公开(公告)号：CN104064600B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410283101.4

申请日：2014-06-23

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 吉扬永 ,  张磊 ,  傅达平 ,  连延杰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7823

Abstract: 本申请公开了一种上拉双扩散金属氧化物半导体及其制作方法。所述上拉双扩散金属氧化物半导体包括：衬底、外延层、第一阱区、第二阱区、基区、体接触区、源接触区、漏接触区、场氧、栅氧、厚栅氧、多晶硅栅、源极电极、漏极电极、栅极电极，所述多晶硅栅包括终端部分和普通部分，所述终端部分包括有源多晶硅、在栅氧和厚栅氧上的第一延伸多晶硅、以及在厚栅氧和场氧上的第二延伸多晶硅。所述上拉双扩散金属氧化物半导体在小的终端面积情况下具有更高的击穿电压。

公开(公告)号：CN102931191B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201210426365.1

申请日：2012-10-31

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 张磊 ,  李铁生 ,  马荣耀

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/098 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L29/66893 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/085 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7832 ,  H01L29/8083

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。在一示例中，半导体器件可以包括：衬底；和在衬底上形成的槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和垂直型结型场效应晶体管(JFET)。MOSFET可以包括：在衬底中形成的槽型栅区；和在衬底中形成的源区和漏区。JFET可以包括：在衬底中形成的槽填充部底端下方形成的栅区；和在衬底中形成的源区和漏区。JFET的栅区与MOSFET的源区可以在衬底中电接触，JFET的漏区与MOSFET的漏区可以包括衬底的相同部分。

公开(公告)号：CN103346166B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201310231036.6

申请日：2013-06-09

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 李铁生 ,  马荣耀 ,  张磊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。所述器件具有分离沟槽栅结构。该分离沟槽栅结构包括一个屏蔽电极和两个栅电极，其中屏蔽电极的大部分位于栅电极之下，屏蔽电极的剩余部分位于两个栅电极之间，延伸到器件的顶面。该器件进一步包括源金属层，在器件顶面与初始层，阱区，源区和屏蔽电极接触，其中源金属层与初始层的接触形成了集成的肖特基二极管。

公开(公告)号：CN103346166A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310231036.6

申请日：2013-06-09

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 李铁生 ,  马荣耀 ,  张磊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法。所述器件具有分离沟槽栅结构。该分离沟槽栅结构包括一个屏蔽电极和两个栅电极，其中屏蔽电极的大部分位于栅电极之下，屏蔽电极的剩余部分位于两个栅电极之间，延伸到器件的顶面。该器件进一步包括源金属层，在器件顶面与初始层，阱区，源区和屏蔽电极接触，其中源金属层与初始层的接触形成了集成的肖特基二极管。

公开(公告)号：CN102169903A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110077379.2

申请日：2011-03-22

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 张磊 ,  向泱

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明公开了一种LDMOS器件，包括第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底中形成的相互邻接的第一导电类型的体区和第二导电类型的漂移区；在体区中形成的第二导电类型的源极；在漂移区中形成的第二导电类型的漏极；位于源极和漏极之间并且与源极和漂移区邻接的栅介质层；以及位于栅介质层上方的栅极，其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反，其特征在于，所述LDMOS器件还包括电容区域，所述电容区域位于所述源极和漏极之间的漂移区中，包括掺杂多晶硅区域以及将多晶硅区域与漂移区隔开的氧化物层。该LDMOS器件可以在提高击穿电电压的同时获得较小的导通电阻。

公开(公告)号：CN103367451B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201310271755.0

申请日：2013-07-01

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 吉扬永 ,  张磊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816

Abstract: 公开了一种高压半导体器件及其制作方法。所述高压半导体器件包括外延层、第一低压阱、第二低压阱、高压阱、第一重掺杂区、第二重掺杂区、第三重掺杂区、场氧和栅极区。所述高压半导体器件减少了工艺制作的层数，降低了成本。

公开(公告)号：CN104064600A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410283101.4

申请日：2014-06-23

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 吉扬永 ,  张磊 ,  傅达平 ,  连延杰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7823

Abstract: 本申请公开了一种上拉双扩散金属氧化物半导体及其制作方法。所述上拉双扩散金属氧化物半导体包括：衬底、外延层、第一阱区、第二阱区、基区、体接触区、源接触区、漏接触区、场氧、栅氧、厚栅氧、多晶硅栅、源极电极、漏极电极、栅极电极，所述多晶硅栅包括终端部分和普通部分，所述终端部分包括有源多晶硅、在栅氧和厚栅氧上的第一延伸多晶硅、以及在厚栅氧和场氧上的第二延伸多晶硅。所述上拉双扩散金属氧化物半导体在小的终端面积情况下具有更高的击穿电压。

公开(公告)号：CN102456690B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201010526997.6

申请日：2010-10-22

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 张磊 ,  李铁生

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L21/822 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7806

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：沟槽型的金属氧化物半导体场效应晶体管，形成于n型半导体衬底中；集成的肖特基二极管，位于该金属氧化物半导体场效应晶体管旁边，且包括与该n型半导体衬底接触的正极金属层；以及沟槽隔离结构，位于该金属氧化物半导体场效应晶体管和该肖特基二极管之间，从而阻挡该金属氧化物半导体场效应晶体管的p型阱掺杂区的一部分朝向该肖特基二极管扩散，其中该p型阱掺杂区具有经该沟槽隔离结构下方横向扩散到该肖特基二极管的靠近该沟槽隔离结构的部分区域中的突出部。

公开(公告)号：CN102169903B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201110077379.2

申请日：2011-03-22

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 张磊 ,  向泱

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659

Abstract: 本发明公开了一种LDMOS器件，包括第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底中形成的相互邻接的第一导电类型的体区和第二导电类型的漂移区；在体区中形成的第二导电类型的源极；在漂移区中形成的第二导电类型的漏极；位于源极和漏极之间并且与源极和漂移区邻接的栅介质层；以及位于栅介质层上方的栅极，其中，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反，其特征在于，所述LDMOS器件还包括电容区域，所述电容区域位于所述源极和漏极之间的漂移区中，包括掺杂多晶硅区域以及将多晶硅区域与漂移区隔开的氧化物层。该LDMOS器件可以在提高击穿电电压的同时获得较小的导通电阻。

公开(公告)号：CN102931191A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210426365.1

申请日：2012-10-31

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 张磊 ,  李铁生 ,  马荣耀

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/098 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L29/66893 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/085 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7832 ,  H01L29/8083

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。在一示例中，半导体器件可以包括：衬底；和在衬底上形成的槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和垂直型结型场效应晶体管(JFET)。MOSFET可以包括：在衬底中形成的槽型栅区；和在衬底中形成的源区和漏区。JFET可以包括：在衬底中形成的槽填充部底端下方形成的栅区；和在衬底中形成的源区和漏区。JFET的栅区与MOSFET的源区可以在衬底中电接触，JFET的漏区与MOSFET的漏区可以包括衬底的相同部分。