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公开(公告)号：CN104465740A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410052440.1
申请日：2014-02-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L29/0646 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供一种对由反转层、积累层、转移等引起的泄漏电流的流动进行抑制而能够实现耐压的提高的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备半导体基板和在上述半导体基板上形成的第一膜。进而上述装置具备在上述第一膜上形成的第一导电型或本征型的第一半导体层、在上述第一半导体层上形成的上述第一导电型或本征型的第二半导体层。进而上述装置具备具有与上述第一半导体层相接的第一上部、与上述第一膜相接的第二上部、位于上述第一上部与上述第二上部之间的第一侧部、以及位于上述第二上部与上述半导体基板的下部之间的第二侧部的第二导电型在内的第三半导体层。
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公开(公告)号：CN104064593A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201310731532.8
申请日：2013-12-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/42356
Abstract: 实施方式的半导体装置，具备：第一半导体层，由第一氮化物半导体构成；第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，由与上述第一氮化物半导体相比带隙大的第二氮化物半导体构成；源极电极，形成在第二半导体层上；漏极电极，形成在上述第二半导体层上；第一栅极电极，形成在上述源极电极与漏极电极之间的上述第二半导体层上，与上述第二半导体层进行肖特基接合；第二栅极电极，隔着绝缘膜而形成在上述源极电极与上述第一栅极电极之间的上述第二半导体层上，与第一栅极电极电连接；以及第三栅极电极，隔着绝缘膜而形成在上述漏极电极与上述第一栅极电极之间的上述第二半导体层上，与第一栅极电极电连接。
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公开(公告)号：CN100490318C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200510006851.8
申请日：2005-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03H9/15
CPC classification number: H03H9/02015 , H01H2057/006 , H01L41/0477 , H01L41/094 , H01L41/316 , H01L41/319 , H03H3/02 , H03H9/02094 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/175 , H03H9/542 , H03H9/582 , H03H9/605 , H03H2003/021 , H03H2003/023 , H03H2003/025 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/49117 , Y10T29/49155
Abstract: 一种压电薄膜器件包括设置在衬底上的非晶态金属膜和设置在非晶态金属膜上的压电膜。压电膜的一个晶轴在垂直于非晶态金属的表面的方向上对齐。
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公开(公告)号：CN1691498A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510067261.6
申请日：2005-04-20
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供一种薄膜压电谐振器及其制造方法，电气机械耦合系数kt2和Q值同时增大，并且下部电极的膜厚控制容易。薄膜压电谐振器包括：基板(11)；下部电极(14)，面对该基板(11)一部分为空心状态并被机械地保持；压电体(15)，配置在下部电极(14)上，以使其在平面图形上，在自身占有的区域的内部包含所有下部电极(14)；上部电极(16)，在该压电体(15)上；中继电极(13)，在基板(11)和压电体(15)之间，在平面图形上，位于压电体(15)的占有区域的边界，并且在占有区域的内部与下部电极(14)连接；以及下部电极布线(17)，从占有区域的边界延长到外部，连接到中继电极(13)。
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公开(公告)号：CN104916678A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410305208.4
申请日：2014-06-30
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 安本恭章 , 梁濑直子 , 阿部和秀 , 内原士 , 齐藤泰伸 , 仲敏行 , 吉冈启 , 小野祐 , 大野哲也 , 藤本英俊 , 增子真吾 , 古川大 , 八木恭成 , 汤元美树 , 饭田敦子 , 村上友佳子 , 罇贵子
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/408 , H01L29/2003 , H01L29/423 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供抑制电气特性的变动的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：GaN系半导体层；设置在GaN系半导体层上的源极；设置在GaN系半导体层上的漏极；在源极与漏极之间的、设置在GaN系半导体层上的栅极；以及在栅极与漏极之间与GaN系半导体层接触地设置的第1导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104143501A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201310737133.2
申请日：2013-12-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/04 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/046 , H01L21/02115 , H01L21/02271 , H01L21/67017 , H01L21/67109
Abstract: 本发明的实施方式提供特性良好的半导体装置的制造方法以及制造装置。实施方式涉及的半导体装置的制造方法具备：对碳化硅基板注入杂质的工序；对所述碳化硅基板的一个面涂敷有机溶液的工序；通过在非氧化性气氛中对所述有机溶液进行加热，在所述碳化硅基板的所述一个面上以及另一个面上形成碳层的工序；和使所述杂质活化的工序。
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公开(公告)号：CN100527615C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200510067261.6
申请日：2005-04-20
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供一种薄膜压电谐振器及其制造方法，电气机械耦合系数kt2和Q值同时增大，并且下部电极的膜厚控制容易。薄膜压电谐振器包括：基板(11)；下部电极(14)，面对该基板(11)一部分为空心状态并被机械地保持；压电体(15)，配置在下部电极(14)上，以使其在平面图形上，在自身占有的区域的内部包含所有下部电极(14)；上部电极(16)，在该压电体(15)上；中继电极(13)，在基板(11)和压电体(15)之间，在平面图形上，位于压电体(15)的占有区域的边界，并且在占有区域的内部与下部电极(14)连接；以及下部电极布线(17)，从占有区域的边界延长到外部，连接到中继电极(13)。
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公开(公告)号：CN101091311A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001608.X
申请日：2006-03-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/174 , H03H9/02125 , H03H9/132 , H03H9/588 , H03H9/605
Abstract: 一种薄膜压电谐振器，包括：在基板(10)的主面上设置的下电极(11)，用以覆盖空腔(14)；在下电极(11)上设置的压电膜(12)，位于空腔(14)上方；以及上电极(13)。上电极(13)具有：与空腔(14)的一部分重叠的主体部分(13a)，连接到主体部分(13a)的一侧的突起部分(13b)，在主体部分(13a)的相对侧设置的连接部分(13c)以及连接到连接部分(13c)的扩展部分(13d)。突起部分(13b)的长度与连接部分(13c)的长度基本上相同，从而使得相对于空腔(14)位置的移动，空腔区域外部的上电极(13)和下电极(11)的重叠面积不变。结果，在空腔(14)外部相互面对的上(13)下(11)电极中的寄生电容的总和不随空腔(14)位置的移动而变化。
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公开(公告)号：CN1874147A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610065357.3
申请日：2006-03-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02125 , H03H9/02157 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/023 , H03H2003/025
Abstract: 一种薄膜压电共振器包括衬底以及第一和第二激发部分。所述衬底包括第一和第二腔。所述第一激发部分设置在所述第一腔上，并包括依次层压的第一电极、第一压电材料以及第二电极。在所述第一电极、所述第一压电材料以及所述第二电极间的交叠区域限定所述第一激发部分的周边的轮廓。第一距离定义为从所述第一激发部分的端部到所述第一腔的开口端部的距离。所述第二激发部分设置在所述第二腔上，并包括依次层压的第三电极、第二压电材料以及第四电极。第二距离定义为从所述第二激发部分的端部到所述第二腔的开口端部的距离，并与所述第一距离不同。
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公开(公告)号：CN104917483A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410275588.1
申请日：2014-06-19
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 安本恭章 , 梁濑直子 , 阿部和秀 , 内原士 , 齐藤泰伸 , 仲敏行 , 吉冈启 , 小野祐 , 大野哲也 , 藤本英俊 , 增子真吾 , 古川大 , 八木恭成 , 汤元美树 , 饭田敦子 , 村上友佳子 , 铃木良和
CPC classification number: H01L28/20 , H01L27/0605 , H01L27/0617 , H01L27/0629 , H01L27/092 , H01L27/20 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66522 , H01L29/7786 , H01L29/78 , H03H9/02566
Abstract: 本发明提供一种具备使用了GaN类半导体的谐振子的半导体装置。实施方式的半导体装置具备GaN类半导体层、以GaN类半导体层的一部分为压电层进行谐振的谐振子、以及以GaN类半导体层的一部分为沟道层的晶体管。
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