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公开(公告)号：CN103906703B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280052127.7
申请日：2012-09-20
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: B05D1/007 , B05B5/04 , B22F2009/0888 , B22F2009/0892 , B22F2202/06 , D01D5/0061 , D01D5/0092 , D01D11/06 , D01F1/09 , D01F6/50
Abstract: 本发明的实施方式大体包括用于在电子纺丝工艺期间按照预定图案沉积纳米线的设备和方法。设备包括喷嘴和电压源，所述喷嘴用于容纳和喷射沉积材料，所述电压源耦接至所述喷嘴以喷射所述沉积材料。一个或更多个电场整形装置被安置以对靠近基板的电场整形，以控制所喷射的沉积材料的轨迹。所述电场整形装置使电场收敛于基板表面附近的点，以按照预定图案将沉积材料精确地沉积在基板上。所述方法包括以下步骤：施加电压到喷嘴以朝基板喷射带电的沉积材料，以及对一个或更多个电场整形以控制带电的沉积材料的轨迹。随后按照预定图案将所述沉积材料沉积在基板上。
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公开(公告)号：CN105144421B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201480022508.X
申请日：2014-04-21
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文所公开的实施方式大致上是有关于一种精细金属掩模的主动对准。所述精细金属掩模通过多个微致动器和框架连接。微致动器可以作用在精细金属掩模上，用以拉伸精细金属掩模、重新定位精细金属掩模或进行上述动作的组合。通过这样的方式，可以维持精细金属掩模相对于基板的位置与尺寸。
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公开(公告)号：CN105051906A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480014434.5
申请日：2014-03-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908
Abstract: 本发明大致关于一种薄膜半导体器件，所述器件具有形成于半导体层与一个或更多个层之间的缓冲层。在一实施方式中，薄膜半导体器件包括：半导体层，具有第一功函数及第一电子亲和力水平；缓冲层，具有比第一功函数更大的第二功函数及比第一电子亲和力水平更低的第二电子亲和力水平；以及栅介电层，具有比第二功函数更小的第三功函数及比第二电子亲和力水平更高的第三电子亲和力水平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104081544B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201380006710.9
申请日：2013-01-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/056 , H01L31/0224
Abstract: 本发明的实施方式大体提供硅基光电(photovoltaic；PV)装置，所述硅基光电装置包括高功函数(high work‑function；HWF)缓冲层，所述HWF缓冲层设置在透明导电氧化物(transparent conductive oxide；TCO)层与p‑i‑n结的p型硅基层之间。所述PV装置通常具有透明基板、设置在所述透明基板上的第一TCO层、设置在所述第一TCO层上的HWF缓冲层、设置在所述高功函数缓冲层上的p‑i‑n结、设置在n型硅基层上的第二TCO层和设置在所述第二TCO层上的金属反射层。所述p‑i‑n结包括设置在p型硅基层与n型硅基层之间的本征层，并且所述p型硅基层与所述HWF缓冲层接触。
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公开(公告)号：CN105144421A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480022508.X
申请日：2014-04-21
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L51/0012 , C23C14/042 , G02B26/02 , H01L51/0011 , H01L51/56
Abstract: 本文所公开的实施方式大致上是有关于一种精细金属掩模的主动对准。所述精细金属掩模通过多个微致动器和框架连接。微致动器可以作用在精细金属掩模上，用以拉伸精细金属掩模、重新定位精细金属掩模或进行上述动作的组合。通过这样的方式，可以维持精细金属掩模相对于基板的位置与尺寸。
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公开(公告)号：CN105051906B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201480014434.5
申请日：2014-03-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908
Abstract: 本发明大致关于一种薄膜半导体器件，所述器件具有形成于半导体层与一个或更多个层之间的缓冲层。在一实施方式中，薄膜半导体器件包括：半导体层，具有第一功函数及第一电子亲和力水平；缓冲层，具有比第一功函数更大的第二功函数及比第一电子亲和力水平更低的第二电子亲和力水平；以及栅介电层，具有比第二功函数更小的第三功函数及比第二电子亲和力水平更高的第三电子亲和力水平。
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公开(公告)号：CN104081544A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380006710.9
申请日：2013-01-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/056 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/0288 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/028 , H01L31/03682 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/056 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/077 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明的实施方式大体提供硅基光电(photovoltaic；PV)装置，所述硅基光电装置包括高功函数(high work-function；HWF)缓冲层，所述HWF缓冲层设置在透明导电氧化物(transparent conductive oxide；TCO)层与p-i-n结的p型硅基层之间。所述PV装置通常具有透明基板、设置在所述透明基板上的第一TCO层、设置在所述第一TCO层上的HWF缓冲层、设置在所述高功函数缓冲层上的p-i-n结、设置在n型硅基层上的第二TCO层和设置在所述第二TCO层上的金属反射层。所述p-i-n结包括设置在p型硅基层与n型硅基层之间的本征层，并且所述p型硅基层与所述HWF缓冲层接触。
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公开(公告)号：CN103906703A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280052127.7
申请日：2012-09-20
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: B05D1/007 , B05B5/04 , B22F2009/0888 , B22F2009/0892 , B22F2202/06 , D01D5/0061 , D01D5/0092 , D01D11/06 , D01F1/09 , D01F6/50
Abstract: 本发明的实施方式大体包括用于在电子纺丝工艺期间按照预定图案沉积纳米线的设备和方法。设备包括喷嘴和电压源，所述喷嘴用于容纳和喷射沉积材料，所述电压源耦接至所述喷嘴以喷射所述沉积材料。一个或更多个电场整形装置被安置以对靠近基板的电场整形，以控制所喷射的沉积材料的轨迹。所述电场整形装置使电场收敛于基板表面附近的点，以按照预定图案将沉积材料精确地沉积在基板上。所述方法包括以下步骤：施加电压到喷嘴以朝基板喷射带电的沉积材料，以及对一个或更多个电场整形以控制带电的沉积材料的轨迹。随后按照预定图案将所述沉积材料沉积在基板上。
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