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公开(公告)号:CN105801612A
公开(公告)日:2016-07-27
申请号:CN201610141031.8
申请日:2013-06-03
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C07F7/10 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法。本文描述了形成含硅薄膜的前体和方法。一方面,提供式I的前体:其中R1选自直链或支链C3?C10烷基、直链或支链C3?C10烯基、直链或支链C3?C10炔基、C1?C6二烷基氨基、吸电子基团和C6?C10芳基;R2选自氢、直链或支链C1?C10烷基、直链或支链C3?C6烯基、直链或支链C3?C6炔基、C1?C6二烷基氨基、C6?C10芳基、直链或支链C1?C6氟化烷基、吸电子基团和C4?C10芳基;任选地其中R1和R2连接在一起形成选自取代或未取代的芳族环或者取代或未取代的脂族环的环;且n=1或2。
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公开(公告)号:CN103450242A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201310220939.4
申请日:2013-06-03
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: H01L21/02211 , C01B21/0682 , C01B21/0828 , C01B33/021 , C01B33/126 , C01P2002/02 , C07F7/025 , C07F7/10 , C09D1/00 , C09D7/20 , C23C16/18 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45542 , C23C16/45553 , C23C16/46 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , Y10T428/13
Abstract: 本文描述了形成含硅薄膜的前体和方法。一方面,提供式I的前体:其中R1选自直链或支链C3-C10烷基、直链或支链C3-C10烯基、直链或支链C3-C10炔基、C1-C6二烷基氨基、吸电子基团和C6-C10芳基;R2选自氢、直链或支链C1-C10烷基、直链或支链C3-C6烯基、直链或支链C3-C6炔基、C1-C6二烷基氨基、C6-C10芳基、直链或支链C1-C6氟化烷基、吸电子基团和C4-C10芳基;任选地其中R1和R2连接在一起形成选自取代或未取代的芳族环或者取代或未取代的脂族环的环;且n=1或2。
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