公开(公告)号：CN114402419A

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN202080063506.0

申请日：2020-09-10

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 阿久津高志

IPC: H01L21/304 ,  B23K26/53 ,  B24B7/22 ,  B24B41/06 ,  B28D5/00 ,  B28D7/04 ,  C09J5/00 ,  C09J5/06 ,  C09J7/35 ,  C09J7/38 ,  C09J11/08

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，其是使用粘合片的半导体装置的制造方法，所述粘合片依次具有含有热膨胀性粒子的粘合剂层(X1)、基材(Y)、及通过照射能量射线而固化从而发生粘合力降低的粘合剂层(X2)，且该制造方法包括特定的工序1～5。

公开(公告)号：CN111448275B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN201880079499.6

申请日：2018-12-19

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 中山武人 ,  冈本直也 ,  阿久津高志

IPC: C09J7/29 ,  B32B7/06 ,  B32B27/00 ,  C09J11/00 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供一种粘合性层叠体，其具备热膨胀性的粘合片(I)和树脂膜形成用片(II)，所述热膨胀性的粘合片(I)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)，且任意层中包含热膨胀性粒子，所述树脂膜形成用片(II)具有基材(Y2)及固化性树脂层(Z2)，所述粘合性层叠体是粘合片(I)和树脂膜形成用片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的，且用于在实施给定加工时将加工对象物固定于支撑体，其中，通过在上述热膨胀性粒子的热膨胀起始温度(t)以上的温度下的加热处理，能够在粘合片(I)与树脂膜形成用片(II)的基材(Y2)的界面P发生分离。

公开(公告)号：CN112203840A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201880077482.7

申请日：2018-12-07

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 中山武人 ,  冈本直也 ,  阿久津高志

IPC: B32B7/06 ,  B32B27/00 ,  C09J7/20 ,  C09J7/35 ,  C09J7/40 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供一种粘合性层叠体，其具备：热膨胀性的粘合片(I)、以及粘合片(II)，所述热膨胀性的粘合片(I)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)，且任意层中包含膨胀起始温度(t)为60～270℃的热膨胀性粒子，所述粘合片(II)具有基材(Y2)，且在基材(Y2)的一个表面侧具有粘合剂层(X2)，所述粘合性层叠体是粘合片(I)和粘合片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的，通过在膨胀起始温度(t)以上的温度下的加热处理，在粘合片(I)与粘合片(II)的基材(Y2)的界面P发生分离。

公开(公告)号：CN111448275A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201880079499.6

申请日：2018-12-19

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 中山武人 ,  冈本直也 ,  阿久津高志

IPC: C09J7/29 ,  B32B7/06 ,  B32B27/00 ,  C09J11/00 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供一种粘合性层叠体，其具备热膨胀性的粘合片(I)和树脂膜形成用片(II)，所述热膨胀性的粘合片(I)具有基材(Y1)及粘合剂层(X1)，且任意层中包含热膨胀性粒子，所述树脂膜形成用片(II)具有基材(Y2)及固化性树脂层(Z2)，所述粘合性层叠体是粘合片(I)和树脂膜形成用片(II)的基材(Y2)直接层叠而成的，且用于在实施给定加工时将加工对象物固定于支撑体，其中，通过在上述热膨胀性粒子的热膨胀起始温度(t)以上的温度下的加热处理，能够在粘合片(I)与树脂膜形成用片(II)的基材(Y2)的界面P发生分离。

公开(公告)号：CN104508069A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380040479.5

申请日：2013-08-02

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 若山洋司 ,  市川功 ,  阿久津高志

IPC: C09J201/00 ,  C09J7/02 ,  C09J11/04 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/60

CPC classification number: C09J7/0235 ,  C08F220/18 ,  C08G18/10 ,  C08G18/755 ,  C08G18/8029 ,  C08K5/5419 ,  C08L33/068 ,  C08L61/00 ,  C08L63/04 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J7/405 ,  C09J133/00 ,  C09J133/068 ,  C09J133/14 ,  C09J163/00 ,  C09J175/16 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32221 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/069 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T428/1405 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/463 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/00 ,  C08F2220/1825 ,  C08F2220/325 ,  C08F220/20 ,  C08F220/14 ,  C08G18/672 ,  C08G18/4825 ,  C08F2220/1858

Abstract: 本发明的膜状粘接剂是含有粘合剂树脂(A)、环氧树脂(B)、热固化剂(C)和填料(D)的膜状粘接剂，其中，D65标准光源的全光线透射率为70%以上，雾度值为50%以下。本发明提供在倒装安装方法中，可在规定位置正确地将半导体芯片进行小片键合，同时能够制造具有高的封装可靠性的半导体装置的膜状粘接剂和使用其的半导体接合用粘接片。

公开(公告)号：CN110462816B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201880022421.0

申请日：2018-03-29

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 阿久津高志 ,  冈本直也 ,  中山武人

IPC: H01L23/12 ,  C09J5/00 ,  C09J7/20 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供具有下述工序(1)～(4)的半导体装置的制造方法、以及该制造方法所使用的粘合片，所述半导体装置的制造方法是使用粘合片制造半导体装置的方法，所述粘合片具有粘合剂层、以及包含膨胀性粒子且为非粘合性的基材。工序(1)：将形成有开口部的框构件粘贴于粘合剂层的粘合表面的工序；工序(2)：将半导体芯片放置于在所述框构件的所述开口部露出的所述粘合剂层的粘合表面的一部分的工序；工序(3)：用密封材料包覆所述半导体芯片、所述框构件、以及所述粘合剂层的粘合表面中所述半导体芯片的周边部，使该密封材料固化，得到所述半导体芯片被固化密封材料密封而成的固化密封体的工序；工序(4)：使所述膨胀性粒子膨胀，从所述固化密封体剥离所述粘合片的工序。本发明可以抑制扇出型封装的制造工序中半导体芯片发生位置偏移，生产性优异，得到的半导体装置的再布线层形成面的平坦性优异。

公开(公告)号：CN111902508B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201980022130.6

申请日：2019-03-28

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 阿久津高志 ,  垣内康彦 ,  冈本直也 ,  山田忠知 ,  中山武人

IPC: C09J7/35 ,  C09J7/29 ,  C09J7/38 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J201/00 ,  B32B27/00 ,  B32B27/20 ,  C09J7/20

Abstract: 本发明涉及一种粘合性层叠体，其具备：具有基材(Y)及粘合剂层(X)且在任意层包含膨胀性粒子的膨胀性的粘合片(I)、和具有热固性树脂层(Z)的固化树脂膜形成用片(II)，且粘合片(I)和固化树脂膜形成用片(II)的热固性树脂层(Z)直接层叠在一起，其中，该粘合性层叠体通过使所述膨胀性粒子膨胀的处理而在粘合片(I)与固化树脂膜形成用片(II)的界面P分离。

公开(公告)号：CN112789334B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201880098044.9

申请日：2018-10-02

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐藤明德 ,  高丽洋佑 ,  阿久津高志 ,  垣内康彦 ,  冈本直也 ,  山田忠知 ,  中山武人

IPC: C09J7/29 ,  B32B27/20 ,  C09J7/30 ,  C09J7/38 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明涉及一种层叠体，其具有能量射线固化性树脂层(I)、和支撑该能量射线固化性树脂层(I)的支撑层(II)，上述能量射线固化性树脂层(I)包含具有粘合性的表面，上述支撑层(II)具有基材(Y)及粘合剂层，该基材(Y)及粘合剂层中的至少一者含有热膨胀性粒子，由上述能量射线固化性树脂层(I)固化而成的固化树脂层(I')和上述支撑层(II)通过使上述热膨胀性粒子膨胀的处理而在其界面分离。

公开(公告)号：CN108174616B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201680057668.7

申请日：2016-03-28

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 垣内康彦 ,  阿久津高志 ,  坂东沙也香 ,  小升雄一朗

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  C08F2/46 ,  C09J7/20 ,  C09J133/00

Abstract: 本发明的半导体加工用片具备基材、设于所述基材的一面上的凹凸吸收层、以及设于所述凹凸吸收层上的粘合剂层，其中，所述粘合剂层由能量线固化性粘合剂形成，所述粘合剂层在能量线固化后的断裂应力为10MPa以上。

公开(公告)号：CN113613893A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202080020753.2

申请日：2020-03-13

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 垣内康彦 ,  阿久津高志 ,  高冈慎弥

IPC: B32B27/00 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00 ,  C09J175/04 ,  C09J7/29 ,  C09J7/38

Abstract: 本发明的课题在于提供粘合片及使用该粘合片的半导体装置的制造方法，所述粘合片能够通过加热将临时固定着的被粘附物容易地剥离、而且能够抑制剥离后的被粘附物表面的污染，为此，本发明形成了下述粘合片：具有依次配置有粘合剂层(X1)、包含热膨胀性粒子的热膨胀性基材层(Y1)、及非热膨胀性基材层(Y2)的层叠结构，上述粘合剂层(X1)在23℃下的杨氏模量为5.0MPa以下，上述非热膨胀性基材层(Y2)在23℃下的杨氏模量高于上述粘合剂层(X1)在23℃下的杨氏模量。