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公开(公告)号：CN113646149B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202080021035.7
申请日：2020-03-12
Applicant: 电化株式会社
IPC: B28D5/00 , B23K26/364 , C04B41/91 , H05K1/02 , H05K3/00
Abstract: 首先，利用激光，在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)形成划线(110)。接着，沿着划线(110)将氮化物陶瓷基材(100)分割。划线(110)包含多个凹部(112)。多个凹部(112)在氮化物陶瓷基材(100)的第1面(102)形成为一列。多个凹部(112)各自的深度(d)为多个凹部(112)各自的开口宽度(w)的0.70倍以上、1.10倍以下。多个凹部(112)各自的开口宽度(w)为多个凹部(112)的中心间距离(p)的1.00倍以上、1.10倍以下。
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公开(公告)号：CN113490654A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080017805.0
申请日：2020-02-28
Applicant: 电化株式会社
IPC: C04B35/622 , B28B11/00 , C04B35/581 , C04B35/587 , C04B35/634 , H01L23/00 , H01L23/12 , H05K1/03 , H05K3/00
Abstract: 本发明提供具备多个基板形成区域的陶瓷生片。在该陶瓷生片的一部分，描绘有条形码或二维码。该条形码或二维码是将下述信息(a)至(d)中的一者或两者以上进行编码而得到的，(a)与制造陶瓷生片时的原材料相关的信息；(b)与陶瓷生片的成型条件相关的信息；(c)与堆积多张陶瓷生片时使用的脱模剂相关的信息；(d)序列号。
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公开(公告)号：CN115298150B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202180022041.9
申请日：2021-03-26
Applicant: 电化株式会社
IPC: C04B35/583 , C01B21/064 , H01L23/373 , C04B38/00 , C04B41/83 , H05K7/20
Abstract: 本发明提供氮化硼烧结体，其为具有多孔质结构的氮化硼烧结体，且包含氮化硼的一次粒子聚集而形成的粒径为15μm以上的块状粒子。还提供氮化硼烧结体的制造方法，其具有：氮化工序，将包含碳化硼的原料粉末在含氮的气氛下进行烧成，得到包含块状粒子的烧成物，所述块状粒子具有碳氮化硼的一次粒子聚集的芯部、和包围芯部的壳部；和烧成工序，进行含有烧结助剂和包含块状粒子的烧成物的配合物的成型及加热，得到具有多孔质结构且包含氮化硼的块状粒
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公开(公告)号：CN115066406A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202180013551.X
申请日：2021-03-26
Applicant: 电化株式会社
IPC: C04B35/583 , C04B38/00 , C04B41/83 , H01L23/373 , H05K7/20
Abstract: 本发明提供氮化硼烧结体，其是包含氮化硼粒子和气孔的氮化硼烧结体，所述氮化硼烧结体是片状的且厚度小于2mm。本发明提供氮化硼烧结体的制造方法，其具有进行包含碳氮化硼粉末和烧结助剂的配合物的成型及加热来得到包含氮化硼粒子和气孔的、片状的氮化硼烧结体的烧结工序，其中，烧结工序中得到的氮化硼烧结体的厚度小于2mm。
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公开(公告)号：CN114667806B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202080078881.2
申请日：2020-11-13
Applicant: 电化株式会社
IPC: H05K1/02 , C04B35/581 , C04B35/587 , C04B35/64 , H05K1/03 , H05K3/00
Abstract: 本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板，在将由其一对对角线形成的交叉点作为前述陶瓷基板的板厚方向的基准的情况下，由前述一对对角线划分出的4个区域中，隔着前述交叉点相对的一对第1区域及一对第2区域中的一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的一侧的位置，另一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的另一侧的位置，前述陶瓷基板的前述板厚方向的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为6μm/mm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115103824A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202180013349.7
申请日：2021-03-26
Applicant: 电化株式会社
IPC: C04B35/583 , H01L23/373 , C04B38/00 , C04B41/83 , H05K7/20
Abstract: 本发明提供氮化硼烧结体，其含有具有20μm以上的长度的多个粗大粒子、和比多个粗大粒子小的微细粒子，在对截面进行观察时，多个粗大粒子彼此交叉。提供氮化硼烧结体的制造方法，其具有：原料制备工序，将包含碳氮化硼和硼化合物的混合物在氮气氛下进行烧成，得到平均粒径为10～200μm的块状的氮化硼；和烧结工序，进行包含块状的氮化硼和烧结助剂的配合物的成型及加热，得到含有截面上的长度为20μm以上的粗大粒子和比粗大粒子小的微细粒子的氮化硼烧结体。
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公开(公告)号：CN114982388A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180009751.8
申请日：2021-01-22
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明的陶瓷‑铜复合体(100)为具备陶瓷层(1)、铜层(2)、和钎料层(3)的平板状的陶瓷‑铜复合体(100)，所述钎料层(3)存在于陶瓷层(1)与铜层(2)之间且包含Sn或In、和Ag，在钎料层(3)的铜层(2)侧形成有凹凸部，在至少一个凸部(6)内，多个富Cu相(4)以彼此隔开间隔的状态存在。
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公开(公告)号：CN114929650A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202180008663.6
申请日：2021-03-29
Applicant: 电化株式会社
Abstract: 本发明提供电路基板，其为陶瓷基板与金属电路板隔着包含银的钎料层接合的电路基板，其中，通过EBSP法求出的上述钎料层中的银部的KAM值的平均值为0.55°以下。本发明提供接合体，其为陶瓷基板与金属板隔着包含银的钎料层接合的接合体，其中，通过EBSP法求出的钎料层中的银部的KAM值的平均值为0.55°以下。
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公开(公告)号：CN114667806A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202080078881.2
申请日：2020-11-13
Applicant: 电化株式会社
IPC: H05K1/02 , C04B35/581 , C04B35/587 , C04B35/64 , H05K1/03 , H05K3/00
Abstract: 本发明的陶瓷基板为俯视下呈矩形的陶瓷基板，在将由其一对对角线形成的交叉点作为前述陶瓷基板的板厚方向的基准的情况下，由前述一对对角线划分出的4个区域中，隔着前述交叉点相对的一对第1区域及一对第2区域中的一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的一侧的位置，另一方位于较前述交叉点更靠前述板厚方向的另一侧的位置，前述陶瓷基板的前述板厚方向的最大凸量除以前述陶瓷基板的对角线的长度而得的值为6μm/mm以下。
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公开(公告)号：CN114375495A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202080063702.8
申请日：2020-09-15
Applicant: 电化株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/13 , H01L23/15 , H05K1/02
Abstract: 电路基板具备：陶瓷基板10；接合于陶瓷基板10的一个或多个电路板20；和在至少一个电路板20的表面上的阻焊剂30。沿同在上述表面上设置有阻焊剂30的电路板20与陶瓷基板10的接合面20a正交的截面观察时，电路板20的电路端25与阻焊剂30的内侧端部30A的沿接合面20a的距离L1为1.0mm以上。
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