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公开(公告)号：CN114550769A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111550212.3
申请日：2018-02-24
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C11/406
Abstract: 一种半导体存储器件包括：第一计数电路，其适用于基于突发刷新命令信号来对在每个突发刷新周期中连续切换的第一时钟信号进行计数，并且产生第一计数码信号；周期引导电路，其适用于基于突发刷新命令信号和预充电信号来产生在每个突发刷新周期中切换一次的第二时钟信号；第二计数电路，其适用于对第二时钟信号进行计数并且产生第二计数码信号；以及控制电路，其适用于基于第一计数码信号和第二计数码信号来在每个突发刷新周期中产生用于锁存目标地址的锁存控制信号。
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公开(公告)号：CN114360597A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111549534.6
申请日：2018-02-24
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C11/406
Abstract: 一种半导体存储器件包括：第一计数电路，其适用于基于突发刷新命令信号来对在每个突发刷新周期中连续切换的第一时钟信号进行计数，并且产生第一计数码信号；周期引导电路，其适用于基于突发刷新命令信号和预充电信号来产生在每个突发刷新周期中切换一次的第二时钟信号；第二计数电路，其适用于对第二时钟信号进行计数并且产生第二计数码信号；以及控制电路，其适用于基于第一计数码信号和第二计数码信号来在每个突发刷新周期中产生用于锁存目标地址的锁存控制信号。
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公开(公告)号：CN108376552A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201710874031.3
申请日：2017-09-25
Applicant: 爱思开海力士有限公司
CPC classification number: G11C16/32 , G11C5/063 , G11C7/222 , G11C16/08 , G11C2207/2254
Abstract: 可以提供一种包括半导体器件的集成电路。半导体器件可以被配置为比较根据半导体器件的内部延迟时间产生的选通信号的相位，并且被配置为根据选通信号的相位的比较结果来控制内部命令被输入至半导体器件的内部电路的时间点。
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公开(公告)号：CN108010550A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201710713598.2
申请日：2017-08-18
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C11/4063 , G11C8/04
CPC classification number: G11C11/408 , G11C11/406 , G11C29/00 , G11C29/20 , G11C29/36 , G11C29/50
Abstract: 一种地址计数电路包括：地址计数器，其适用于响应于计数信号来对地址进行计数；以及计数控制块，其适用于控制地址计数器跳过至少一个预定值的地址。
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公开(公告)号：CN108376552B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201710874031.3
申请日：2017-09-25
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 可以提供一种包括半导体器件的集成电路。半导体器件可以被配置为比较根据半导体器件的内部延迟时间产生的选通信号的相位，并且被配置为根据选通信号的相位的比较结果来控制内部命令被输入至半导体器件的内部电路的时间点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112767982A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110156769.2
申请日：2017-08-18
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C11/406 , G11C11/408 , G11C29/20 , G11C29/50
Abstract: 本申请涉及地址计数电路、存储器件及其操作方法。一种地址计数电路包括：地址计数器，其适用于响应于计数信号来对地址进行计数；以及计数控制块，其适用于控制地址计数器跳过至少一个预定值的地址。
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公开(公告)号：CN108694972B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201810156970.9
申请日：2018-02-24
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C11/406
Abstract: 一种半导体存储器件包括：第一计数电路，其适用于基于突发刷新命令信号来对在每个突发刷新周期中连续切换的第一时钟信号进行计数，并且产生第一计数码信号；周期引导电路，其适用于基于突发刷新命令信号和预充电信号来产生在每个突发刷新周期中切换一次的第二时钟信号；第二计数电路，其适用于对第二时钟信号进行计数并且产生第二计数码信号；以及控制电路，其适用于基于第一计数码信号和第二计数码信号来在每个突发刷新周期中产生用于锁存目标地址的锁存控制信号。
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公开(公告)号：CN108694972A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810156970.9
申请日：2018-02-24
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C11/406
CPC classification number: G11C11/40611 , G11C11/40603 , G11C11/408
Abstract: 一种半导体存储器件包括：第一计数电路，其适用于基于突发刷新命令信号来对在每个突发刷新周期中连续切换的第一时钟信号进行计数，并且产生第一计数码信号；周期引导电路，其适用于基于突发刷新命令信号和预充电信号来产生在每个突发刷新周期中切换一次的第二时钟信号；第二计数电路，其适用于对第二时钟信号进行计数并且产生第二计数码信号；以及控制电路，其适用于基于第一计数码信号和第二计数码信号来在每个突发刷新周期中产生用于锁存目标地址的锁存控制信号。
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公开(公告)号：CN108231108A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711077950.4
申请日：2017-11-06
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C11/406
CPC classification number: G11C11/4045 , G11C11/404 , G11C11/406 , G11C11/40603 , G11C11/40611 , G11C11/40622 , G11C11/40626 , G11C29/023 , G11C29/028 , G11C29/12005 , G11C29/12015 , G11C29/40 , G11C29/4401 , G11C29/50016 , G11C29/52 , G11C2029/1202 , G11C2029/4402 , G11C2211/4068
Abstract: 一种存储器件的操作方法，所述存储器件包括多个存储单元，所述操作方法可以包括：测量所述多个存储单元中的至少一部分存储单元的数据保持时间；以及利用测量结果优化对所述多个存储单元的刷新操作。
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公开(公告)号：CN104700884A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410440419.9
申请日：2014-09-01
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: G11C11/406
CPC classification number: G11C11/40618 , G11C11/40611
Abstract: 一种半导体存储器件包括：正常命令发生单元，其适于响应于刷新命令而产生正常刷新命令；智能命令发生单元，其适于对刷新命令执行计数操作以产生在预定的时段被激活的多个智能刷新命令；以及刷新操作单元，其适于响应于正常刷新命令和多个智能刷新命令而执行刷新操作，其中，智能命令发生单元当进入刷新操作时，将计数操作复位。
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