公开(公告)号：CN1665969A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03815296.7

申请日：2003-06-26

Applicant: 日立电线株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 柴田真佐知 ,  大岛祐一 ,  江利健 ,  碓井彰 ,  砂川晴夫

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及用于生长半导体等、特别是III族氮化物半导体的结晶层的基板的结构及其制造方法。在本发明中，基板上具备两个多孔层，在两个多孔层中，位于最表面的第一多孔层中的空隙的平均开口部直径小于与第一多孔层相比更靠近于基板侧的第二多孔层的空隙的平均直径，第一以及第二多孔层具有10～90％的体积空隙率，且第一多孔层的空隙的50％以上从第一多孔层表面向第一多孔层与第二多孔层的界面贯通。根据本发明的多孔基板，即使采用以往的结晶生长方法，也能容易地在该多孔基板上生长低缺陷密度的外延结晶。

公开(公告)号：CN100341116C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN03815296.7

申请日：2003-06-26

Applicant: 日立电线株式会社 ,  日本电气株式会社

Inventor： 柴田真佐知 ,  大岛祐一 ,  江利健 ,  碓井彰 ,  砂川晴夫

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  C30B29/16 ,  C23C16/34

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及用于生长半导体等、特别是Ⅲ族氮化物半导体的结晶层的基板的结构及其制造方法。在本发明中，基板上具备两个多孔层，在两个多孔层中，位于最表面的第一多孔层中的空隙的平均开口部直径小于与第一多孔层相比更靠近于基板侧的第二多孔层的空隙的平均直径，第一以及第二多孔层具有10～90%的体积空隙率，且第一多孔层的空隙的50%以上从第一多孔层表面向第一多孔层与第二多孔层的界面贯通。根据本发明的多孔基板，即使采用以往的结晶生长方法，也能容易地在该多孔基板上生长低缺陷密度的外延结晶。

公开(公告)号：CN101949058A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010226869.X

申请日：2010-07-08

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 藤仓序章 ,  江利健

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L33/32 ,  H01L21/335

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/183 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明为III族氮化物半导体自立基板及其制造方法、III族氮化物半导体装置及其制造方法。所述III族氮化物半导体自立基板的制造方法可不实施球面研磨等，再现性良好地使自立基板表面的单一结晶面的面积增大。本发明的III族氮化物半导体自立基板为，基板表面是刚长成的，所述基板表面的一半以上区域包含具有由III族极性的C面向m轴方向或a轴方向、或者由M面向c轴方向或a轴方向倾斜的偏离角的单一结晶面。

公开(公告)号：CN101949058B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201010226869.X

申请日：2010-07-08

Applicant: 日立电线株式会社

Inventor： 藤仓序章 ,  江利健

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L33/32 ,  H01L21/335

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/183 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明为III族氮化物半导体自立基板及其制造方法、III族氮化物半导体装置及其制造方法。所述III族氮化物半导体自立基板的制造方法可不实施球面研磨等，再现性良好地使自立基板表面的单一结晶面的面积增大。本发明的III族氮化物半导体自立基板为，基板表面是刚长成的，所述基板表面的一半以上区域包含具有由III族极性的C面向m轴方向或a轴方向、或者由M面向c轴方向或a轴方向倾斜的偏离角的单一结晶面。