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公开(公告)号：CN108203807B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201611175322.5
申请日：2016-12-19
Applicant: 宁波森利电子材料有限公司 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有优良环境稳定性的氧化锌透明导电材料及其制备方法。具体地，本发明公开了一种氧化锌薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)提供经掺杂的氧化锌基靶材；2)将所述经掺杂的氧化锌基靶材置于磁控溅射设备中，抽真空达到第一压力；3)通入第一气体和第二气体的混合气体，直至腔体内部达到第二压力；4)在基片上使用所述经掺杂的氧化锌基靶材进行磁控溅射制膜，得到所述氧化锌薄膜。本发明还公开了以所述制备方法制得的氧化锌薄膜及其应用。所述氧化锌薄膜兼具优异光电特性和环境稳定性，因此可广泛应用于各种场合。所述制备方法具有工艺简单、成本低、可直接在现有设备上实施的特点。
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公开(公告)号：CN108546109A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810432307.7
申请日：2018-05-08
Applicant: 宁波森利电子材料有限公司
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C23C14/34
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B2235/3217 , C04B2235/602 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/96 , C23C14/3414
Abstract: 本发明公开了一种氧空位可控的大尺寸AZO磁控溅射靶材制备方法，包、AZO陶瓷坯体的成型、坯体高温烧结、切割和打磨成规定尺寸等步骤。本发明的优点是：所制的靶材尺寸大、较为致密、成本较低。
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公开(公告)号：CN108203297B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201611175290.9
申请日：2016-12-19
Applicant: 宁波森利电子材料有限公司
IPC: C04B35/46 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种导电氧化钛陶瓷溅射靶材及其制备方法。具体地，本发明公开了一种氧化钛靶材的制备方法，包括如下步骤：1)提供改性的氧化钛纳米粉体；2)将所述改性的氧化钛纳米粉体压制成型为陶瓷坯体；3)在真空气氛或惰性气氛下，烧结处理所述陶瓷坯体，得到所述氧化钛靶材。本发明还公开了使用所述方法制得的氧化钛靶材及以所述靶材溅射所得氧化钛薄膜。所述方法工艺简单、成本低且易于获得性能均一稳定的氧化钛靶材，进而可获得性能优异的氧化钛薄膜。
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公开(公告)号：CN106676487A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610880632.0
申请日：2016-10-09
Applicant: 宁波森利电子材料有限公司
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/086 , C23C14/35
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌基陶瓷溅射靶材及其制备方法和应用。具体地，本发明公开了一种氧化锌基靶材的制备方法，所述制备方法采用高浓度掺杂的氧化锌纳米粉体与纯氧化锌纳米粉体作为原料，可以实现极低含量的掺杂元素在所得靶材中的均匀分布，并且由于原料均为纳米级，因而可在较低的烧结温度下烧结制得晶粒尺寸小且致密度高的氧化锌基靶材。本发明还公开了所述氧化锌基靶材及其应用。所述制备方法具有工艺简单、成本低、安全环保、可大规模推广的特点。
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公开(公告)号：CN112725752A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011549209.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 宁波森利电子材料有限公司
Abstract: 本发明涉及光电材料技术领域，公开一种镁掺杂氧化锌磁控溅射靶材及其制备方法，其制备方法，包括步骤：(1)向氧化锌粉体中掺杂氧化镁粉体和第三氧化物粉体，混合后与乙醇溶液混合形成浆料；(2)将浆料球磨后干燥，过筛，得到成型用粉体；(3)将粉体冷等静压形成坯体；(4)将坯体慢速升温至900～1150℃，保温30～90min，再快速升温至烧结温度1300～1450℃，保温120～480min，慢速降温形成半成品；经切割、打磨，得到所述镁掺杂氧化锌磁控溅射靶材。该靶材的致密度高，相对密度大于95％以上，同时电阻率较低可达4×10‑2，远低于现有技术中的靶材电阻，导电效果好，能够满足镀膜产线中频快速溅射的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108546109B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201810432307.7
申请日：2018-05-08
Applicant: 宁波森利电子材料有限公司
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C23C14/34
Abstract: 本发明公开了一种氧空位可控的大尺寸AZO磁控溅射靶材制备方法，包、AZO陶瓷坯体的成型、坯体高温烧结、切割和打磨成规定尺寸等步骤。本发明的优点是：所制的靶材尺寸大、较为致密、成本较低。
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公开(公告)号：CN106676487B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610880632.0
申请日：2016-10-09
Applicant: 宁波森利电子材料有限公司
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌基陶瓷溅射靶材及其制备方法和应用。具体地，本发明公开了一种氧化锌基靶材的制备方法，所述制备方法采用高浓度掺杂的氧化锌纳米粉体与纯氧化锌纳米粉体作为原料，可以实现极低含量的掺杂元素在所得靶材中的均匀分布，并且由于原料均为纳米级，因而可在较低的烧结温度下烧结制得晶粒尺寸小且致密度高的氧化锌基靶材。本发明还公开了所述氧化锌基靶材及其应用。所述制备方法具有工艺简单、成本低、安全环保、可大规模推广的特点。
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公开(公告)号：CN108947518A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810922772.9
申请日：2018-08-14
Applicant: 宁波森利电子材料有限公司
IPC: C04B35/453 , C04B35/64 , C03C17/36
CPC classification number: C04B35/453 , C03C17/3644 , C03C17/366 , C03C2217/216 , C03C2217/256 , C03C2217/734 , C03C2218/156 , C04B35/64 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/608 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567
Abstract: 本发明公开了一种多元掺杂的ZnO镀膜材料，所述多元掺杂的ZnO镀膜材料的原料组份包括：氧化锌粉体与掺杂氧化物粉体，其中，掺杂氧化物粉体质量/(氧化锌粉体质量+掺杂氧化物粉体质量)＝1～10wt％，同时，该掺杂氧化物粉体由第一掺杂组份与第二掺杂组份构成，该第一掺杂组份为氧化铟，其含量为总掺杂氧化物粉体质量的30～100wt％，该第二掺杂组份为氧化镓、氧化钇、氧化锡、氧化硅、氧化钛中的一种，其含量为总掺杂氧化物粉体质量的0～70wt％，以及，该多元掺杂的ZnO镀膜材料的原料中不包括氧化铝成分。本发明的优点是：综合性能较佳。本发明还公开了该多元掺杂的ZnO镀膜材料的制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN108203807A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201611175322.5
申请日：2016-12-19
Applicant: 宁波森利电子材料有限公司 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/086 , C23C14/3414
Abstract: 本发明涉及一种具有优良环境稳定性的氧化锌透明导电材料及其制备方法。具体地，本发明公开了一种氧化锌薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)提供经掺杂的氧化锌基靶材；2)将所述经掺杂的氧化锌基靶材置于磁控溅射设备中，抽真空达到第一压力；3)通入第一气体和第二气体的混合气体，直至腔体内部达到第二压力；4)在基片上使用所述经掺杂的氧化锌基靶材进行磁控溅射制膜，得到所述氧化锌薄膜。本发明还公开了以所述制备方法制得的氧化锌薄膜及其应用。所述氧化锌薄膜兼具优异光电特性和环境稳定性，因此可广泛应用于各种场合。所述制备方法具有工艺简单、成本低、可直接在现有设备上实施的特点。
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公开(公告)号：CN108203297A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201611175290.9
申请日：2016-12-19
Applicant: 宁波森利电子材料有限公司
IPC: C04B35/46 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种导电氧化钛陶瓷溅射靶材及其制备方法。具体地，本发明公开了一种氧化钛靶材的制备方法，包括如下步骤：1)提供改性的氧化钛纳米粉体；2)将所述改性的氧化钛纳米粉体压制成型为陶瓷坯体；3)在真空气氛或惰性气氛下，烧结处理所述陶瓷坯体，得到所述氧化钛靶材。本发明还公开了使用所述方法制得的氧化钛靶材及以所述靶材溅射所得氧化钛薄膜。所述方法工艺简单、成本低且易于获得性能均一稳定的氧化钛靶材，进而可获得性能优异的氧化钛薄膜。
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