早期阶段安全阀动作声音进行判断,能够实现热失控的提前预警以便提前干预;采用的声到达时间差和粒子滤波结合的定位算法能够实现热失控电芯单体的精确定位,可显示出异常电芯单体的具体位置,使热失控处理能够精确到具体的电芯单体。
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公开(公告)号:CN119139615B
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411604811.2
申请日:2024-11-12
Abstract: 本发明公开了一种个性化反馈电刺激的异常姿态精准康复系统,该系统包括主控模块、上位机处理模块、惯性传感单元和表面电极,能够实时采集用户特定点位的表面肌电信号sEMG以及背部姿态数据并输出特定强度的电刺激辅助用户准确地、有效地矫正不良姿态。通过背部多点位惯性传感单元IMU分析用户当前姿态,通过胸部与背部肌肉的肌电信号的平均整流肌电值AEMG分析肌肉收缩状态,同时系统通过在用户背部贴附的表面电极可输出反馈电刺激。基于个性化反馈电刺激算法,融合用户个性化数据、当前姿态、肌肉收缩状态的分析,输出个性化的强度合理的电刺激参数准确辅助用户收缩背部肌肉,从而到达对背部肌肉收缩的锻炼以及不良姿态矫正的目的。
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公开(公告)号:CN119139615A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202411604811.2
申请日:2024-11-12
Abstract: 本发明公开了一种个性化反馈电刺激的异常姿态精准康复系统,该系统包括主控模块、上位机处理模块、惯性传感单元和表面电极,能够实时采集用户特定点位的表面肌电信号sEMG以及背部姿态数据并输出特定强度的电刺激辅助用户准确地、有效地矫正不良姿态。通过背部多点位惯性传感单元IMU分析用户当前姿态,通过胸部与背部肌肉的肌电信号的平均整流肌电值AEMG分析肌肉收缩状态,同时系统通过在用户背部贴附的表面电极可输出反馈电刺激。基于个性化反馈电刺激算法,融合用户个性化数据、当前姿态、肌肉收缩状态的分析,输出个性化的强度合理的电刺激参数准确辅助用户收缩背部肌肉,从而到达对背部肌肉收缩的锻炼以及不良姿态矫正的目的。
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公开(公告)号:CN119499547A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411766066.1
申请日:2024-12-04
Abstract: 本发明公开了一种基于表面肌电反馈技术的便携式可穿戴废用性肌萎缩治疗系统,包括一对装置、纽扣式水凝胶电极片和上位机;一对装置通过纽扣式水凝胶电极片分别佩戴在患者左右侧对称肌肉处,用于采集两块肌肉的肌电信号,并对两块肌肉进行电刺激;装置中硬件电路与上位机通讯,接收控制指令,并将采集的肌电信号发送至上位机;并控制电刺激幅值、频率、脉宽参数来输出电刺激波形;上位机用于设置电刺激参数、接收肌电信号数据并处理,根据患者的肌电值来决定是否触发电刺激,包含肌电反馈训练模式以及康复治疗效果评估模块,计算患者在治疗过程中的左右侧肌肉RMS、MVC和MPF参数并测量左右侧肌肉的肢体周径,来评估治疗效果。
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公开(公告)号:CN114712704B
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202210276091.6
申请日:2022-03-21
Applicant: 浙江大学
IPC: A61N1/36
Abstract: 本发明公开了一种基于生物阻抗的电刺激脉冲波形实时调控方法,包括:步骤1、通过扫频方式测定生物刺激位点在不同频率下的阻抗值,获得频率‑阻抗谱曲线;步骤2、根据生物组织等效RC电路及其转折频率区间,从频率‑阻抗谱曲线截取位于转折频率区间内的曲线进行数据拟合,获得等效RC电路关系公式;步骤3、构建电脉冲波形调控模型;步骤4、将预设电刺激脉冲与扫频结果输入至电脉冲波形调控模型中,经计算分析与筛选,使输出电压值的电刺激脉冲波形与预设电刺激脉冲波形一致。本发明还提供了一种基于电脉冲波形调控模型的装置。通过本发明提供的电脉冲波形调控模型,避免电刺激脉冲波形的失真问题,从而提高的电刺激治疗效果。
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公开(公告)号:CN110205600B
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN201910598742.1
申请日:2019-07-04
Applicant: 浙江大学昆山创新中心
Abstract: 本发明公开了一种耐高温双用途晶控仪,包括于真空室内与衬底支架相连的石英片载台、置于真空室内与石英片载台连接的射频接线座和置于真空室外的晶控主机,所述石英片载台包括相对的上载台和下载台,分别用于放置一片石英晶片,所述上载台石英晶片其中一面以适当面积正对镀膜方向裸露,所述下载台石英晶片置于镀膜方向的反方向,且只通过少量通气孔暴露于外面,使其在镀膜时不会被沉积上薄膜,所述上载台和所述下载台之间良好导热。本装置可在高温镀膜环境下应用,无需水冷装置,一方面消除了镀膜阴影,降低了漏气漏水概率,另一方面也便于晶片载台和射频接线座的设计和制作,且结构小巧,制作成本低,同时该晶控仪可以在镀膜时实时测量膜厚和温度。
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公开(公告)号:CN113304398B
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202110652543.1
申请日:2021-06-11
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种快速智能定位体表神经肌肉运动位点的电刺激系统及方法,电刺激系统包括BLE微控制器、电池、电源管理模块、智能刺激升压模块、双向刺激输出与恒流模块、采集模块、协同刺激与安全保护模块、电极阵列、加速度传感器等,可以智能搜寻并精确定位到神经肌肉运动位点。通过上位机程序或者手机APP与BLE微控制器进行通讯,设置电刺激参数,在电刺激前让电极阵列在待刺激肌肉表面进行扫描,从而识别到神经肌肉运动位点。识别完成后,电刺激系统将自动在神经肌肉运动位点上按照设置的参数实施电刺激。本发明有效解决了目前神经肌肉运动位点的识别依赖医护人员手动操作和经验的技术问题,能够缓解电刺激带来的不适感以及提高治疗效果。
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公开(公告)号:CN113810018B
公开(公告)日:2023-03-24
申请号:CN202111003699.3
申请日:2021-08-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H03H3/02 , H03H9/17 , H10N30/04 , H10N30/072
Abstract: 本发明公开一种激光剥离方式制备单晶薄膜体声波谐振器的方法,该方法通过离子注入的方式,仅对单晶压电薄膜生长衬底进行处理或者对已经沉积单晶压电薄膜层后的单晶压电薄膜生长衬底进行处理,从而使单晶压电薄膜生长衬底表面形成缺陷层,然后再通过退火工艺,使所述缺陷层表面形成衬底修复层;最后在器件制备过程中,通过激光辐照,使所述缺陷层分解,从而实现衬底与器件的分离。本发明的方法可以解决单晶FBAR制备过程中衬底机械减薄带来的单晶薄膜损伤而严重影响器件性能的问题,且能够回收利用衬底,降低制备成本。
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公开(公告)号:CN114496746A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202111483162.1
申请日:2021-12-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/18 , H01L21/60 , H01L23/488 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/24 , C23C16/50 , C23C16/56 , C30B25/02 , C30B29/40
Abstract: 本发明公开了一种异质外延薄膜外延层的表面处理方法,包括提供外延衬底,在所述外延衬底上表面制备一外延层,提供待键合层;键合所述外延层和所述待键合层;机械减薄抛光所述外延衬底下表面,当所述外延衬底的厚度减薄至20‑40μm时停止抛光,在减薄后的外延衬底下表面旋涂一层含Si抗反射涂层/有机碳层的光刻胶三层结构掩膜;对所述光刻胶三层结构掩膜表面加热后进行化学机械减薄抛光,得到三层结构掩膜平坦化的外延衬底;干法刻蚀CMP抛光后的外延衬底表面直至所述外延层外漏得到异质外延薄膜外延层。该方法能够使得转移剥离露出的外延层的厚度均匀性较好。
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