一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法

    公开(公告)号:CN116904962A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310666626.5

    申请日:2023-06-06

    Abstract: 本申请涉及一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法。其中处理设备包括反应室、加热装置和真空室。反应室内形成反应腔。加热装置包括加热室。加热室套设于反应室外。真空室内形成真空腔,反应室和加热装置设置于真空腔内。该结构的设置,实现了待反应物从传片到进入反应腔内始终保持真空状态,无需破真空,进而待反应物无需与大气接触,以使得待反应物之间气体流阻更加一致,能够有效提高待反应物之间的膜厚均匀性。同时,能够避免反应腔内待反应物在发生反应时,不会受到大气压强以及大气温度的干扰,以保证反应腔内气体的均匀性,使得待反应物之间气体流阻的一致性更好,进而待反应物之间的膜厚均匀性也更好。

    输送装置及自动输送系统
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115717236A

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202211389712.8

    申请日:2022-11-08

    Abstract: 本申请涉及一种输送装置及自动输送系统,包括主体及旁通管,主图内部具有用于输送第一介质的输送通道,输送通道的出口与反应装置连通,旁通管与树洞通道连通且用于输送第二介质。其中,输送通道具有用于产生负压的第一功能段,旁通管与功能段连通,第二介质在功能段产生的负压作用下通过旁通管被吸入输送装置。如此,旁通管内的第二介质,在第一功能段产生的负压作用下,被自动且快速的吸入输送通道内并随第一介质一起从输送通道的出口进入反应装置内,以满足反应装置的后续工艺要求。

    ALD喷淋组件及ALD镀膜设备

    公开(公告)号:CN113106421B

    公开(公告)日:2024-09-17

    申请号:CN202110317891.3

    申请日:2021-03-25

    Abstract: 本发明涉及一种ALD喷淋组件,包括基板、盖板及第一进气件。盖板密封连接于基板且覆盖开口,待加工件放置于反应腔内,反应气体从第一进气孔进入进气腔后,进气腔会提供给反应气体一个缓冲空间,经过进气腔缓冲后的气体分布更加均匀。同时,从第一出气口排出的反应气体通过多个第一连通孔进入反应腔,进一步地提高了进入反应腔内的反应气体的均匀性,从而确保了反应腔内的反应气体与待加工件之间的接触更加均匀,使得最终反应气体在待加工件上生成的薄膜更加均匀,提高了薄膜的质量。本发明还涉及一种ALD镀膜设备。

    一种加热设备、半导体镀膜设备以及加热方法

    公开(公告)号:CN116437507A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202310692615.4

    申请日:2023-06-13

    Abstract: 本申请提供了一种加热设备、半导体镀膜设备以及加热方法,该加热设备包括加热室、第一加热件以及第二加热件,加热室内形成工作腔,第一加热件套设于加热室的外壁,且第一加热件呈带状,呈首尾相接绕设于加热室外壁;第二加热件设置于加热室的一端,第二加热件与第一加热件相邻设置;其中,第一加热件包括:第一导热层,包裹设置于加热室外壁;第二导热层,与第一导热层层叠设置;加热丝,夹设于第一导热层和第二导热层之间。本申请的加热设备通过第一加热件和第二加热件对加热室进行加热,提高加热室内的温度均匀性的同时,做到紧靠加热室,以最短距离进行加热,减少热量损失,提高加热效率。

    工艺管道加热装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113186515A

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN202110545307.X

    申请日:2021-05-19

    Abstract: 一种工艺管道加热装置,其包括真空腔体、加热器及工艺气氛管道,所述真空腔体包括相对的真空侧和大气侧,所述真空侧承受真空,所述大气侧承受标准大气压,所述加热器包括密封筒体和位于所述密封筒体内的发热元件,所述工艺气氛管道穿设于所述密封筒体,所述密封筒体的内壁和所述工艺气氛管道外壁之间为大气状态,所述密封筒体包括相对的真空端和密封端,所述真空端与所述密封筒体密封连接,所述密封端和所述真空腔体密封连接,防止发热元件材料污染真空腔体,改善镀膜质量,降低颗粒物生成的风险,防止堵塞工艺管道。

    半导体加工设备
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114875384A

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202210444943.8

    申请日:2022-04-26

    Abstract: 本发明公开了一种半导体加工设备,包括:反应腔模组,反应腔模组包括反应腔体和反应腔机架;气体传输模组,气体传输模组为至少一个,且气体传输模组与反应腔模组可拆卸连接;配电箱模组,配电箱模组为至少一个,且配电箱模组与气体传输模组和/或反应腔模组可拆卸连接。其将多个功能组件模块化,各模组之间可拆卸连接,拆卸和装配更加灵活,使得在不同的使用场景中,各模组可以根据使用需要进行不同组合,灵活性更好。同时,气体传输模组独立设置,并可以直接连接反应腔模组,降低了工艺气体传输管路的长度和复杂程度,传输管路得以缩短。并且,各模组直接连接,显著降低了设备的总体高度,增大了维护空间,降低了维护难度和维护成本。

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