结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统

    公开(公告)号:CN111383911B

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN201911366053.4

    申请日:2019-12-26

    Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴、以含有镓的金属氧化物为主要成分的结晶性氧化物膜时,通过使第二边比第一边短,使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小,使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行,使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行,从而得到一种结晶性氧化物膜,该结晶性氧化物膜至少包括第一边和比第一边短的第二边,第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小,第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行,第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。

    结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统

    公开(公告)号:CN111383911A

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201911366053.4

    申请日:2019-12-26

    Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴、以含有镓的金属氧化物为主要成分的结晶性氧化物膜时,通过使第二边比第一边短,使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小,使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行,使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行,从而得到一种结晶性氧化物膜,该结晶性氧化物膜至少包括第一边和比第一边短的第二边,第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小,第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行,第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。

    半导体装置和半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN102222622A

    公开(公告)日:2011-10-19

    申请号:CN201110094367.0

    申请日:2011-04-12

    Abstract: 本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。在具有位于板(10)上的线圈层部分(21)的半导体装置的制造方法中,制备两个分别具有平坦表面的支承基板(80),以及在每个支承基板的平坦表面上形成构件(30,40,50,60)。所述构件包括具有预定图案的布线部分(32,42,52,62)和包围该布线部分的绝缘膜(31,41,51,61)。布线部分设有从绝缘膜暴露的连接部分(32a,32b,42a,42b,52a,52b,62a,62b)。线圈层部分(21)在支承基板(80)的平坦表面相互平行的条件下通过使形成在支承基板(80)上的构件(30,40,50,60)彼此相对并结合形成。线圈(20)通过经由连接部分连接布线部分形成在线圈层部分中。

    半导体装置和半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN102222622B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201110094367.0

    申请日:2011-04-12

    Abstract: 本发明涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。在具有位于板(10)上的线圈层部分(21)的半导体装置的制造方法中,制备两个分别具有平坦表面的支承基板(80),以及在每个支承基板的平坦表面上形成构件(30,40,50,60)。所述构件包括具有预定图案的布线部分(32,42,52,62)和包围该布线部分的绝缘膜(31,41,51,61)。布线部分设有从绝缘膜暴露的连接部分(32a,32b,42a,42b,52a,52b,62a,62b)。线圈层部分(21)在支承基板(80)的平坦表面相互平行的条件下通过使形成在支承基板(80)上的构件(30,40,50,60)彼此相对并结合形成。线圈(20)通过经由连接部分连接布线部分形成在线圈层部分中。

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