片式部件的制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114203377A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111519386.3

    申请日:2012-12-18

    Abstract: 提供一种片式部件的制造方法,包括:在设定于基板表面上的多个片式部件区域的各个区域中形成多个元件要素、外部连接电极以及将多个元件要素以可分离的方式分别连接到外部连接电极的多个保险丝的第一工序;在第一工序之后,仅通过干法蚀刻在多个片式部件区域的边界区域中从基板表面起形成指定深度的槽的第二工序;以及在第二工序之后,磨削基板的背面,直至槽为止,以将基板分割为多个片式部件的第三工序,在第一工序中,在基板的表面仅直线状地排列多个保险丝,在第三工序之前,包括以在基板表面由外部连接电极按压在基板表面的方式形成跨基板表面以及槽的侧面的绝缘膜的工序。

    贴片电阻器
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108242296B

    公开(公告)日:2019-12-10

    申请号:CN201810013314.3

    申请日:2012-09-28

    Abstract: 本发明提供一种小型并且高电阻的贴片电阻器。贴片电阻器(100)具有:基板(11);在基板(11)上所形成的第一连接电极(12)以及第二连接电极(13);和电阻网络,其形成在基板(11)上,且一端侧与第一连接电极(12)连接,另一端侧与第二连接电极(13)连接。在电阻网络中具有电阻电路。电阻电路具有沿着槽(101)的内壁面设置的电阻体膜线(103)。沿着槽(101)的内壁面延伸的电阻体膜线(103),其长度较长,作为单位电阻体具有高电阻。作为贴片电阻器(100)整体,能够实现高电阻化。

    半导体装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113396482A

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202080012924.7

    申请日:2020-02-07

    Abstract: 半导体装置包括:半导体层,其具有主面;沟槽栅极构造,其包括沟槽、绝缘层以及栅极电极,该沟槽在剖视时具有一方侧的第一侧壁、另一方侧的第二侧壁以及底壁且形成于上述主面,该绝缘层形成于上述沟槽的内壁,该栅极电极隔着上述绝缘层埋设于上述沟槽且具有相对于上述主面位于上述底壁侧的上端部;第一导电型的多个漂移区域,其在上述主面的表层部以隔着上述沟槽而相互对置的方式分别形成于上述沟槽的上述第一侧壁侧的区域以及上述第二侧壁侧的区域,相对于上述底壁位于上述主面侧的区域;以及第一导电型的多个源极漏极区域,其分别形成于多个上述漂移区域的表层部。

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