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公开(公告)号：CN101838210A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010139509.6
申请日：2010-03-09
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C07C225/14 , C07C221/00
Abstract: 本发明涉及制备多齿β-酮基亚氨酸盐的金属络合物的方法。一种制备由以下结构A表示的含2族金属的多齿β-酮基亚氨酸盐的方法，其中M为选自Mg、Ca、Sr和Ba的金属；R1、R3、R5和R6独立选自烷基、氟代烷基、环脂族基团，及芳基；R2选自氢原子、烷基、烷氧基、环脂族基团，及芳基；和R4为亚烷基桥，该方法包括：使包含三齿酮亚胺配体的反应混合物中的M与包含至少一种选自R7OH和(OH)nR8的醇反应，其中R7和R8独立选自烷基和芳基。在某些实施方案中，反应混合物还包含有机溶剂。
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公开(公告)号：CN101735082A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910212005.X
申请日：2009-11-06
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C07C225/14 , C07C221/00 , C07D307/14 , C23C16/40
CPC classification number: C07C225/14 , C23C16/403 , C23C16/404
Abstract: 本发明涉及含2族金属的多齿β-酮亚胺酸盐前体以及包括含2族金属的多齿β-酮亚胺酸盐前体的组合物，其中多齿β-酮亚胺酸盐前体将烷氧基引入到该分子的亚胺基部分中。化合物和组合物可用于采用化学蒸汽沉积(CVD)方法在基片如硅、金属氮化物、金属氧化物和其它金属层上制造含金属的膜。
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公开(公告)号：CN101673706A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910173396.9
申请日：2009-08-14
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/532 , C23C16/18 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/76846
Abstract: 本发明涉及用于在扩散阻挡层上的铜膜的粘合增强的材料。已经使用现有技术的计算化学技术来鉴定为铜种子层到粘合增进层以及粘合增进层到阻挡层提供良好粘合的粘合增进层材料。已经鉴定了导致在各种金属表面上提供铜层的优良粘合的因素以及发生铜膜附聚的环境。已经预测数种有前景的基于铬合金的粘合增进层材料能显著地增强铜膜的粘合。多齿β-酮亚胺盐的含铬络合物已被鉴定作为含铬前体用于制造具有铬的合金。
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公开(公告)号：CN104425209A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410418846.7
申请日：2014-08-22
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02164 , C09D5/00 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/452 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02271 , H01L21/02282
Abstract: 本文所描述的是用于在半导体沉积工艺，例如但不限于，氧化硅的可流动化学气相沉积中形成膜的组合物或制剂。本文还描述了通过掺入本文所描述的炔醇和二醇或其它类型的表面活性剂从而改善表面润湿性的方法，所述炔醇和二醇或其它类型的表面活性剂例如但不限于3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、2,4,7,9-四甲基-5-癸炔-4,7-二醇、4-乙基-1-辛炔-3-醇、2,5-二甲基己-2,5-二醇、2,4,7,9-四甲基-5-十二炔-4,7-二醇、2,5,8,11-四甲基-6-十二炔-5,8-二醇、2,6-二甲基-4-庚醇、N,N’-双(1,3-二甲基丁基)乙二胺、酒石酸二异戊酯、2,4,7,9-四甲基-4,7-癸二醇、及其任意组合。
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公开(公告)号：CN101838210B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201010139509.6
申请日：2010-03-09
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C07C225/14 , C07C221/00
Abstract: 本发明涉及制备多齿β-酮基亚氨酸盐的金属络合物的方法。一种制备由以下结构A表示的含2族金属的多齿β-酮基亚氨酸盐的方法，其中M为选自Mg、Ca、Sr和Ba的金属；R1、R3、R5和R6独立选自烷基、氟代烷基、环脂族基团，及芳基；R2选自氢原子、烷基、烷氧基、环脂族基团，及芳基；和R4为亚烷基桥，该方法包括：使包含三齿酮亚胺配体的反应混合物中的M与包含至少一种选自R7OH和(OH)nR8的醇反应，其中R7和R8独立选自烷基和芳基。在某些实施方案中，反应混合物还包含有机溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103451619A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310220937.5
申请日：2013-06-03
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: H01L21/02211 , C07F7/025 , C07F7/10 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45542 , C23C16/45553
Abstract: 本文描述的是用于形成含硅薄膜的前体和方法。在一个方面中，存在如下式I的前体：其中R1和R3独立地选自直链或支链C3-C10烷基、直链或支链C3-C10烯基、直链或支链C3-C10炔基、C1-C6二烷基氨基、吸电子基团和C6-C10芳基；R2和R4独立地选自氢、直链或支链C3-C10烷基、直链或支链C3-C10烯基、直链或支链C3-C10炔基、C1-C6二烷基氨基、吸电子基团和C6-C10芳基；并且其中R1和R2、R3和R4、R1和R3或者R2和R4中的任一组、全部或没有一组连接在一起以形成环。
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公开(公告)号：CN105801616A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610162014.2
申请日：2013-12-11
Applicant: 气体产品与化学公司
Abstract: 本发明描述了具有下述式A或式B的烷氧基甲硅烷基胺前体：其中R1和R4独立地选自直链或支链C1至C10烷基、C3至C12烯基、C3至C12炔基、C4至C10环烷基和C6至C10芳基，并且其中R2、R3、R5和R6独立地选自氢、直链或支链C1至C10烷基、C2至C12烯基、C2至C12炔基、C4至C10环烷基、C6至C10芳基以及直链或支链C1至C10烷氧基。本文还描述了使用至少一种具有本文所述的式A和/或B的前体的沉积工艺。
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公开(公告)号：CN105801612A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610141031.8
申请日：2013-06-03
Applicant: 气体产品与化学公司
IPC: C07F7/10 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法。本文描述了形成含硅薄膜的前体和方法。一方面，提供式I的前体：其中R1选自直链或支链C3?C10烷基、直链或支链C3?C10烯基、直链或支链C3?C10炔基、C1?C6二烷基氨基、吸电子基团和C6?C10芳基；R2选自氢、直链或支链C1?C10烷基、直链或支链C3?C6烯基、直链或支链C3?C6炔基、C1?C6二烷基氨基、C6?C10芳基、直链或支链C1?C6氟化烷基、吸电子基团和C4?C10芳基；任选地其中R1和R2连接在一起形成选自取代或未取代的芳族环或者取代或未取代的脂族环的环；且n＝1或2。
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公开(公告)号：CN103451619B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310220937.5
申请日：2013-06-03
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: H01L21/02211 , C07F7/025 , C07F7/10 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/45542 , C23C16/45553
Abstract: 本文描述的是用于形成含硅薄膜的前体和方法。在一个方面中，存在如下式I的前体：其中R1和R3独立地选自直链或支链C3-C10烷基、直链或支链C3-C10烯基、直链或支链C3-C10炔基、C1-C6二烷基氨基、吸电子基团和C6-C10芳基；R2和R4独立地选自氢、直链或支链C3-C10烷基、直链或支链C3-C10烯基、直链或支链C3-C10炔基、C1-C6二烷基氨基、吸电子基团和C6-C10芳基；并且其中R1和R2、R3和R4、R1和R3或者R2和R4中的任一组、全部或没有一组连接在一起以形成环。
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公开(公告)号：CN103864837A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310698533.7
申请日：2013-12-11
Applicant: 气体产品与化学公司
CPC classification number: B65D25/14 , C07F7/10 , C07F7/1804 , C23C16/00
Abstract: 本发明描述了具有下述式A或式B的烷氧基甲硅烷基胺前体：其中R1和R4独立地选自直链或支链C1至C10烷基、C3至C12烯基、C3至C12炔基、C4至C10环烷基和C6至C10芳基，并且其中R2、R3、R5和R6独立地选自氢、直链或支链C1至C10烷基、C2至C12烯基、C2至C12炔基、C4至C10环烷基、C6至C10芳基以及直链或支链C1至C10烷氧基。本文还描述了使用至少一种具有本文所述的式A和／或B的前体的沉积工艺。
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