公开(公告)号：CN108026492B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201680052243.7

申请日：2016-08-04

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： R·L-K·常 ,  G·E·帕里斯 ,  陈秀美 ,  李翊嘉 ,  刘文达 ,  陈天牛 ,  L·M·马兹 ,  R·L·C·洛 ,  孟令人

IPC: C11D11/00 ,  C11D3/39 ,  C11D3/34 ,  C11D3/00

Abstract: 本文公开了用于剥离膜厚度为3‑150μm的光刻胶图案的光刻胶清洁组合物，其包含(a)季铵氢氧化物、(b)水溶性有机溶剂的混合物、(c)至少一种腐蚀抑制剂和(d)水，及用该光刻胶清洁组合物处理衬底的方法。

公开(公告)号：CN105733587B

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201511009473.9

申请日：2015-12-29

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： G·E·帕里斯 ,  W·J·小卡斯特尔 ,  陈天牛

IPC: C09K13/02 ,  C23F1/32 ,  C23F1/02

Abstract: 蚀刻组合物和使用所述蚀刻组合物的方法，所述蚀刻组合物包含氢氧化钾；一种或多于一种选自TEAH、TMAF和NH4OH的额外的碱性化合物；和水；或蚀刻组合物包含一种或多于一种选自氢氧化钾、氢氧化铯、氢氧化钠、氢氧化铷或氢氧化锂的无机碱性的碱性氢氧化物；任选的一种或多于一种额外的碱性化合物；水；和任选的一种或多种腐蚀抑制剂；其中所述组合物相对于衬底上存在的二氧化硅优先蚀刻所述衬底上存在的硅。

公开(公告)号：CN108026492A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680052243.7

申请日：2016-08-04

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： R·L-K·常 ,  G·E·帕里斯 ,  陈秀美 ,  李翊嘉 ,  刘文达 ,  陈天牛 ,  L·M·马兹 ,  R·L·C·洛 ,  孟令人

IPC: C11D11/00 ,  C11D3/39 ,  C11D3/34 ,  C11D3/00

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/0073 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/34 ,  C11D7/5009 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  H01L21/31133 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05614 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01047

Abstract: 本文公开了用于剥离膜厚度为3‑150μm的光刻胶图案的光刻胶清洁组合物，其包含(a)季铵氢氧化物、(b)水溶性有机溶剂的混合物、(c)至少一种腐蚀抑制剂和(d)水，及用该光刻胶清洁组合物处理衬底的方法。

公开(公告)号：CN105717756B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201510981707.X

申请日：2015-12-23

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： R·K·阿加瓦尔 ,  M·R·布朗 ,  吴爱萍 ,  D·B·瑞内 ,  李翊嘉 ,  G·E·帕里斯

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及光致抗蚀剂或半导体制造残余物剥离和清洁组合物，其包含水、一种或多种碱性化合物、一种或多种腐蚀抑制剂和一种或多种抗氧化剂的一种或多种氧化产物，及制备所述组合物的方法和使用所述组合物的方法。

公开(公告)号：CN105739251B

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201511020997.8

申请日：2015-12-30

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： 刘文达 ,  李翊嘉 ,  陈天牛 ,  W·J·小卡斯特尔 ,  稻冈诚二 ,  G·E·帕里斯

IPC: G03F7/42

Abstract: 用于清洁集成电路衬底的组合物，所述组合物包含：水；氧化剂，其包含氧化物质的铵盐；腐蚀抑制剂，其包含具有通式R'NH2的伯烷基胺，其中R'是包含最多约150个碳原子的烷基且将更通常是包含约4到约30个碳原子的脂族烷基；任选的水可混溶的有机溶剂；任选的有机酸；任选的缓冲物质；任选的氟化物离子源；和任选的金属螯合剂。