公开(公告)号：CN105153954B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201510557774.9

申请日：2011-07-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/29 ,  H01L23/29 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜及其用途。本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜，其要设置于倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上，所述倒装芯片型半导体背面用膜包括粘合剂层和层压于粘合剂层上的保护层，其中保护层由具有玻璃化转变温度为200℃以上的耐热性树脂构成或由金属构成，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜为卷绕成卷形物的形式。

公开(公告)号：CN102347264B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201110185003.3

申请日：2011-06-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B37/1284 ,  B32B38/0004 ,  B32B38/10 ,  B32B2405/00 ,  B32B2457/14 ,  C09J7/20 ,  C09J165/00 ,  C09J2201/606 ,  C09J2203/326 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3164 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81095 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T156/1064 ,  Y10T156/1075 ,  Y10T156/1077 ,  Y10T156/1082 ,  Y10T156/1093 ,  Y10T428/1471 ,  Y10T428/1476 ,  Y10T428/1495 ,  Y10T428/15 ,  Y10T428/21 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13099

Abstract: 本发明涉及半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法。本发明涉及半导体器件生产用膜，其包括：隔离膜；和多个粘贴粘合剂层的切割带，所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在切割带上的粘合剂层，所述粘贴粘合剂层的切割带以粘合剂层粘贴至隔离膜的方式以预定间隔层压在隔离膜上，其中所述隔离膜具有沿切割带的外周形成的切口，和切口的深度为不超过所述隔离膜厚度的2/3。

公开(公告)号：CN104040697B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201380004827.3

申请日：2013-01-23

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中俊平 ,  宍户雄一郎 ,  大西谦司 ,  浅井文辉

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J133/04 ,  C09J161/06 ,  C09J163/00 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高胶粘薄膜的切断可靠性并且能够抑制由胶粘薄膜造成的碎片污染的半导体装置的制造方法。本发明提供一种半导体装置的制造方法，其具有如下工序：在半导体晶片(4)的表面形成槽(4S)后，粘贴保护用粘合薄膜(44)，进行半导体晶片的背面磨削，使槽从背面露出的工序；在半导体晶片的背面粘贴胶粘薄膜，然后将保护用粘合薄膜剥离的工序；和沿着露出胶粘薄膜的槽照射波长355nm的激光，将胶粘薄膜切断的工序；胶粘薄膜的(a)波长355nm下的吸光系数为40cm‑1以上、(b)50℃下的拉伸储能弹性模量为0.5MPa以上且20MPa以下、并且(c)120℃下的拉伸储能弹性模量为0.3MPa以上且7MPa以下、或者120℃下的熔融粘度为2000Pa·s以上。

公开(公告)号：CN102222634B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201110099946.4

申请日：2011-04-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  志贺豪士 ,  浅井文辉 ,  杉村敏正

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12042 ,  Y10T428/1467 ,  Y10T428/1471 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括倒装芯片连接至被粘物上的用于保护半导体元件背面的倒装芯片型半导体背面用膜和切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层，所述倒装芯片型半导体背面用膜形成于所述压敏粘合剂层上，其中所述压敏粘合剂层为放射线固化型压敏粘合剂层，其对于所述倒装芯片型半导体背面用膜的压敏粘合力通过放射线照射而降低。

公开(公告)号：CN103429690B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201280013540.2

申请日：2012-03-05

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 佐佐木贵俊 ,  土生刚志 ,  生岛伸祐 ,  龟井胜利 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  C08F210/08 ,  C09J123/14 ,  C09J201/00

CPC classification number: C09J123/14 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明提供一种具有可以充分填补被粘物的凹凸的高度差追随性且能够经时地保持充分填补了凹凸的状态的粘合带。本发明的粘合带具备粘合剂层和基材层，该粘合剂层在20℃下的储能模量为0.5×106Pa～1.0×108Pa，该粘合剂层在20℃～80℃下的损耗角正切tanδ为0.1以上。在优选的实施方式中，前述粘合剂层包含使用茂金属催化剂聚合而成的非晶质丙烯-(1-丁烯)共聚物，该丙烯-(1-丁烯)共聚物的重均分子量(Mw)为200000以上，该丙烯-(1-丁烯)共聚物的分子量分布(Mw/Mn)为2以下。

公开(公告)号：CN102093827B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201010520031.1

申请日：2010-10-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 土生刚志 ,  浅井文辉 ,  新谷寿朗 ,  佐佐木贵俊 ,  水野浩二

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  C09J133/08 ,  H01L21/68

CPC classification number: B32B27/40 ,  B32B27/16 ,  B32B27/281 ,  B32B27/302 ,  B32B27/304 ,  B32B27/32 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B2307/308 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/51 ,  B32B2307/748 ,  B32B2405/00 ,  B32B2457/14 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2891

Abstract: 本发明的目的是提供一种再剥离性粘合片，其能够降低晶片的翘曲、破裂、边缘的缺口，并能够降低针对温度变化的粘合力的上升和/或再剥离时的被粘物的污染，可容易地剥离。该粘合片具备基材和层叠在该基材表面上的粘合剂层，是半导体晶片背面磨削用的再剥离性粘合片，该粘合片的弹性模量为103MPa以上，在60℃下加热10分钟后的加热收缩率为1％以下，并且粘合剂层设定为一定的厚度，使得在前述粘合片的三点弯曲试验中，在自该粘合剂层侧的30μm压入量下，最大点应力为200g/cm以下。

公开(公告)号：CN102399504B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201110276119.8

申请日：2011-09-15

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 生岛伸祐 ,  土生刚志 ,  浅井文辉 ,  大山高辉 ,  鸟居忠雄 ,  龟井胜利 ,  加藤有树 ,  高桥智一

IPC: C09J7/02 ,  C09J123/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

CPC classification number: C09J123/142 ,  C08L23/0853 ,  C09J7/22 ,  C09J7/24 ,  C09J7/38 ,  C09J2423/046 ,  C09J2423/10 ,  C09J2431/006 ,  H01L21/6836 ,  Y10T428/2878

Abstract: 本发明涉及压敏粘合带。根据本发明的实施方案的压敏粘合带包括，压敏粘合剂层；和基材层，其中：所述压敏粘合剂层包含使用茂金属催化剂聚合的无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物，所述无定形丙烯-(1-丁烯)共聚物的重均分子量(Mw)为200,000以上和分子量分布(Mw/Mn)为2以下；和所述基材层包含乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。

公开(公告)号：CN101712852B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200910174156.0

申请日：2009-09-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 浅井文辉 ,  高桥智一 ,  前川佳子 ,  青柳和宏

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/78 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B23K26/18 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/091 ,  C08K5/0025 ,  C08K5/07 ,  C08K5/17 ,  C08K5/51 ,  C08K5/5397 ,  C09J7/385 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  Y02P40/57 ,  Y10T428/2809

Abstract: 本发明涉及激光加工用压敏粘合片和用于激光加工的方法。本发明提供激光加工用压敏粘合片，其包括基材和设置于所述基材一个表面上的压敏粘合剂层，所述压敏粘合剂层具有50cm-1至900cm-1的在波长355nm处的吸收系数，所述压敏粘合剂层包含光吸收剂，其中所述光吸收剂在0.01重量％乙腈溶液中在波长355nm处的吸光度为0.01至1.20，和其中所述压敏粘合片在当工件通过具有紫外线区域波长的激光光或经由多光子吸收过程能够光吸收的激光光激光加工时使用。

公开(公告)号：CN101215448B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200810002428.4

申请日：2008-01-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山本晃好 ,  新谷寿朗 ,  浅井文辉 ,  桥本浩一

IPC: C09J7/02 ,  C09J4/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C08G18/672 ,  C08L61/00 ,  C08L2666/16 ,  C09D175/16 ,  C09J7/385 ,  C09J133/02 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2809 ,  Y10T428/2852 ,  Y10T428/2883 ,  Y10T428/2891

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种稳定的粘合片，该粘合片不论半导体装置等的树脂组成如何、添加剂的种类、脱模剂的种类及其量如何，照射紫外线和/或放射线后，都会显示稳定的粘合力降低，另外，几乎可以完全防止在树脂表面残留粘糊。本发明的半导体基板加工用粘合片包括：对紫外线和/或放射线具有透过性的基材、和通过紫外线和/或放射线进行聚合固化反应的胶粘剂层，其中，上述胶粘剂层是使用具有双键的多官能丙烯酸酯类低聚物和/或单体而形成的，并且上述具有双键的多官能丙烯酸酯类低聚物和/或单体配合成在总平均分子量225～8000下含有一个双键，所述总平均分子量由上述多官能丙烯酸酯类低聚物和/或单体配合物的重均分子量求出。

公开(公告)号：CN101165131B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200710180858.0

申请日：2007-10-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 新谷寿朗 ,  山本晃好 ,  浅井文辉 ,  桥本浩一

IPC: C09J7/02

CPC classification number: C09J11/06 ,  C09J7/38 ,  C09J11/08 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/67005 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  Y10T428/31855

Abstract: 本发明的目的在于提供一种与作为粘附物的半导体晶片和/或基板等的粘附物表面的凹凸没有关系，通过良好地追随粘附面的凹凸而确保充分的粘附力，同时在照射紫外线和/或放射线后，使粘附力降低至进行拾取等时的最适值，完全没有残留粘合剂的稳定的粘合片。该半导体晶片和/或基板加工用粘合片具有对紫外线和/或放射线具有透过性的基材、和通过紫外线和/或放射线进行聚合固化反应的粘合剂层，其中，该粘合剂层至少包括增粘剂和表面活性剂。