公开(公告)号：CN104916678A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410305208.4

申请日：2014-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子 ,  村上友佳子 ,  罇贵子

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/423 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供抑制电气特性的变动的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：GaN系半导体层；设置在GaN系半导体层上的源极；设置在GaN系半导体层上的漏极；在源极与漏极之间的、设置在GaN系半导体层上的栅极；以及在栅极与漏极之间与GaN系半导体层接触地设置的第1导电层。

公开(公告)号：CN102694025A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201110301069.4

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 内原士

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/456 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7809

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，其具备：漏极层；选择性地设于漏极层内的漂移区域；选择性地设于漂移区域内的衬底区域；选择性地设于衬底区域内的源极区域；在源极区域或漏极层的至少一方的内部，选择性地设于源极区域或漏极层的至少一方的第一、第二金属层；在与漏极层的表面大致平行的方向上，从源极区域的一部分贯通与源极区域的至少一部分邻接的衬底区域而到达漂移区域的一部分的沟槽状的栅电极；与第一金属层连接的源电极；以及与漏极层或第二金属层连接的漏电极。

公开(公告)号：CN104917483A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410275588.1

申请日：2014-06-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子 ,  村上友佳子 ,  铃木良和

IPC: H03H9/15 ,  H03H9/02

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/092 ,  H01L27/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H03H9/02566

Abstract: 本发明提供一种具备使用了GaN类半导体的谐振子的半导体装置。实施方式的半导体装置具备GaN类半导体层、以GaN类半导体层的一部分为压电层进行谐振的谐振子、以及以GaN类半导体层的一部分为沟道层的晶体管。

公开(公告)号：CN102403317A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110066192.2

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 内原士 ,  川口雄介 ,  河村圭子 ,  筱原仁 ,  藤木世濑夫

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7808

Abstract: 半导体装置具备：第1导电型的漂移区域，从第1导电型的漏极层的表面到内部，有选择地被设于漏极层；第2导电型的基极区域，从漂移区域的表面到内部，有选择地被设于漂移区域；第1导电型的源极区域，从基极区域的表面到内部，有选择地被设于基极区域；沟槽状的门极电极，在相对于漏极层的主面大致平行的方向，从源极区域的一部分贯通邻接于源极区域的该一部分的基极区域，到达漂移区域的一部分；第2导电型的接触区域，包含有比基极区域的杂质浓度高的浓度的杂质，有选择地被设于漂移区域的表面；漏极电极，被连接于漏极层；源极电极，被连接于源极区域及接触区域，接触区域从漏极层侧朝向漂移区域延伸，与漏极层不接触。

公开(公告)号：CN104465740A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410052440.1

申请日：2014-02-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大野哲也 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  内原士 ,  仲敏行 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  增子真吾 ,  小野祐

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种对由反转层、积累层、转移等引起的泄漏电流的流动进行抑制而能够实现耐压的提高的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备半导体基板和在上述半导体基板上形成的第一膜。进而上述装置具备在上述第一膜上形成的第一导电型或本征型的第一半导体层、在上述第一半导体层上形成的上述第一导电型或本征型的第二半导体层。进而上述装置具备具有与上述第一半导体层相接的第一上部、与上述第一膜相接的第二上部、位于上述第一上部与上述第二上部之间的第一侧部、以及位于上述第二上部与上述半导体基板的下部之间的第二侧部的第二导电型在内的第三半导体层。

公开(公告)号：CN104064593A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310731532.8

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  吉冈启 ,  内原士 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  小野祐

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/42356

Abstract: 实施方式的半导体装置，具备：第一半导体层，由第一氮化物半导体构成；第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，由与上述第一氮化物半导体相比带隙大的第二氮化物半导体构成；源极电极，形成在第二半导体层上；漏极电极，形成在上述第二半导体层上；第一栅极电极，形成在上述源极电极与漏极电极之间的上述第二半导体层上，与上述第二半导体层进行肖特基接合；第二栅极电极，隔着绝缘膜而形成在上述源极电极与上述第一栅极电极之间的上述第二半导体层上，与第一栅极电极电连接；以及第三栅极电极，隔着绝缘膜而形成在上述漏极电极与上述第一栅极电极之间的上述第二半导体层上，与第一栅极电极电连接。

公开(公告)号：CN104916692A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410397429.9

申请日：2014-08-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 增子真吾 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  汤元美树 ,  三村正人 ,  齐藤泰伸 ,  吉冈启 ,  藤本英俊 ,  内原士 ,  大野哲也 ,  仲敏行 ,  小野祐

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14515 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种能够实现电极的连接部分的电传导性或热传导性的提高的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备半导体芯片，该半导体芯片具有氮化物半导体层、以及设置于上述氮化物半导体层的控制电极、第一主电极和第二主电极。进而，上述装置具备支撑体，该支撑体具有基板、以及设置于上述基板的控制端子、第一主端子和第二主端子。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极与上述支撑体相对置地设置于上述支撑体。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极分别与上述支撑体的上述控制端子、上述第一主端子以及上述第二主端子电连接。

公开(公告)号：CN104465741A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410061074.6

申请日：2014-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/872 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/045 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L29/778 ,  H01L29/41775

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：GaN系半导体层，表面相对m面或a面具有0度以上5度以下的角度；第一电极，设置于上述表面，具有第一端部；以及第二电极，与第一电极分离地设置于上述表面，具有与第一端部对置的第二端部，连接第一端部的任意点和第二端部的任意点的线段的方向与GaN系半导体层的c轴方向不同。

公开(公告)号：CN104064562A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310322235.8

申请日：2013-07-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉冈启 ,  齐藤泰伸 ,  藤本英俊 ,  内原士 ,  梁濑直子 ,  仲敏行 ,  大野哲也 ,  小野祐

IPC: H01L25/18 ,  H01L29/78 ,  H03K17/567

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/095 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种具备了稳定的整流特性的实施方式的半导体装置具备导电性基板；肖特基势垒二极管，具有阳极电极、阴极电极，安装为所述导电性基板和所述阳极电极电连接，所述导电性基板和所述阳极电极相对；场效应晶体管，在表面具有源极电极、漏极电极、以及栅极电极，安装为所述场效应晶体管背面与所述导电性基板相对。而且，源极电极与阴极电极电连接，栅极电极与阳极电极电连接。

公开(公告)号：CN103325830A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210320354.5

申请日：2012-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 三须伸一郎 ,  大田刚志 ,  西胁达也 ,  内原士 ,  川口雄介

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7801 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。实施方式的半导体装置具有漏极区、源极区、基极区、漂移区、栅极区、栅极绝缘膜、电场缓和部、漏电极和源电极。漏极区具有第一部分和第二部分，该第二部分具有在第一方向上延伸的面。源极区在第二方向上延伸并与漏极层分离设置。基极区设在漏极区与源极区之间。漂移区与源极区相接地设在漏极区与基极区之间。栅电极在第一方向以及第三方向上延伸，在第三方向上贯通基极区。栅极绝缘膜设在源极区、基极区和漂移区这三个区与栅电极之间。电场缓和部设在栅极绝缘膜与漏极区之间。漏电极连接于漏极区。源电极连接于源极区。