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公开(公告)号：CN102190978B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110060453.X
申请日：2005-09-30
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: C09J7/02
CPC classification number: H01L24/28 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , H01L2224/26175 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/7565 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2225/0651 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T156/1082 , Y10T156/1093 , Y10T428/1476 , Y10T428/24562 , Y10T428/2839 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的粘接片为按照剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜的顺序层叠所构成的粘接片，其特征为，所述粘接层具有规定的第1平面形状，且部分性地形成于所述剥离基材上；所述粘着层层叠为其覆盖所述粘接层，且于所述粘接层的周围与所述剥离基材接触。
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公开(公告)号：CN102169817B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201110060486.4
申请日：2005-09-30
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: H01L24/28 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , H01L2224/26175 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/7565 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2225/0651 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T156/1082 , Y10T156/1093 , Y10T428/1476 , Y10T428/24562 , Y10T428/2839 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的附有层叠体的半导体晶片的制造方法包括：从具备剥离基材、基材薄膜和配置于所述剥离基材与所述基材薄膜之间的粘接着层的粘接片上剥离所述剥离基材，得到由所述基材薄膜及所述粘接着层所成的层叠体的剥离步骤；以及，将所述层叠体的所述粘接着层贴合于半导体晶片的贴合步骤；所述剥离基材上，由所述粘接着层侧的面形成有环状的切入部分；所述粘接着层为，按覆盖所述剥离基材的所述切入部分的内侧面整体来层叠；所述切入部分的切入深度为小于所述剥离基材的厚度，且为25μm以下；所述层叠体向所述半导体晶片的贴合以自动化的工序连续进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102471648B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201080031563.7
申请日：2010-07-09
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: C09J7/0239 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , Y10T156/108 , Y10T156/1082 , Y10T156/1168 , Y10T156/1195 , Y10T428/265 , Y10T428/28
Abstract: 本发明提供一种粘接片的制造方法，所述粘接片具备长条状的剥离基材(1)和在该剥离基材(1)上以岛状配置的粘结剂层(2)，所述粘接片的制造方法具有剥离工序，所述剥离工序是在剥离基材(1)上层叠长条状的粘结剂层(2)后，按照该粘结剂层(2)的规定部分以岛状残留于剥离基材(1)上的方式，将该粘结剂层(2)的不需要的部分(6)剥离，在剥离工序中，按照窄幅部(8)的抗断强度达到200g以上的方式来调整窄幅部(8)的宽度W，所述窄幅部是粘结剂层(2)的不需要的部分(6)的短边方向的宽度最窄的部分。
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公开(公告)号：CN103109353A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201180034409.X
申请日：2011-07-13
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , Y10T156/1062 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的目的在于，抑制半导体晶片(W)的切割工序中粘接剂层(2)的周边部(E)从粘合剂层(3b)剥离。本发明的切割-芯片焊接一体型膜具备：基材膜(3a)、形成在基材膜上且贴附有用于刀片切割的晶片环(R)的压敏型的粘合剂层、和形成在粘合剂层上且具有将要贴附作为刀片切割的对象的半导体晶片的中央部的粘接剂层，粘接剂层的平面形状为圆形，粘接剂层的面积比半导体晶片的面积大、且比基材膜及粘合剂层的各自的面积都小，粘接剂层的直径比半导体晶片的直径大且比晶片环的内径小，粘接剂层的直径与半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm。
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公开(公告)号：CN110235222A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201880009429.3
申请日：2018-01-23
Applicant: 日立化成株式会社
Abstract: 本发明涉及一种具有电磁屏蔽的电子部件的制造方法，该制造方法包含下述工序：在表面上具有凹凸的被加工体上贴附临时保护材的贴附工序；通过光照射而使临时保护材固化的光固化工序；将被加工体和临时保护材进行单片化的切割工序；在单片化后的被加工体的未贴附临时保护材的部分上形成金属膜的屏蔽工序；和将形成了金属膜的被加工体与临时保护材剥离的剥离工序，其中，临时保护材由在25℃下的弹性模量为3MPa以下并且曝光量设定为500mJ/cm2以上的光照射后在25℃下的弹性模量为40MPa以上的临时保护用树脂组合物形成。
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公开(公告)号：CN103109353B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180034409.X
申请日：2011-07-13
Applicant: 日立化成株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , Y10T156/1062 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的目的在于，抑制半导体晶片(W)的切割工序中粘接剂层(2)的周边部(E)从粘合剂层(3b)剥离。本发明的切割-芯片焊接一体型膜具备：基材膜(3a)、形成在基材膜上且贴附有用于刀片切割的晶片环(R)的压敏型的粘合剂层、和形成在粘合剂层上且具有将要贴附作为刀片切割的对象的半导体晶片的中央部的粘接剂层，粘接剂层的平面形状为圆形，粘接剂层的面积比半导体晶片的面积大、且比基材膜及粘合剂层的各自的面积都小，粘接剂层的直径比半导体晶片的直径大且比晶片环的内径小，粘接剂层的直径与半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm。
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公开(公告)号：CN102176407B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110060467.1
申请日：2005-09-30
Applicant: 日立化成株式会社
CPC classification number: H01L24/28 , C09J7/20 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , H01L2224/26175 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/7565 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2225/0651 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01061 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , Y10T156/1082 , Y10T156/1093 , Y10T428/1476 , Y10T428/24562 , Y10T428/2839 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明半导体装置制造方法包括：贴合步骤，对于依次层叠剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜构成的、粘接层有规定的第1平面形状且部分性形成于剥离基材上、粘着层层叠为覆盖粘接层且于其周围与剥离基材接触的粘接片，剥下由粘接层、粘着层及基材薄膜所成的层叠体，隔着粘接层贴于半导体晶片，得到附层叠体半导体晶片；切割步骤，切割附层叠体半导体晶片，得到规定尺寸附层叠体半导体元件；剥离步骤，以高能量射线照射粘着层，使其粘着力降低后，剥离粘着层及基材薄膜，得到附粘接层半导体元件；粘接步骤，将附粘接层半导体元件，隔着粘接层粘接于半导体元件搭载用支持部件。
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