公开(公告)号：CN104465655A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410376725.0

申请日：2014-08-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 汤元美树 ,  蔵口雅彦

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第1导电型的第1GaN类半导体层；第1导电型的第2GaN类半导体层，设在第1GaN类半导体层上；第2导电型的第3GaN类半导体层，设在第2GaN类半导体层上的一部分区域中；第1导电型的第4GaN类半导体层，设在第3GaN类半导体层上，是外延生长层；栅极绝缘膜，设在第2GaN类半导体层、第3GaN类半导体层及第4GaN类半导体层上；栅极电极，设在栅极绝缘膜上；第1电极，设在第4GaN类半导体层上；第2电极，设在第1GaN类半导体层的与第2GaN类半导体层相反的一侧；第3电极，设在第2GaN类半导体层上。

公开(公告)号：CN104916678A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410305208.4

申请日：2014-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子 ,  村上友佳子 ,  罇贵子

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/423 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供抑制电气特性的变动的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：GaN系半导体层；设置在GaN系半导体层上的源极；设置在GaN系半导体层上的漏极；在源极与漏极之间的、设置在GaN系半导体层上的栅极；以及在栅极与漏极之间与GaN系半导体层接触地设置的第1导电层。

公开(公告)号：CN104064598A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310737010.9

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藏口雅彦 ,  吉冈启 ,  汤元美树 ,  斋藤尚史 ,  大麻浩平 ,  杉山亨

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 实施方式的半导体装置，具备：氮化物半导体层；在氮化物半导体层上形成的栅电极；在氮化物半导体层上形成的源电极；在氮化物半导体层上相对于栅电极而与源电极相反的一侧形成的漏电极；在漏电极与栅电极之间的氮化物半导体层上形成的第一氮化硅膜；以及形成在氮化物半导体层与栅电极之间、硅对氮的原子比低于上述第一氮化硅膜的第二氮化硅膜。

公开(公告)号：CN104465655B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201410376725.0

申请日：2014-08-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 汤元美树 ,  蔵口雅彦

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第1导电型的第1GaN类半导体层；第1导电型的第2GaN类半导体层，设在第1GaN类半导体层上；第2导电型的第3GaN类半导体层，设在第2GaN类半导体层上的一部分区域中；第1导电型的第4GaN类半导体层，设在第3GaN类半导体层上，是外延生长层；栅极绝缘膜，设在第2GaN类半导体层、第3GaN类半导体层及第4GaN类半导体层上；栅极电极，设在栅极绝缘膜上；第1电极，设在第4GaN类半导体层上；第2电极，设在第1GaN类半导体层的与第2GaN类半导体层相反的一侧；第3电极，设在第2GaN类半导体层上。

公开(公告)号：CN104917483A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410275588.1

申请日：2014-06-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子 ,  村上友佳子 ,  铃木良和

IPC: H03H9/15 ,  H03H9/02

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/092 ,  H01L27/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H03H9/02566

Abstract: 本发明提供一种具备使用了GaN类半导体的谐振子的半导体装置。实施方式的半导体装置具备GaN类半导体层、以GaN类半导体层的一部分为压电层进行谐振的谐振子、以及以GaN类半导体层的一部分为沟道层的晶体管。

公开(公告)号：CN104916692A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410397429.9

申请日：2014-08-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 增子真吾 ,  安本恭章 ,  梁濑直子 ,  汤元美树 ,  三村正人 ,  齐藤泰伸 ,  吉冈启 ,  藤本英俊 ,  内原士 ,  大野哲也 ,  仲敏行 ,  小野祐

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14515 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种能够实现电极的连接部分的电传导性或热传导性的提高的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备半导体芯片，该半导体芯片具有氮化物半导体层、以及设置于上述氮化物半导体层的控制电极、第一主电极和第二主电极。进而，上述装置具备支撑体，该支撑体具有基板、以及设置于上述基板的控制端子、第一主端子和第二主端子。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极与上述支撑体相对置地设置于上述支撑体。进而，上述半导体芯片的上述控制电极、上述第一主电极以及上述第二主电极分别与上述支撑体的上述控制端子、上述第一主端子以及上述第二主端子电连接。

公开(公告)号：CN104465741A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410061074.6

申请日：2014-02-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 安本恭章 ,  梁濑直子 ,  阿部和秀 ,  内原士 ,  齐藤泰伸 ,  仲敏行 ,  吉冈启 ,  小野祐 ,  大野哲也 ,  藤本英俊 ,  增子真吾 ,  古川大 ,  八木恭成 ,  汤元美树 ,  饭田敦子

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/872 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/045 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L29/778 ,  H01L29/41775

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备：GaN系半导体层，表面相对m面或a面具有0度以上5度以下的角度；第一电极，设置于上述表面，具有第一端部；以及第二电极，与第一电极分离地设置于上述表面，具有与第一端部对置的第二端部，连接第一端部的任意点和第二端部的任意点的线段的方向与GaN系半导体层的c轴方向不同。

公开(公告)号：CN109524455B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201810163337.2

申请日：2018-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 加藤大望 ,  吉田学史 ,  田岛纯平 ,  上杉谦次郎 ,  彦坂年辉 ,  汤元美树 ,  布上真也 ,  蔵口雅彦

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/36 ,  H01L29/778

Abstract: 提供一种能够提高耐压的半导体基板和半导体器件。根据实施方式，半导体基板包含：第1半导体层，包含Alx1Ga1‑x1N(0

公开(公告)号：CN109524455A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201810163337.2

申请日：2018-02-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 加藤大望 ,  吉田学史 ,  田岛纯平 ,  上杉谦次郎 ,  彦坂年辉 ,  汤元美树 ,  布上真也 ,  蔵口雅彦

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/36 ,  H01L29/778

Abstract: 提供一种能够提高耐压的半导体基板和半导体器件。根据实施方式，半导体基板包含：第1半导体层，包含Alx1Ga1-x1N(0