公开(公告)号：CN115720681A

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN202180045823.4

申请日：2021-09-21

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 巴德里·瓦拉达拉简 ,  亚伦·德宾 ,  邱华檀 ,  龚波 ,  雷切尔·E·巴策尔 ,  戈皮纳特·布海马拉塞蒂 ,  亚伦·布莱克·米勒 ,  帕特里克·G·布莱琳 ,  杰弗里·霍恩

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种喷头包括第一部件、第二部件和第三部件。所述第一部件包括盘状部分以及从所述盘状部分垂直延伸的圆柱形部分。所述盘状部分包括分别具有第一直径和第二直径的第一组孔洞和第二组孔洞，其中所述第一组孔洞和所述第二组孔洞从所述盘状部分的中心延伸至所述圆柱形部分的所述内直径。第二部件是盘状的，并且与所述第一部件的所述盘状部分附接且限定出与所述第二组孔洞流体连通的充气室，所述第二部件包括沿着所述顶表面的周缘且位于所述顶表面的相对端上的成对的弧形凹槽，以及在所述成对的弧形凹槽之间延伸的多个凹槽。所述第三部件是盘状的且附接至所述第二部件，并且包括与所述充气室连接的气体输入口、以及与弧形凹槽连接的流体输入口以及流体输出口。

公开(公告)号：CN113196443A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980081929.2

申请日：2019-10-01

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 迈克尔·约翰·塞勒普 ,  帕特里克·G·布莱琳 ,  卡尔·弗雷德里克·利瑟 ,  蒂莫西·斯科特·托马斯 ,  大卫·威廉·坎普 ,  肖恩·M·唐纳利

IPC: H01J37/32

Abstract: 喷头的面板具有在衬底处理系统的操作期间面对等离子体生成区域的下侧以及面对充气腔的上侧，处理气体被供给至充气腔中。面板包含穿过下侧形成的孔口以及穿过上侧形成的开口。形成的每一孔口延伸穿过面板的总厚度的一部分以与开口中的至少一者相交而形成穿过面板的用于处理气体的对应的流动路径。每一孔口具有横截面，横截面在至少一方向上具有中空阴极放电抑制尺寸。每一开口具有横截面，横截面的最小横截面尺寸大于中空阴极放电抑制尺寸。

公开(公告)号：CN118648097A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202380019410.8

申请日：2023-01-24

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 斯蒂芬·托平 ,  帕特里克·G·布莱琳 ,  谢尔盖·格奥尔吉耶维奇·别洛斯托茨基 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  蒂莫西·斯科特·托马斯 ,  穆罕默德·瓦希迪 ,  行则崎山 ,  大卫·弗伦奇 ,  米纳克斯·马穆努鲁 ,  阿施施·索拉卜 ,  普拉莫德·苏布拉莫尼姆 ,  诺亚·埃利奥特·贝克

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32

Abstract: 提供静电卡盘(ESC)装置和方法。ESC可具有一或更多个卡盘电极以及围绕卡盘电极的阻断电极。阻断电极可减少使用ESC执行的半导体处理操作中的不均匀性。在某些实现方案中，阻断电极位于卡盘电极下方。

公开(公告)号：CN118591874A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202380015927.X

申请日：2023-01-27

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 帕特里克·G·布莱琳 ,  谢尔盖·G·别洛斯托茨基 ,  蒂莫西·S·托马斯 ,  乔尔·霍林斯沃思 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  穆罕默德·瓦希迪

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明描述了一种晶片卡盘组件，其包含具有一或多个等离子体电极的平台以及射频(RF)组件，射频(RF)组件包含电耦合至一或多个等离子体电极的至少一个RF导体。该至少一个RF导体包含杆，其杆尖耦合至该一或多个等离子体电极，以及其杆柄机械性地耦合至具有中空内部的热扼流器。该杆包含第一导电材料且具有第一宽度和第一长度。热扼流器包含第二导电材料且具有第二宽度和第二长度；且第二宽度等于或大于第一宽度。

公开(公告)号：CN111937132A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201980024665.7

申请日：2019-04-04

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 帕特里克·G·布莱琳 ,  迈克尔·菲利普·罗伯茨 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  伊时塔克·卡里姆 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00 ,  B23Q3/15 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了用于基座的设备和系统。示例性的基座可以具有主体，所述主体具有上环形密封表面，所述密封表面是平坦的、垂直于所述主体的竖直中心轴并且具有径向厚度；下凹部表面，其从所述上环形密封表面偏移；以及从所述下凹部表面突出的多个微接触区域(MCA)，每个MCA具有顶表面，该顶表面从所述下凹部表面偏移第二距离；和在所述主体内的一个或多个电极。所述上环形密封表面可以被配置成当半导体衬底被所述基座支撑时支撑所述半导体衬底的外边缘，并且所述上环形密封表面和所述MCA的所述顶部可以被配置为在所述基座支撑所述半导体衬底时支撑所述半导体衬底。