一种制备氧化钨半导体气敏材料的方法及其传感器

    公开(公告)号:CN117800397A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202311872452.4

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 本发明提供了一种制备氧化钨半导体气敏材料的方法及其传感器,属于传感器领域,先将钨的前驱体溶解在溶剂中,得到清澈透明的溶液,再向清澈透明的溶液中加入增敏材料前驱体,获得均匀的混合溶液,将混合溶液置于反应器中,然后离心分离获得固体反应物,将固体反应物清洗后烘干,接着,将金属纳米颗粒溶解在去离子水中,将单原子金属增敏处理的氧化钨半导体气敏材料加入其中反应,采用离心分离收集产物,将产物清洗后干燥,获得单原子和金属纳米颗粒两者同时增敏处理的双功能位点氧化钨半导体气敏材料。本发明还提供制备如上气敏材料的方法以及气体传感器。本发明能解决现有的氧化物半导体气体传感响应迟缓、相应弱以及稳定性不足的问题。

    深度图像获取方法、装置及系统、图像采集设备

    公开(公告)号:CN110533709B

    公开(公告)日:2023-02-07

    申请号:CN201810502234.4

    申请日:2018-05-23

    Abstract: 本申请公开了一种深度图像获取方法、装置及系统、图像采集设备,属于机器视觉领域。所述方法包括:基于图像采集设备在至少一个采集时刻针对目标区域采集的初始图像,确定所述目标区域内像素点的深度信息;根据所述目标区域内像素点的深度信息,确定所述目标区域对应的深度图像;其中,在每个所述采集时刻,所述图像采集设备采集至少两张初始图像,每张所述初始图像中包括可见光分量和红外分量。本申请解决了相关技术中获取的深度图的质量稳定性较差的问题。本申请用于获取深度图像。

    曝光设备
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114326126A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202210015999.1

    申请日:2019-05-27

    Abstract: 本申请公开了一种曝光设备,属于视觉技术领域。该曝光设备包括第一偏振分束镜、第三激光器、第一曝光组件、第二曝光组件和全息衍射基板。由于全息衍射基板位于第一曝光组件的出光侧和第二曝光组件的出光侧的交叠区域,所以当第一曝光组件和第二曝光组件可以同时向全息衍射基板的第一表面投射S偏振光,这两个不同光路的S偏振光可以在全息衍射基板的第一表面发生干涉,并可以在全息衍射基板的第一表面的感光膜上记录第三激光器投射的激光的波长、振幅和相位等信息,从而得到全息衍射光栅。该曝光设备组成简单,得到全息衍射光栅的过程简单高效。

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