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公开(公告)号：CN104032241B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201410231421.5
申请日：2014-05-28
Applicant: 浙江大学 , 浙江明贺钢管有限公司
Abstract: 本发明公开了一种非晶软磁复合材料的制备方法。该制备方法包含制备非晶薄带、脆化退火、球磨制粉、钝化处理、压制成型、热处理和固化步骤，所述的非晶软磁复合材料的合金成分为铁基非晶合金，该合金的组成以原子比表示满足下式：Fe100-a-b-cTaMbDc，其中，15≤a≤30，0
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公开(公告)号：CN104036902A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410229917.9
申请日：2014-05-28
Applicant: 浙江明贺钢管有限公司 , 浙江大学
IPC: H01F1/147 , H01F1/22 , B22D11/06 , B22F1/02 , B22F3/02 , B22F9/04 , C22C38/06 , C22C38/08 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C38/34 , C22C38/38 , C22C38/52 , C22C38/58
Abstract: 本发明公开了一种金属磁粉芯的制备方法。包括如下步骤：1)采用真空感应炉熔炼母合金，利用快淬设备得到合金薄带；2)对薄带进行球磨处理；3)将粉末进行退火处理；4)将退火后的粉末进行粒度配比；5)往配好的粉末中加入钝化剂进行钝化处理，然后加入粘结剂及绝缘剂，进行绝缘粘结包覆；6)再加入润滑脱模剂，混合均匀，模压成型；7)将压制成型的样品进行退火处理，随炉冷却，喷涂，得到目标产物。本发明母合金含有适量的合金元素，改善了合金加工性能，将合金粉末与绝缘介质混合压制成磁粉芯可以大幅度降低高频下的涡流损耗，同时，磁粉芯的形状多样性也解决了合金材料因形状单一而使用受限的问题。
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公开(公告)号：CN104032241A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410231421.5
申请日：2014-05-28
Applicant: 浙江大学 , 浙江明贺钢管有限公司
Abstract: 本发明公开了一种非晶软磁复合材料的制备方法。该制备方法包含制备非晶薄带、脆化退火、球磨制粉、钝化处理、压制成型、热处理和固化步骤，所述的非晶软磁复合材料的合金成分为铁基非晶合金，该合金的组成以原子比表示满足下式：Fe100-a-b-cTaMbDc，其中，15≤a≤30，0
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公开(公告)号：CN114242370B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202111618066.3
申请日：2021-12-27
Applicant: 浙江大学
IPC: H01F1/147 , C22C38/02 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/34 , C22C38/30 , C22C38/24 , C22C38/52 , C22C38/46 , C22C38/08 , C22C33/04 , C21D1/26 , C21D1/773 , H01F41/02
Abstract: 本发明涉及一种多组元FeCoSiM软磁合金，其中M为V、Cr、Ni元素中的一种或多种。所述FeCoSiM软磁合金中各合金元素原子百分比总和为100％，且满足以下条件：Fe 68～78at％，Co 4～12at％，Si 14～18at％，V 0～4at％，Cr 0～4at％，Ni 0～4at％。该合金其制备方法包括：按照原子百分比含量称取原料，在真空条件下或保护气氛中进行熔炼和退火热处理。本发明通过成分及含量的合理设计得到所述的多组元FeCoSiM软磁合金，其磁晶各向异性常数较低，磁致伸缩系数趋近于零，具有高饱和磁通密度和低矫顽力的特点。
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公开(公告)号：CN117488016A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311597163.8
申请日：2023-11-28
Applicant: 浙江大学
IPC: C21D1/04 , C21D9/52 , C21D1/773 , B22D11/06 , C22C33/04 , C22C45/02 , C22C38/10 , C22F1/02 , C22C38/16 , C22C38/12 , C22C38/02 , C22C45/04 , C22C1/11 , C22C30/02 , C22C1/02 , H01F1/153 , H01F41/02 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种旋转磁场热处理调控铁基纳米晶软磁合金感生各向异性的方法，涉及金属软磁材料技术领域。本发明包括以下步骤：(1)将金属原料进行熔炼获得FeaCobCucNbdSieBf母合金锭；(2)将铸锭放入真空甩带炉，通过快速凝固制备获得对应非晶带材；(3)固定非晶带材，抽真空，升温，同时施加旋转磁场，进行保温；进一步升温，同时施加旋转磁场，再次保温；(4)冷却至室温，取出带材。本发明通过在热处理过程中施加旋转磁场的方法影响晶粒形核生长过程，调控晶粒尺寸和调节感生各向异性(Ku)，有效提高铁基纳米晶合金的饱和磁化强度(Bs)，降低矫顽力(Hc)，对制备高性能铁基纳米晶软磁合金具有重要应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114940886B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210470448.4
申请日：2022-04-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了纳米氧化铝磨粒、制备方法、应用和含该磨粒的碳化硅抛光液，纳米氧化铝磨粒由含铝氧化剂、含氨基或羧基的有机物燃料、反应溶剂通过溶液燃烧法合成球形的α‑Al2O3，该磨粒按以下制备方法制得：将含铝氧化剂和含氨基或羧基的有机物燃料溶于反应溶剂形成溶液；将溶液转移至坩埚内，将坩埚置于马弗炉内，将马弗炉按10～20℃/min升温速率加热至预定温度，保温，冷却，获得球形α‑Al2O3，碳化硅抛光液由以下重量百分比浓度的组分组成：纳米氧化铝磨粒1～50％、表面活性剂0.05％～5％、氧化剂0.2～10％、pH调节剂0.02％～2％和余量水性介质。本发明具有氧化铝磨粒粒径小，有较好的表面精度，提高抛光效率和精度，氧化铝磨粒制备快速高效节能等优点。
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公开(公告)号：CN108863338B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201810947763.5
申请日：2018-08-20
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B35/638 , H01F41/02
Abstract: 本发明公开了一种锰锌功率铁氧体的六段气氛控制方法，其主要内容是：在二次配料时，添加适量的掺杂元素；将烧结过程分为6段保温保压平台。首先在1150℃‑1250℃的区间内保温2‑5小时，控制0.25％‑1％的低氧气氛；随后在1080℃‑1120℃之间保温1‑2小时，控制2.5％‑4％的高氧气氛；然后分别为990℃‑1020℃，900℃‑950℃，750‑800℃，保温时间30‑60min，并保持平衡气氛；最后在500℃‑600℃，保温时间为1‑2小时。本发明的创新性在于通过六次保温和控制氧分压，能够有效阻止Fe2+的迁移和获得高电阻率晶界，有效降低涡流损耗，同时降低了材料的内应力，从而得到优秀的高频交流磁性能。
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公开(公告)号：CN105470116B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201510936786.2
申请日：2015-12-15
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种调控TiO2基稀磁半导体材料室温磁性的方法，该发明属于磁性半导体材料领域。本方法采用具有不同晶格常数的衬底或缓冲层，诱导TiO2基薄膜材料产生晶格畸变。通过控制薄膜的晶格畸变，达到调控内部缺陷磁性耦合作用的强度和材料室温磁性的目的。选用纯的TiO2，或者非磁性离子Al3+、Mg2+、Zn2+和/或磁性离子Co2+、Ni2+、Fe3+中的一种或几种掺杂的TiO2作为靶材，用磁控溅射法或脉冲激光沉积法在具有不同晶格常数的衬底或缓冲层上沉积薄膜，使外延生长的TiO2基薄膜材料的晶格产生压缩或者膨胀，以增强或减小室温磁性。衬底或缓冲层为LaAlO3、SrTiO3、MgO、YSZ或Si中的一种。通过该方法制备得到的稀磁半导体薄膜具有明显的室温磁性和较高的居里温度，并且可以通过改变衬底材料或缓冲层对其磁性进行调控，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN106206736B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610632361.7
申请日：2016-08-04
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/08 , H01L21/336 , G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种晶体管，该晶体管包括Si衬底、沟道层、源极和漏极、覆盖于沟道层上面的绝缘层、以及位于绝缘层上的栅极；其中沟道层为具有半导体导电特性的单原子层SnO,源漏极为具有金属导电特性的双原子层SnO。本发明还提供了一种通过计算和模拟构建晶体管的模型的方法。本发明提供的该晶体管由于沟道层和源漏极采用单一二维材料SnO，改善了沟道层与源漏极侧壁的欧姆接触，大大降低了两者的接触电阻，提高了晶体管的散热性；通过模拟测试，证明晶体管具有高的电子迁移率。
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公开(公告)号：CN109095915A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810948154.1
申请日：2018-08-20
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供了一种制备高性能MnZn铁氧体的In(Cd，Ga)、Ni、Ti、Co离子联合替代方法。在选定的主成分中，添加包含Ni、Ti、Co一种或多种的副成分；添加包含In、Cd、Ga元素一种或多种的副成分；添加包含Ca、Si元素一种或多种的副成分。通过In、Cd、Ga、Ni、Ti、Co等离子的四元、五元或者六元等多元离子联合替代，利用各离子对主成分的影响以及离子间的相互作用，制备得到的MnZn铁氧体材料在25℃下饱和磁通密度高于530mT，在100℃下高于440mT，适用温度范围＞150℃，在10mT、100℃、3MHz的测试条件下，其功率损耗低于45kWm-3，在10mT、100℃、5MHz的测试条件下，其功率损耗低于80kWm-3，初始磁导率高于850，在20～120℃范围内，损耗随温度的变化不超过50％。
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