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公开(公告)号:CN104250228B
公开(公告)日:2019-05-10
申请号:CN201410163675.8
申请日:2014-04-22
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C07D215/14 , C07D311/58 , C07D409/14 , C07D405/10 , C07D333/16 , C07C37/00 , C07C39/17 , C07C39/225 , C07C29/143 , C07C35/21 , C07C213/02 , C07C217/58 , C07C253/30 , C07C255/53 , C07C17/16 , C07C22/04 , C07C319/12 , C07C323/19 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种由以下化学式1表示的用于硬掩膜组合物的单体、包括该单体的硬掩膜组合物、以及使用该硬掩膜组合物形成图案的方法。在以下化学式1中,A、A'、A″、L、L'、X、X'、m、和n与在具体实施方式中的定义相同。[化学式1]
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公开(公告)号:CN103959170B
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201280059402.8
申请日:2012-11-21
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C07C39/14 , B05D1/005 , B05D3/007 , B05D3/0254 , B05D3/06 , C07C39/12 , C07C2603/50 , C07C2603/54 , C09D173/00 , G03F7/004 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/36
Abstract: 本发明涉及一种由化学式1表示的用于硬掩模组合物的单体、包括该单体的硬掩模组合物、以及使用其的图案形成方法。
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公开(公告)号:CN103959170A
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN201280059402.8
申请日:2012-11-21
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: C07C39/14 , B05D1/005 , B05D3/007 , B05D3/0254 , B05D3/06 , C07C39/12 , C07C2603/50 , C07C2603/54 , C09D173/00 , G03F7/004 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/36
Abstract: 本发明涉及一种由化学式1表示的用于硬掩模组合物的单体、包括该单体的硬掩模组合物、以及使用其的图案形成方法。
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公开(公告)号:CN104253024B
公开(公告)日:2017-07-28
申请号:CN201410063061.2
申请日:2014-02-24
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/311 , C08G61/02
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/30 , G03F7/36 , G03F7/40
Abstract: 本发明公开了硬掩模组合物、使用其形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路装置,其中该硬掩模组合物包括由以下化学式1表示的单体、包含由以下化学式2表示的部分的聚合物、包含由以下化学式3表示的部分的聚合物、或者它们的组合,以及溶剂。在以下化学式1至3中,A、A′、A″、L、L′、X、X′、m、n、Ar、B、Xa以及Xb与具体实施方式中限定的相同。[化学式1][化学式2][化学式3]
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公开(公告)号:CN104718497A
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201380053489.2
申请日:2013-09-02
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/004 , G03F7/0035 , G03F7/094
Abstract: 揭示硬罩幕组成物以及使用硬罩幕组成物的图案形成方法。硬罩幕组成物包括由下列化学式1表示的高分子、由下列化学式2表示的单体以及溶剂,其中所包含的单体的含量等同于或高于高分子的含量。
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公开(公告)号:CN104253024A
公开(公告)日:2014-12-31
申请号:CN201410063061.2
申请日:2014-02-24
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/311 , C08G61/02
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/30 , G03F7/36 , G03F7/40 , G03F7/092 , C08G61/02 , C08G2261/314 , G03F7/00 , H01L21/0271
Abstract: 本发明公开了硬掩模组合物、使用其形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路装置,其中该硬掩模组合物包括由以下化学式1表示的单体、包含由以下化学式2表示的部分的聚合物、包含由以下化学式3表示的部分的聚合物、或者它们的组合,以及溶剂。在以下化学式1至3中,A、A′、A″、L、L′、X、X′、m、n、Ar、B、Xa以及Xb与具体实施方式中限定的相同。[化学式1][化学式2][化学式3]
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公开(公告)号:CN104250228A
公开(公告)日:2014-12-31
申请号:CN201410163675.8
申请日:2014-04-22
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C07D215/14 , C07D311/58 , C07D409/14 , C07D405/10 , C07D333/16 , C07C37/00 , C07C39/17 , C07C39/225 , C07C29/143 , C07C35/21 , C07C213/02 , C07C217/58 , C07C253/30 , C07C255/53 , C07C17/16 , C07C22/04 , C07C319/12 , C07C323/19 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , C07C22/04 , C07C39/12 , C07C39/225 , C07C217/58 , C07C255/53 , C07C323/19 , C07C2601/14 , C07C2603/50 , C07C2603/52 , C07C2603/54 , C07D215/14 , C07D311/58 , C07D333/16 , C07D333/50 , G03F7/09 , G03F7/094 , C07C35/21 , C07C39/17 , C07D405/10 , C07D409/14 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种由以下化学式1表示的用于硬掩膜组合物的单体、包括该单体的硬掩膜组合物、以及使用该硬掩膜组合物形成图案的方法。在以下化学式1中,A、A'、A″、L、L'、X、X'、m、和n与在具体实施方式中的定义相同。[化学式1]
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公开(公告)号:CN104024941B
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201280065651.8
申请日:2012-11-23
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/00 , H01L21/027 , G03F7/26
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/40 , H01L21/0276 , H01L21/0332
Abstract: 本发明涉及一种用于形成硬掩模的组合物,其包括溶剂和包含由式1和2表示的重复单元的共聚物,一种利用其形成图案的方法,以及一种包括通过所述方法形成的图案的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号:CN104024941A
公开(公告)日:2014-09-03
申请号:CN201280065651.8
申请日:2012-11-23
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/00 , H01L21/027 , G03F7/26
CPC classification number: G03F7/094 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/40 , H01L21/0276 , H01L21/0332
Abstract: 本发明涉及一种用于形成硬掩模的组合物,其包括溶剂和包含由式1和2表示的重复单元的共聚物,一种利用其形成图案的方法,以及一种包括通过所述方法形成的图案的半导体集成电路装置。
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公开(公告)号:CN102540729B
公开(公告)日:2014-01-08
申请号:CN201110315277.X
申请日:2011-10-17
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/094
Abstract: 本发明提供了硬掩模组合物和形成图案的方法、以及包括图案的半导体集成电路器件。所述硬掩模组合物包括含芳环化合物和溶剂,所述含芳环化合物包括由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分中的至少一种。在化学式1或2中,Ar、R1至R3以及n如在详细描述中所定义。此外,提供了通过使用硬掩模组合物用于形成图案的方法、以及包括通过图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。根据本发明的硬掩模组合物具有优异的间隙填充性能和平面化特性以及改善的耐蚀刻性和光学性能。[化学式1][化学式2]
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