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公开(公告)号：CN108417549B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201710659413.4
申请日：2017-08-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L29/41 , H01L29/739
Abstract: 实施方式的半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、第2导电型的第5半导体区域、栅极电极和第2电极。上述第1半导体区域具有多个第1部分和多个第1突出部。多个第1部分沿着第1方向和与第1方向垂直的第2方向排列。多个第1突出部分别从多个第1部分突出。第1半导体区域设在第1电极之上。多个第2半导体区域相互隔开间隔而设在除了多个第1部分及多个第1突出部以外的第1半导体区域中。
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公开(公告)号：CN104916678A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410305208.4
申请日：2014-06-30
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 安本恭章 , 梁濑直子 , 阿部和秀 , 内原士 , 齐藤泰伸 , 仲敏行 , 吉冈启 , 小野祐 , 大野哲也 , 藤本英俊 , 增子真吾 , 古川大 , 八木恭成 , 汤元美树 , 饭田敦子 , 村上友佳子 , 罇贵子
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/408 , H01L29/2003 , H01L29/423 , H01L29/7786
Abstract: 本发明提供抑制电气特性的变动的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：GaN系半导体层；设置在GaN系半导体层上的源极；设置在GaN系半导体层上的漏极；在源极与漏极之间的、设置在GaN系半导体层上的栅极；以及在栅极与漏极之间与GaN系半导体层接触地设置的第1导电层。
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公开(公告)号：CN103681858A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310376099.0
申请日：2013-08-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/743 , H01L23/3178 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L29/0657 , H01L29/4175 , H01L29/7786 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05553 , H01L2224/05568 , H01L2224/0603 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/14155 , H01L2224/16225 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2224/13099
Abstract: 实施方式涉及的半导体装置具备：基板、第1半导体区域、第2半导体区域、第1电极、第2电极、控制电极、以及导通部。上述基板包含导电性区域。上述第1半导体区域包含设置于上述基板的第1面侧的AlxGa1－xN（0≤X≤1）。上述第2半导体区域包含设置于上述第1半导体区域的与上述基板相反一侧的AlYGa1－YN（0≤Y≤1，X≤Y）。上述第1电极设置于上述第2半导体区域的与上述第1半导体区域相反一侧，与上述第2半导体区域欧姆连接。上述控制电极与上述第1电极离开地设置。上述导电部电连接上述第1电极与上述导电性区域。
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公开(公告)号：CN102623499A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210017576.X
申请日：2012-01-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/1095 , H01L29/42356 , H01L29/42368 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/7395
Abstract: 实施方式的半导体元件具备：第1导电型的第1半导体层、第1导电型的第2半导体层、第2导电型的第3半导体层、第1导电型的第4半导体层、第1控制电极、引出电极、第2控制电极、第3控制电极。上述第1控制电极与上述第2半导体层、上述第3半导体层以及上述第4半导体层隔着第1绝缘膜对置。上述引出电极与上述第1控制电极电连接，设置在上述第2半导体层之上。上述第2控制电极以及上述第3控制电极与上述引出电极电连接，在上述引出电极下隔着第2绝缘膜与上述第2半导体层对置。在上述引出电极下的上述第2半导体层的表面没有设置上述第3半导体层。上述第2控制电极的电阻比上述第3控制电极的电阻高。
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公开(公告)号：CN108417549A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201710659413.4
申请日：2017-08-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L29/41 , H01L29/739
CPC classification number: H01L27/0635 , H01L29/0696 , H01L29/0821 , H01L29/083 , H01L29/0834 , H01L29/7397 , H01L29/8611
Abstract: 实施方式的半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、第2导电型的第5半导体区域、栅极电极和第2电极。上述第1半导体区域具有多个第1部分和多个第1突出部。多个第1部分沿着第1方向和与第1方向垂直的第2方向排列。多个第1突出部分别从多个第1部分突出。第1半导体区域设在第1电极之上。多个第2半导体区域相互隔开间隔而设在除了多个第1部分及多个第1突出部以外的第1半导体区域中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103325828B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201210315907.8
申请日：2012-08-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/0727 , H01L21/8252 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H02M3/155 , H02M3/33569 , H02M2001/007 , H01L2924/00
Abstract: 根据1个实施方式，氮化物半导体元件具备：导电性基板；第1氮化物半导体层，直接或经由缓冲层设在导电性基板之上，由无掺杂的氮化物半导体构成；第2氮化物半导体层，设在第1氮化物半导体层之上，由具有比第1氮化物半导体层大的带隙的无掺杂或n型的氮化物半导体构成；异质结场效应晶体管，具有源电极、漏电极及栅电极；肖特基势垒二极管，具有阳电极及阴电极；第1及第2元件分离绝缘层；框架电极。该框架电极与源电极及导电性基板电连接，将异质结场效应晶体管及肖特基势垒二极管的外周包围。
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公开(公告)号：CN103035641B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201210313561.8
申请日：2012-08-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0727 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/42372 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7805 , H01L29/7806 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具有场效应型晶体管、第5半导体层、第1二极管和第2二极管，该场效应型晶体管具有：半导体基板、设在所述半导体基板内的多个第2半导体层、以及设在所述第1半导体层的另一方的表面的第6半导体层，该第5半导体层设在所述半导体基板的一方的表面侧，该第1二极管与所述第5半导体层连接，该第2二极管以与所述第1二极管逆串联的方式连接。
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公开(公告)号：CN103035641A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210313561.8
申请日：2012-08-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/0727 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/42372 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7805 , H01L29/7806 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具有场效应型晶体管、第5半导体层、第1二极管和第2二极管，该场效应型晶体管具有：半导体基板、设在所述半导体基板内的多个第2半导体层、以及设在所述第1半导体层的另一方的表面的第6半导体层，该第5半导体层设在所述半导体基板的一方的表面侧，该第1二极管与所述第5半导体层连接，该第2二极管以与所述第1二极管逆串联的方式连接。
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公开(公告)号：CN102694029A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210061291.6
申请日：2012-03-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L21/266 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/41741 , H01L29/66712
Abstract: 实施方式的半导体元件，具备：在第1半导体层之上，沿着与第1半导体层的主面平行的方向，分别周期性地排列了第2半导体层和第3半导体层的周期的排列构造；设置在第3半导体层之上的第4半导体层；选择性地设置在第4半导体层的表面的第5半导体层；控制电极；设置在周期的排列构造的外侧的第1半导体层之上、且杂质浓度低于周期的排列构造所含的杂质浓度的第6半导体层；与第1半导体层电连接的第1主电极；与第4半导体层和第5半导体层连接的第2主电极。从与第1半导体层的主面垂直的方向看，第2半导体层和第3半导体层分别呈点状地配置，周期的排列构造的最外周的周期构造不同于最外周以外的周期的排列构造的周期构造。
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公开(公告)号：CN102694029B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201210061291.6
申请日：2012-03-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L21/266 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/41741 , H01L29/66712
Abstract: 实施方式的半导体元件，具备：在第1半导体层之上，沿着与第1半导体层的主面平行的方向，分别周期性地排列了第2半导体层和第3半导体层的周期的排列构造；设置在第3半导体层之上的第4半导体层；选择性地设置在第4半导体层的表面的第5半导体层；控制电极；设置在周期的排列构造的外侧的第1半导体层之上、且杂质浓度低于周期的排列构造所含的杂质浓度的第6半导体层；与第1半导体层电连接的第1主电极；与第4半导体层和第5半导体层连接的第2主电极。从与第1半导体层的主面垂直的方向看，第2半导体层和第3半导体层分别呈点状地配置，周期的排列构造的最外周的周期构造不同于最外周以外的周期的排列构造的周期构造。
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