公开(公告)号：CN101840910A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010105258.X

申请日：2010-01-26

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 依田智子 ,  白井优之 ,  中岛浩一 ,  小作浩 ,  田上知纪 ,  冈部宽 ,  原敦

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/552 ,  H01L21/50 ,  H05K9/00

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/552 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0218 ,  H05K3/0052 ,  H05K3/284 ,  H05K9/0084 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/0909 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。其中提供一种允许减少半导体器件的尺寸而不减弱电磁屏蔽效果和防范回流加热的可靠性的技术。在多个部件安装于模块衬底的部件安装表面之上之后，形成树脂以覆盖安装的部件。另外在树脂的表面(上表面和侧表面)之上形成屏蔽层，该屏蔽层包括Cu镀膜和Ni镀膜的叠置膜。在屏蔽层中，多个微通道裂缝沿着颗粒边界并且以网状配置随机形成而不在直线中相互耦合，并且通过微通道裂缝形成从树脂向屏蔽层的表面延伸的多个路径。