公开(公告)号：CN104752337B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201410679759.7

申请日：2014-11-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·R·巴特拉 ,  J·W·格尔兹 ,  M·杰库斯基 ,  桐畑外志昭

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2224/80

Abstract: 本公开提供了半导体结构及其形成方法。本发明的实施例通常涉及诸如半导体晶片的电子元件，并且更具体地涉及用于使用穿硅通孔(TSV)和背面布线的布置的多个半导体晶片的双面三维(3D)分层体系结构方案。在实施例中，第一字线体系结构可以在IC芯片的正面上形成，并且通过晶片内TSV连接到在IC芯片背面上形成的第二字线体系结构，从而重新安置到IC芯片的背面的需要的布线。

公开(公告)号：CN104752337A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410679759.7

申请日：2014-11-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·R·巴特拉 ,  J·W·格尔兹 ,  M·杰库斯基 ,  桐畑外志昭

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2224/80

Abstract: 本公开提供了半导体结构及其形成方法。本发明的实施例通常涉及诸如半导体晶片的电子元件，并且更具体地涉及用于使用穿硅通孔(TSV)和背面布线的布置的多个半导体晶片的双面三维(3D)分层体系结构方案。在实施例中，第一字线体系结构可以在IC芯片的正面上形成，并且通过晶片内TSV连接到在IC芯片背面上形成的第二字线体系结构，从而重新安置到IC芯片的背面的需要的布线。

公开(公告)号：CN104752366A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410679773.7

申请日：2014-11-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·R·巴特拉 ,  J·W·格尔兹 ,  S·S·伊耶 ,  小道格拉斯·C·拉图利佩 ,  S·斯科尔达斯 ,  K·R·温斯特尔

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/768 ,  H01L25/065 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/528 ,  H01L24/32 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/14 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76877 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开涉及用于制造3D集成方案的结构和方法。本发明的实施例涉及利用晶片内硅通孔(TSV)和晶片间TSV的布置制造用于多个半导体晶片的3D集成方案的结构和方法，其中晶片内TSV把第一集成电路(IC)芯片的前侧电连接到第一IC芯片的背侧上的大的背侧布线，而晶片间TSV把第一IC芯片电连接到第二IC芯片。