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公开(公告)号：CN118382511A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202280082216.X
申请日：2022-11-08
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B21/00 , B23Q15/00 , B24B9/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明关于一种基板研磨方法，其将研磨带按压于晶片等基板以研磨该基板。在基板研磨方法中，将已研磨的基板的实际研磨条件和实际研磨条件下的研磨带的实际使用量储存于数据库(21a)并将实际研磨条件与实际使用量关联起来，在对研磨对象基板进行研磨之前，从数据库(21a)检索与研磨对象基板的预设研磨条件一致的实际研磨条件，将与和预设研磨条件一致的实际研磨条件关联起来的研磨带的实际使用量决定为对于研磨对象基板进行研磨所需的研磨带的预测使用量，比较研磨对象基板的研磨中使用的研磨带的剩余量与已决定的预测使用量，当研磨带的剩余量在预测使用量以上时，用研磨模块(4A、4B)对研磨对象基板进行研磨。
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公开(公告)号：CN118331523A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311832645.7
申请日：2023-12-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: G06F3/14
Abstract: 本发明提供半导体制造装置中的信息显示方法及计算机程序。在半导体制造装置中，能够确认对测定数据进行的计算处理的具体计算条件。半导体制造装置中的信息显示方法包括：获取与上述半导体制造装置中的基板的处理相关的一个或多个时间序列测定数据的步骤；通过对上述一个或多个时间序列测定数据进行统计处理而得到一个或多个统计值的步骤；基于上述一个或多个统计值中的一个选择，确定在用于得到上述选择出的一个统计值的统计处理中所使用的统计处理条件的步骤；以及显示上述确定出的统计处理条件的步骤。
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公开(公告)号：CN116240612A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211383171.8
申请日：2022-11-07
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25D17/06 , C25D19/00 , C25D7/12 , H01L21/67 , G06K19/077
Abstract: 本发明涉及基板支架、镀敷装置以及基板支架的管理方法。提供用于根据基板支架的使用状态来适当地处理基板支架的技术。一种基板支架，用于在镀敷装置中保持作为镀敷对象的基板。基板支架具备RFID标签，上述RFID标签具有存储使用属性的存储区域，上述使用属性包含表示在镀敷处理中被使用的状态的属性。
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公开(公告)号：CN108693844B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201810291332.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: G05B19/418
Abstract: 在半导体制造装置中，提供能够简单理解怎样达到了某种状况、例如故障的动画。提供一种计算机程序，在一个以上计算机执行控制与半导体制造装置相关的显示的方法，包含如下步骤：反复获取半导体制造装置所包含的一个以上的设备的状态；每获取一次一个以上的设备的状态时，至少将表示状态的图像显示在显示器上，由此提供表示半导体制造装置的动作的第一动画；将所获取的一个以上的设备的状态和与状态相关的时刻存储于存储器；接收切换显示模式的输入；在收到切换显示模式的输入后，至少将分别表示存储于存储器的、与包含基准时刻的一个以上的时刻相关的一个以上的设备的状态的一个以上的图像逐一显示在显示器上，由此提供半导体制造装置的第二动画。
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公开(公告)号：CN113139363A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202011579486.0
申请日：2020-12-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: G06F30/398 , G06F30/31 , H01L21/48
Abstract: 本发明为一种镀敷辅助系统、镀敷辅助装置以及存储介质，容易决定用于提高通过镀敷处理所获得的面内均匀性的实施条件。镀敷辅助系统包括：模拟器(362)，根据与基板的电解镀敷处理相关的设想条件，预测形成在基板的镀敷膜的面内均匀性值；数值分析数据存储部(370)，关于多个设想条件，存储将各设想条件与面内均匀性值建立对应的数值分析数据；回归分析部(250)，通过基于数值分析数据的回归分析，推算将面内均匀性值作为目标变量，将设想条件的变量作为说明变量的模型；以及实施条件探索部(252)，使用经推算的模型，探索作为与在镀敷对象基板的电解镀敷处理中形成的镀敷膜的面内均匀性相关的设想条件的推荐值的实施条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120020281A
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202411483468.0
申请日：2024-10-23
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供能够提高形成于基板的镀覆膜的均匀性的方法、镀覆装置。一种方法，在计算机中设定具备遮蔽体的镀覆装置中的上述遮蔽体的进退动作方案，上述遮蔽体能够向介于基板的被镀覆面与阳极之间的遮蔽位置、和从上述基板的上述被镀覆面与上述阳极之间退避的退避位置移动，该方法包括如下步骤：获取上述基板的抗蚀图案；基于获取到的上述抗蚀图案来计算上述基板的每个规定角度区域的镀覆生长系数；以及基于计算出的上述镀覆生长系数来设定上述遮蔽体的进退动作方案。
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公开(公告)号：CN111522286A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010066334.4
申请日：2020-01-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供了控制系统、计算机能够读取的记录介质及控制系统的方法，其能够高效地进行动作调整作业且安全地调整单元。控制系统(20)具备：控制装置(10)；以及多个终端装置，能够与控制装置(10)连接。控制装置(10)具备：存储装置(110)，储存了处理程序；以及处理装置(120)，根据处理程序而执行运算。处理程序包括以下的指令：以没有将访问对象单元的排他性操作权赋予多个终端装置中的任一个终端装置为条件，对应从多个终端装置中的一个终端装置即对象终端装置发送给控制装置(10)的、调整对象单元对访问对象单元的访问操作权的请求，将访问操作权赋予对象终端装置。
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公开(公告)号：CN111522286B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202010066334.4
申请日：2020-01-20
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 本发明提供了控制系统、计算机能够读取的记录介质及控制系统的方法，其能够高效地进行动作调整作业且安全地调整单元。控制系统(20)具备：控制装置(10)；以及多个终端装置，能够与控制装置(10)连接。控制装置(10)具备：存储装置(110)，储存了处理程序；以及处理装置(120)，根据处理程序而执行运算。处理程序包括以下的指令：以没有将访问对象单元的排他性操作权赋予多个终端装置中的任一个终端装置为条件，对应从多个终端装置中的一个终端装置即对象终端装置发送给控制装置(10)的、调整对象单元对访问对象单元的访问操作权的请求，将访问操作权赋予对象终端装置。
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公开(公告)号：CN117616371A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280048509.6
申请日：2022-07-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: G06F3/0481 , H01L21/02
Abstract: 在半导体制造装置中，减轻伴随着GUI画面的本地化的作业负荷。提供一种用于对控制程序的GUI画面进行本地化的方法，所述控制程序构成为控制半导体制造装置。所述半导体制造装置具备作为所述半导体制造装置的构成要素的多个模块，各所述模块具备作为该模块的构成要素的多个器件，所述方法包含：读入设定文件的步骤，该设定文件定义了用于在所述GUI画面显示与所述模块及所述器件相关联的记述的数据，并且所述设定文件是结构化为与所述模块对应的上位层和与所述器件对应的下位层的文件；接受对于在所述设定文件中被记述的值的译文的输入的步骤；以及用所述译文置换所述值并作为翻译完成设定文件进行保存的步骤。
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公开(公告)号：CN114764311A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210025456.8
申请日：2022-01-11
Applicant: 株式会社荏原制作所
Inventor： 藤木雅之
IPC: G06F3/06 , G06F16/172 , G06F16/18 , G06F16/22
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置中的数据的管理方法以及具备环形缓冲区的控制装置。以往，要想在控制装置中保存较高的采样速率的数据，需要增大环形缓冲区的容量。半导体制造装置中的数据的管理方法包含如下的步骤：控制装置取得与上述半导体制造装置的动作相关的数据；上述控制装置在上述所取得的数据中识别第一数据和第二数据；上述控制装置将上述第一数据以第一时间粒度写入到第一环形缓冲区，将上述第二数据以比上述第一时间粒度粗略的第二时间粒度写入到第二环形缓冲区；以及数据管理装置从上述第一环形缓冲区和上述第二环形缓冲区分别取出上述第一数据、上述第二数据，并储存于数据库。
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