-
公开(公告)号：CN104210047A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410446851.9
申请日：2012-06-18
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
CPC classification number: H01L33/58 , B29C33/3842 , B29C33/40 , B29C33/424 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/469 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于为了在被处理体上形成高纵横比的微细图案，提供可容易地形成残留膜薄或无残留膜的微细图案的微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体的制造方法。本发明的微细图案形成用积层体(1)是用于在被处理体(200)上介由第1掩模层(103)形成微细图案(220)的微细图案形成用积层体(1)，其特征在于，具备在表面上具有凹凸结构(101a)的模具(101)和在凹凸结构(101a)上设置的第2掩模层(102)，第2掩模层(102)的距离(lcc)及凹凸结构(101a)的高度(h)满足下述式(1)，且距离(lcv)和高度(h)满足下述式(2)。式(1)0
-
公开(公告)号：CN104076600A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410290520.0
申请日：2009-01-23
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
IPC: G03F7/00
CPC classification number: B29C33/424 , B29C33/3842 , B29C33/56 , B29K2833/04 , B29K2905/00 , B41C1/05 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/3407 , G03F7/0002 , H01J2237/281
Abstract: 本发明的无缝塑模的制造方法具备在套筒形状的塑模上形成热反应型抗蚀剂层的工序和通过使用激光对所述热反应型抗蚀剂层进行曝光显影形成微细的塑模图样的工序，其特征是，所述热反应型抗蚀剂层由在上述激光点径的光强度分布中，具有在规定的光强度以上进行反应的特性的热反应型抗蚀剂所构成。
-
公开(公告)号：CN102187276B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200980141352.6
申请日：2009-10-13
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
CPC classification number: G11B7/261 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的热反应型抗蚀剂材料的特征在于，元素的氟化物的沸点在200℃以上。据此可以实现一种热反应型抗蚀剂材料，其对为形成槽深度深的图案用氟碳系气体进行的干蚀刻具有很高的耐性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104210046A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410446835.X
申请日：2012-06-18
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
CPC classification number: H01L33/58 , B29C33/3842 , B29C33/40 , B29C33/424 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/469 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于为了在被处理体上形成高纵横比的微细图案，提供可容易地形成残留膜薄或无残留膜的微细图案的微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体的制造方法。本发明的微细图案形成用积层体(1)是用于在被处理体(200)上介由第1掩模层(103)形成微细图案(220)的微细图案形成用积层体(1)，其特征在于，具备在表面上具有凹凸结构(101a)的模具(101)和在凹凸结构(101a)上设置的第2掩模层(102)，第2掩模层(102)的距离(lcc)及凹凸结构(101a)的高度(h)满足下述式(1)，且距离(lcv)和高度(h)满足下述式(2)。式(1)0
-
公开(公告)号：CN103151053B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310011760.8
申请日：2009-10-13
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
CPC classification number: G11B7/261 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的热反应型抗蚀剂材料的特征在于，元素的氟化物的沸点在200℃以上。据此可以实现一种热反应型抗蚀剂材料，其对为形成槽深度深的图案用氟碳系气体进行的干蚀刻具有很高的耐性。
-
公开(公告)号：CN103123443B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201310051617.1
申请日：2009-10-13
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
CPC classification number: G11B7/261 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , Y10T428/31504 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的热反应型抗蚀剂材料的特征在于，元素的氟化物的沸点在200℃以上。据此可以实现一种热反应型抗蚀剂材料，其对为形成槽深度深的图案用氟碳系气体进行的干蚀刻具有很高的耐性。
-
公开(公告)号：CN103299396B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280003345.1
申请日：2012-06-18
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
CPC classification number: H01L33/58 , B29C33/3842 , B29C33/40 , B29C33/424 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/469 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于为了在被处理体上形成高纵横比的微细图案，提供可容易地形成残留膜薄或无残留膜的微细图案的微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体的制造方法。本发明的微细图案形成用积层体(1)是用于在被处理体(200)上介由第1掩模层(103)形成微细图案(220)的微细图案形成用积层体(1)，其特征在于，具备在表面上具有凹凸结构(101a)的模具(101)和在凹凸结构(101a)上设置的第2掩模层(102)，第2掩模层(102)的距离(lcc)及凹凸结构(101a)的高度(h)满足下述式(1)，且距离(lcv)和高度(h)满足下述式(2)。式(1)0＜lcc＜1.0h式(2)0≤lcv≤0.05h。
-
公开(公告)号：CN103748699A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280039901.0
申请日：2012-08-30
Applicant: 旭化成电子材料株式会社
IPC: H01L33/22 , C30B29/38 , G03F7/24 , H01L21/027
CPC classification number: H01L33/22 , B29C43/46 , B29C2043/464 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/2006 , G03F7/24 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , H01L51/5268 , Y10T428/24479 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种具有通过减少导体层中的错位缺陷数改善内量子效率IQE、并提高LED的发光效率的微细结构体的光学用基材。光学用基材（1）具有微细结构层（12），所述微细结构层（12）包含由从基材（11）主面向面外方向延伸的多个凸部（13）构成的点，微细结构层（12）在基材（11）主面内的第一方向上具有多个点构成以间距Py排列而成的多个点列（13-1～13-N），在基材（11）主面内的与第一方向正交的第二方向上具有多个点以间距Px排列而成的多个点列，间距Py以及间距Px中的任意一方为纳米尺度的固定间隔，另一方为纳米尺度的不固定间隔，或者两者均为纳米尺度的不固定间隔。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.028 seconds)
