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公开(公告)号：CN117711995A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202211084354.X
申请日：2022-09-06
Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/205 , H01L31/18 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种晶片舟、沉积设备和基片加工方法，通过设置齿杆来压紧基片，在每个齿杆的一端连接弹性部件，另一端由驱动装置来推动齿杆的运动，使得齿杆的弹性部件处于压缩状态时，晶片舟可以处于放置基片的状态，而在弹性部件复位时，齿杆上的抵接部构成一个接触平面来压紧基片。这样，通过弹性部件的压缩和复位，实现基片的放置和压紧固定，无需额外的卡位结构和卡位动作，在量产中节约时间成本，也减少了硬件成本。
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公开(公告)号：CN117702088A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202211085057.7
申请日：2022-09-06
Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司
IPC: C23C16/458 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供晶片舟、沉积设备和基片加工方法，晶片舟采用舟片与齿杆配合的方式固定基片，舟片上设置有沉降槽，通过沉降槽容纳基片，基片的边缘被沉降边沿包围，减少基片非镀膜面与工艺气体的接触，同时，通过可移动的齿杆的抵接部可以进一步压紧基片，增加与基片的贴合程度，这样，在沉积工艺中，使得工艺气流绕沉降槽面上走，从而改善基片绕镀现象。
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公开(公告)号：CN115418627B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202211115481.1
申请日：2022-09-14
Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及喷淋镀膜领域，特别是公开了一种混气装置、镀膜喷淋装置及半导体镀膜设备，包括基材主体，所述基材主体填充于混气管道中，使通过所述混气管道中的气体只能沿所述基材主体上的延展气道前进并穿过所述混气装置；所述气体在所述延展气道内行进的距离长于所述基材主体填充的混气管道的管道段的长度。本发明通过在预定承担混气作用的管道内填充所述基材主体，得到蜿蜒前进的延展气道，使参与气体混合的气体在所述延展气道内前进的距离远长于所述基材主体填充的混气管道的管道段的长度，实现不同气体的充分混合，提高混合气体的均匀性。
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公开(公告)号：CN116590692A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310489360.1
申请日：2023-05-04
Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/67 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种喷淋板、反应腔室、使用气体的处理设备以及基片的处理方法，淋板一面为平面、另一面为非平面，可使得本体中部区域的厚度大于两侧区域的厚度，这样气道可以设置在本体的不同厚度处，使得位于中部的气道至喷淋面的距离大于两侧区域气道至喷淋面的距离，这样中部区域的喷淋路径较两侧区域的喷淋路径更长，而喷淋面的中部面向待加工基片的中部区域，喷淋面的两侧区域面向待加工基片的两侧区域，从而，可以通过喷淋路径长度不同，改善进气腔体的混气二次分配的效果，提高混气效率和均匀性，有利于镀膜均匀性的改善。
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公开(公告)号：CN116435215A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210003273.6
申请日：2022-01-04
Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供了一种晶圆处理设备、晶圆处理系统及控制方法。该晶圆处理设备包括驱动装置、转换腔、处理腔和承载件；处理腔和驱动装置分别设置于转换腔的两侧，承载件设置于转换腔内，处理腔与转换腔连通，处理腔用于处理晶圆，承载件用于承载晶圆，驱动装置用于调整承载件在转换腔的位置，驱动装置并用于驱动承载件在转换腔和处理腔之间移动。本发明的晶圆处理设备能够将需要进行处理的晶圆通过驱动装置直接输送至处理腔进行加工，对需要调整的晶圆或无需直接加工的晶圆可以在转换腔内进行调整或留存，能够减少不同批次间晶圆占用工作机构的时间和等待的时间，同时也能通过转换腔和承载件提供同步对多片晶圆进行加工的基础条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116230484A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310167005.2
申请日：2023-02-24
Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/677
Abstract: 本申请公开了一种处理设备和晶圆处理方法。处理设备包括主体和升降机构。主体具有处理腔、传片通道以及安装腔。升降机构设置于安装腔，升降机构包括可移动的遮挡件。其中，处理腔的侧壁设置有传片口，传片通道通过传片口与处理腔连通。安装腔与传片通道连通，遮挡件选择性地伸入传片通道内。遮挡件伸入时，遮挡件遮挡传片通道，封闭处理腔。通过上述方式，本申请能够提高处理设备对晶圆的处理质量。
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公开(公告)号：CN114959650A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210551680.0
申请日：2022-05-18
Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置。在各实施例中，一种半导体装置包括：第一基座，其具有正表面和背表面，且包含第一主进气通道、第二主进气通道、第一分流通道及第一通孔；第二基座，其连接至第一基座的背表面，且包含第一主进气通道、第二主进气通道、第二分流通道及第二通孔；以及基座盖板，其连接至第一基座的正表面，且包含第一主进气通道、第二主进气通道、第三分流通道及第三通孔，基座盖板经由第一主进气通道接收第一气体且经由第二主进气通道接收第二气体，其中第一气体和第二气体经由第一通孔和第三通孔输送至第一基座的正表面，且第一气体和第二气体经由第一通孔和第二通孔输送至第一基座的背表面。
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公开(公告)号：CN114875384A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210444943.8
申请日：2022-04-26
Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种半导体加工设备，包括：反应腔模组，反应腔模组包括反应腔体和反应腔机架；气体传输模组，气体传输模组为至少一个，且气体传输模组与反应腔模组可拆卸连接；配电箱模组，配电箱模组为至少一个，且配电箱模组与气体传输模组和/或反应腔模组可拆卸连接。其将多个功能组件模块化，各模组之间可拆卸连接，拆卸和装配更加灵活，使得在不同的使用场景中，各模组可以根据使用需要进行不同组合，灵活性更好。同时，气体传输模组独立设置，并可以直接连接反应腔模组，降低了工艺气体传输管路的长度和复杂程度，传输管路得以缩短。并且，各模组直接连接，显著降低了设备的总体高度，增大了维护空间，降低了维护难度和维护成本。
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公开(公告)号：CN113774359B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202111114345.6
申请日：2021-09-23
Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种化学源瓶保温装置，包括外壳，所述外壳内放置源瓶，所述源瓶具有进入管和排出管，所述进入管和所述排出管穿出所述外壳；所述外壳内安装若干加热器；所述外壳上结合安装与其内部连通的氮气进入管路和氮气排出管路；所述外壳具有真空夹层。所述化学源瓶保温装置有利于源瓶的保温，避免因突然断电降温导致前驱体冷凝导致的管路或阀体的堵塞；通过设置外壳内通氮气，可以在源瓶密封失效时防止前驱体与空气中的氧气或水蒸气发生反应，保证工艺效果；外壳由可拆卸连接的筒体和盖体组成，方便对源瓶进行维护。
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公开(公告)号：CN114959650B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202210551680.0
申请日：2022-05-18
Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/50 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置。在各实施例中，一种半导体装置包括：第一基座，其具有正表面和背表面，且包含第一主进气通道、第二主进气通道、第一分流通道及第一通孔；第二基座，其连接至第一基座的背表面，且包含第一主进气通道、第二主进气通道、第二分流通道及第二通孔；以及基座盖板，其连接至第一基座的正表面，且包含第一主进气通道、第二主进气通道、第三分流通道及第三通孔，基座盖板经由第一主进气通道接收第一气体且经由第二主进气通道接收第二气体，其中第一气体和第二气体经由第一通孔和第三通孔输送至第一基座的正表面，且第一气体和第二气体经由第一通孔和第二通孔输送至第一基座的背表面。
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